Mechanisms of Grain Growth Inhibition

The grain growth inhibitors primarily influence WC grain growth through the following approaches:

Solute Drag Effect

Principle:grain growth Inhibitor elements (e.g., V, Cr) dissolve into the WC or Co phase, adsorb at WC/Co phase boundaries or WC/WC grain boundaries, hindering atomic diffusion and grain boundary migration.

Elemental Solid Solution

Inhibitors such as VC and Cr?C? decompose during sintering, with V and Cr atoms dissolving into the WC lattice or Co binder phase.

Example: V substitutes W sites in WC (forming (V,W)C solid solution), while Cr dissolves into the Co phase (forming (Co,Cr) solid solution).

Grain Boundary Segregation

Solute atoms (e.g., V, Cr) enrich at WC grain boundaries or WC/Co interfaces, forming a “solute atmosphere.”

These segregated atoms pin grain boundaries, increasing the energy barrier for migration.

Drag on Grain Boundary Movement

When grain boundaries attempt to migrate, solute atoms must move along, but their slower diffusion rate impedes boundary motion.

Analogous to “viscous drag,” this suppresses WC grain coalescence and growth.

Applicable grain growth Inhibitors: VC, Cr?C? (primarily rely on solute drag).

Second-Phase Pinning Effect (Zener Pinning)

Principle: grain growth inhibitors form nanoscale carbide particles (e.g., (V,W)C, (Cr,W)C) that physically obstruct WC grain growth at boundaries.

Nanoparticle Precipitation

During sintering, decomposed VC or Cr?C? reprecipitate as nanoscale carbides (e.g., 5–50 nm (V,W)C particles), typically located at WC/WC or WC/Co interfaces.

Grain Boundary Pinning

Migrating boundaries must overcome the restraint of these nanoparticles, requiring additional energy.

According to the Zener equation, pinning force (F?) correlates with particle volume fraction (f) and size (r). Finer, denser particles yield stronger inhibition.

Suppression of WC Dissolution-Reprecipitation

Nanoparticles hinder WC dissolution in liquid Co and redeposition, reducing Ostwald ripening (“large grains consuming small ones”).

Applicable grain growth Inhibitors: VC (strongest pinning), Cr?C? (moderate), TaC/NbC (weaker).

Common Grain Growth Inhibitors and Their Characteristics

Selection and Optimization of grain growth Inhibitors

Ranking of Inhibition Effectiveness

VC > Cr?C? > TaC ≈ NbC

Key Influencing Factors

Sintering Temperature and Time:

High temperatures or prolonged sintering may weaken inhibitor effectiveness (e.g., VC particle coarsening).

Co Content

Alloys with higher Co require greater grain growth inhibitor content (due to enhanced WC dissolution in liquid Co).

Carbon Balance

Inhibitors may consume free carbon, necessitating carbon potential adjustment to avoid η-phase formation (e.g., Co?W?C).

Detailed Industrial Application Cases of Cemented karbit Grain Growth Inhibitors

Grain growth inhibitors (e.g., VC, Cr?C?, TaC) are widely used in the cemented carbide industry, primarily in cutting tools, mining tools, and wear-resistant components. The selection of different inhibitors directly affects the alloy’s hardness, toughness, wear resistance, and high-temperature stability. Below is an in-depth analysis of several typical application cases.

Ultra-Fine Grain Cemented Carbide Cutting Tools (VC + Cr?C? Composite Inhibition)

Application Background

Requirement: High-speed cutting and precision machining (e.g., automotive engine blocks, aerospace titanium alloys) demand tools with both high hardness (>90 HRA) and chipping resistance.

Issue

Conventional WC-Co alloys have coarse grains (1–3 μm), exhibiting high hardness but low toughness, leading to edge chipping.

Solution

Ultra-fine grain cemented carbide (grain size 0.2–0.5 μm) achieved through VC (0.3–0.5 wt%) + Cr?C? (0.5–1.0 wt%) composite addition.

Inhibition Mechanism

VC: Nano-sized (V,W)C particles pin WC grain boundaries (Zener pinning), suppressing grain coalescence.

Cr?C?: Cr dissolves into the Co phase, reducing WC dissolution rate (solute drag) while enhancing oxidation resistance.

Representative Products

Sandvik GC4325: For titanium alloy machining, using VC+Cr?C? inhibition (0.3 μm grains).

Kennametal KCS10B: For stainless steel finishing, incorporating nano-VC.

Mining Cemented Carbide Drill Bits (TaC/NbC High-Temperature Inhibition)

Application Background

Requirement: Oil drill bits and tunnel boring machine cutters operate under high temperatures (>800°C) and impact loads, requiring thermal fatigue resistance and wear resistance.

Issue

Conventional WC-Co alloys experience rapid grain growth at high temperatures, reducing strength.

Solution

TaC (1–3 wt%) or NbC (1–2 wt%) addition to leverage their high-temperature stability for grain growth suppression.

Inhibition Mechanism

TaC/NbC: Form (Ta,W)C or (Nb,W)C solid solutions at high temperatures, pinning grain boundaries (Zener effect) and reducing boundary mobility.

Synergy with Co binder: Ta/Nb dissolution into Co increases liquid Co viscosity, slowing WC dissolution-reprecipitation.

Representative Products

Atlas Copco Button Bits: TaC-containing drill bits for granite drilling.

Sumitomo Electric DX Series: Oil drilling alloys with NbC for thermal stability.

Wear-Resistant Sealing Rings (Cr?C? Inhibition + Rare Earth Optimization)

Application Background

Requirement: Mechanical seals and bearing sleeves require high wear resistance + corrosion resistance (e.g., chemical pumps, seawater environments).

Issue

WC-Co suffers from selective corrosion of the Co phase in corrosive media, causing WC grain detachment.

Solution

Cr?C? (1.0–1.5 wt%) + rare earth oxides (Y?O? 0.1–0.3 wt%) composite addition.

Inhibition Mechanism:

Cr?C?: Forms (Cr,W)C particles to refine grains while improving corrosion resistance via Cr dissolution in Co.

Y?O?: Rare earth elements segregate at grain boundaries, purifying interfaces and strengthening boundary cohesion.

Representative Products

Mitsubishi Materials EX Series: Chemical pump seals with Cr?C? + rare earth modification.

Oerlikon Durit CR: Corrosion-resistant alloys with Cr?C?.

PCB Micro-Drills (Ultra-Fine VC + Sintering Process Optimization)

Application Background

Requirement: PCB micro-drills (diameter 0.1–0.3 mm) demand ultra-high precision (roundness <1 μm) and fatigue resistance.

Issue

Grain coarsening causes drill edge blunting and fracture during drilling.

Solution

Ultra-fine VC (0.2–0.4 wt%) + low-temperature sintering (1350°C, vs. conventional 1450°C).

Inhibition Mechanism

Nano-VC: Prepared via high-energy ball milling (<50 nm particles) for enhanced pinning.

Low-temperature sintering: Reduces Ostwald ripening time, preserving inhibitor efficacy.

Representative Products

Toshiba Tungaloy DLC-Coated Micro-Drills: Nano-VC inhibition technology.

TaeguTec PCB Drill: Optimized for high-layer PCBs.

??züm

Grain growth inhibitors in cemented carbides control grain size through solute drag and second-phase pinning mechanisms. Their selection must be optimized based on material composition, sintering processes, and performance requirements. Future trends favor nano-composite inhibitors and multi-component synergistic regulation to further enhance comprehensive material properties.

?u anda ?in'de at?k ?imentolu karbürün geri d?nü?ümü ve yenilenmesinde en aktif olan b?lgeler aras?nda Shandong Eyaletindeki Jinan ?ehri, Hebei Eyaletindeki Qinghe ?l?esi, Heilongjiang Eyaletindeki Mudanjiang ?ehri ve Zhuzhou Hunan Eyaletindeki ?ehir ve Changsha ?ehri.

At?k Karbür Geri D?nü?ümünün Ekonomik Faydalar?

Tungsten, ?imentolu karbürün ana bile?enidir ve üretimindeki toplam tungsten kullan?m?n?n yakla??k 50%'sini olu?tururken, ?in'in pay? yakla??k 40%'dir. ?lgili veriler, ?e?itli ülkelerde ?imentolu karbür talebinin bu yüzy?l?n sonundan gelecek yüzy?l?n ba??na kadar ?nemli ?l?üde artaca??n? g?stermektedir. 2000 y?l?na kadar talebin 40.000 tona, yani mevcut üretimin yakla??k 1,5 kat?na ula?abilece?i tahmin edilmektedir. Ancak, tungsten nadir bir elementtir ve kabukta yaln?zca 1×10?% bollu?u vard?r ve ?u anda i?letilebilen tungsten yaln?zca 50 y?l i?in yeterlidir.

?in, ?nemli bir tungsten üreticisi olmas?na ra?men, hem rezervleri hem de geri kazan?labilir miktarlar? azalan bir e?ilim g?stermektedir. Bu nedenle, tungsten kaynaklar?n?n rasyonel kullan?m? ve geri d?nü?ümü, ciddi ?ekilde incelenmesi gereken acil bir konu olarak gündemimize al?nmal?d?r. ?in'in at?k ala??m geri d?nü?üm oran?n?n 10%'den 20%'ye yükseldi?i varsay?ld???nda, bu, y?ll?k birka? yüz ton tungsten üretimi art??? anlam?na gelecektir. Bu, 220.000 ton ham cevherin (0,5% WO? dereceli) tungsten i?eri?ine e?de?er, birka? bin ton tungsten konsantresinin (65% WO? i?eren) hammadde olarak sa?lanmas?n? gerektirecektir. Bu nedenle, ?imentolu karbürün gü?lü bir ?ekilde geri d?nü?türülmesi, mevcut tungsten kaynaklar?n?n rasyonel kullan?m? ve korunmas? i?in büyük ?nem ta??maktad?r.

?imentolu karbürün bir di?er ?nemli bile?eni kobaltt?r. ?in'de kobalt kaynaklar?n?n yetersizli?i nedeniyle, üretim ihtiya?lar?n? kar??lamak i?in her y?l büyük miktarda kobalt ithal edilmesi gerekir. Mevcut seviyede, ?in'de her y?l birka? yüz ton ?imentolu karbürün geri d?nü?türülmesi, onlarca ton kobalt?n geri kazan?lmas?n? sa?layabilir ve b?ylece ülkemiz i?in ?nemli miktarda d?viz tasarrufu sa?lanabilir.

At?k Karbür Geri D?nü?ümünün ??leme Teknikleri

?u anda at?k ?imentolu karbürün geri d?nü?ümü i?in kullan?lan yakla??k 30 farkl? i?leme tekni?i oldu?u bildirilmektedir. A?a??da üretimde en yayg?n kullan?lan ve etkili tekniklerden birka??na dair k?sa bir giri? bulunmaktad?r.

Nitrat Füzyon Y?ntemi

Bu y?ntem, at?k ?imentolu karbürün nitratla birlikte 900°C ila 1200°C aras?ndaki s?cakl?klarda eritilmesini i?erir ve bunun sonucunda ??zünür sodyum tungstat olu?ur. Reaksiyon denklemi a?a??daki gibidir:

Bu a?amada so?utulan eriyik ezilir ve daha sonra suyla y?kanarak sodyum tungstat ??zeltisi ve kobalt kal?nt?s? elde edilir ve bunlar daha sonra normal prosedürlerle i?lenir.

Bu y?ntemin avantajlar? ve dezavantajlar? ?unlard?r: büyük i?leme kapasitesine ve geni? uygulama alan?na sahiptir, ancak dü?ük geri kazan?m oranlar?, yüksek maliyet, k?tü ?al??ma ko?ullar? ve ?nemli kirlilik sorunlar? ya?amaktad?r.

Yüksek S?cakl?k Oksidasyon Y?ntemi

Bu y?ntem, ?imentolu karbürün 700–950°C s?cakl?k aral???na yerle?tirilerek havada veya oksijende oksitlenmesi anlam?na gelir. Bu i?lem s?ras?nda oksijen, ala??mla a?a??daki kimyasal reaksiyon yoluyla reaksiyona girer:

Oksitlenmi? ürün, yüksek bas?n?l? bir li? cihaz?nda sodyum hidroksit veya sodyum hidroksit ve sodyum karbonat kar???m? ile i?lendi?inde sodyum tungstat ??zeltisi veren k?r?lgan bir maddedir. Kal?nt?da kalan kobalt, geleneksel i?lemlere g?re ayr?l?r.

Fosforik asit li? y?ntemi

At?k karbürü fosforik asit ??zeltisine dald?r?n ve 50-60°C s?cakl?kta süzün. Fosforik asit, karbürdeki kobaltla reaksiyona girerek ??zeltiye giren ve tungsten karbürden ayr?lan kobalt fosfat olu?turur. Avantajlar? ve dezavantajlar? ?unlard?r: fosforik asit zay?f bir asit oldu?undan, ekipman korozyonu sorunu kolayca ??zülür ve bu da onu ?e?itli at?k karbürlerin i?lenmesi i?in uygun hale getirir. Ancak, geri kazan?lan tungsten karbürün oksijen i?eri?i yüksektir ve sonraki i?lem ak??? uzundur.

?inko eritme y?ntemi

At?k karbürleri 900°C'ye yak?n bir s?cakl?kta ?inko ile reaksiyona sokun. Ala??mdaki kobalt, dü?ük erime noktal? bir ?inko-kobalt ala??m? olu?turur ve at?k ala??mdaki tungsten karbürün kobalt?n ba?lay?c? etkisini kaybetmesine ve gev?emesine neden olur. Daha sonra, metal ?inkoyu buharla?t?rmak ve geri kazanmak i?in vakum dam?tma kullan?l?r.

?inko eritme i?leminden sonra at?k karbür, ?ok katmanl? ve birbirine ge?en bir desende düzenlenmi? tungsten karbür ve kobalt katmanlar?ndan olu?ur. Ezildikten sonra geri d?nü?türülmü? bir karbür kar???m? haline gelen gev?ek bir d?kme malzemedir.

?inko eritme y?nteminin avantajlar? ve dezavantajlar? ?unlard?r: süre? ve ekipman nispeten basittir, ger?ek geri kazan?m oran? yüksektir, üretim süreci daha az kirlili?e neden olur ve geri kazan?lan kar???m do?rudan tungsten ürünlerinin üretimi i?in kullan?labilir. Ancak bu y?ntem ?ok fazla enerji tüketir, 1 ton at?k karbürü i?lemek i?in 4000-10000 derece elektrik tüketimi vard?r ve geri kazan?lan malzeme ürün kalitesi üzerinde belirli bir etkiye sahip olan az miktarda ?inko i?erir.

Sodyum sülfat füzyon y?ntemi

Bu y?ntem, at?k karbürlerin 900-1000°C s?cakl?kta sodyum sülfatla reaksiyona sokularak erimi? bir tungstik asit olu?turulmas?n? i?erir. So?utulduktan sonra, sodyum tungstat ??zeltisi ve kobalt cürufu elde etmek i?in s?cak suyla y?kan?r. Reaksiyon denklemi a?a??daki gibidir: (Belirli reaksiyon denklemi orijinal metinde verilmemi?tir, bu nedenle burada ?evrilemez.)

Avantajlar? ve dezavantajlar? ?unlard?r: geni? adaptasyon kabiliyeti ve büyük üretim kapasitesi. Dezavantaj? ise üretim sürecinde kükürt dioksit gaz?n?n yay?lmas?d?r.

At?k karbürün geri d?nü?ümünün elektroliz füzyon y?ntemi

Bu y?ntem at?k karbürü anot olarak bir elektrolitik hücreye, katot olarak nikel plakaya ve elektrolit olarak seyreltik hidroklorik aside yerle?tirmeyi i?erir. Elektrolizden sonra karbürdeki kobalt COCl? formunda ??zeltiye girer. Y?kanm?? ve ??ütülmü? WC do?rudan ala??m üretmek i?in kullan?labilir. Bu y?ntem saf ürünler verir, olduk?a verimlidir, basit ekipmanlara sahiptir ve kullan?m? kolayd?r. ?zellikle yüksek kobalt i?eri?iyle i?leme i?in uygundur ve tan?t?m ve uygulama i?in yüksek de?ere sahiptir.

So?uk gevrekle?tirme y?ntemi

So?uk gevrekle?tirme y?ntemi, at?k karbürün kaba bir ?ekilde ezilerek i?indeki safs?zl?klar?n giderilmesi ve daha sonra yüksek h?zl? bir hava ak?m? kullan?larak kaba bir ?ekilde ezilmi? karbürün karbür küre?i ile donat?lm?? bir vakum odas?na enjekte edilmesi ve ard?ndan bir kar???m elde etmek i?in daha fazla ezilme i?leminin yap?lmas?n? i?erir.

Bu y?ntemin i?leme ve ar?tma olanaklar? geni? olup, üretim süreci ?evre kirlili?ine yol a?maz, ancak ekipman maliyeti nispeten yüksektir.

Raporlara g?re, ?inko ??zünme y?ntemi ?u anda ?in'de at?k karbürlerin geri d?nü?ümü i?in yayg?n olarak kullan?l?yor. Yurt d???nda, en ekonomik y?ntem ?inko ??zünme y?ntemi ile so?uk gevrekle?tirme y?nteminin bir kombinasyonu olarak kabul ediliyor. ?zetle, at?k karbürlerin geri d?nü?ümü ve i?lenmesi i?in her biri kendi art?lar? ve eksileri olan bir?ok y?ntem bulunmaktad?r. Uygulamada bir y?ntem se?erken, üretim uygulamas? i?in geli?mi?, makul ve ekonomik olarak ?nemli bir süre? se?mek i?in at?k karbür türüne, üretim ?l?e?inin büyüklü?üne, ekipman kapasitesine, teknik seviyeye ve ham ve yard?mc? malzemelerin kayna??na dayal? kapsaml? bir analiz ve kar??la?t?rma yap?lmal?d?r.

At?k Karbürlerin Geri D?nü?ümü ??in ?e?itli ??lem Y?ntemlerinin Teknik ve Ekonomik ?n De?erlendirmesi

Daha ?nce de belirtildi?i gibi, ?inko füzyon y?ntemi, elektroliz ??zünme y?ntemi ve mekanik k?rma y?ntemi, at?k karbürlerin geri d?nü?ümü ve yenilenmesi i?in ana endüstriyel y?ntemler haline gelmi?tir. Geri d?nü?türülmü? ve yenilenmi? tozlar, geleneksel i?lemlerle karbür üretmek i?in kullan?labilir; bu da ?üphesiz tungsten ve kobalt gibi demir d??? metal kaynaklar?n?n tam kullan?m?n? te?vik eder, enerji tasarrufu sa?lar, üretim maliyetlerini dü?ürür, kü?ük ve orta ?l?ekli i?letmelerin geli?imini te?vik eder ve i?sizlere istihdam sa?lar. Bunlar aras?nda, elektroliz ??zünme y?ntemiyle üretilen toz, dü?ük safs?zl?k i?eri?i, dü?ük enerji tüketimi, orta düzeyde i?leme maliyetleri ve iyi ekonomik faydalar (WC tozunun sat?? fiyat? geleneksel ürünün yaln?zca 60% ila 70%'sidir) ile kalite a??s?ndan ?zellikle iyidir. ülkemizin bir?ok b?lgesinde yo?un bir ?ekilde geli?tirilen ana y?ntemlerden biridir.

?zet

At?k karbürlerin geri d?nü?türülmesi ve yenilenmesinin karbürler alan?nda yeni bir giri?im ve ortaya ??kan bir endüstriyel sekt?r oldu?u ve onaylanmas? ve desteklenmesi gerekti?i belirtilmelidir. Ayn? zamanda, ürün kalitesi geri d?nü?üm ve at?k karbürlerin de?erlendirilmesi i?inde, ?zellikle de ?o?u i?letme hala nispeten dü?ük seviyede manuel at?lye üretimi yapt??? i?in. Bir?ok i?letme genellikle sadece ekonomik faydalara odaklan?rken geri d?nü?üm sürecinin ve toz kalitesinin kontrolünü ve testini ihmal eder, bu da yanl??t?r. Gelecekte, bu tür üretim yapan i?letmeler geri d?nü?üm sürecini ve ürün kalitesini sürekli olarak iyile?tirmeli ve geli?tirmeli, “ürün kalitesi i?letmenin hayat?d?r” ?neminin fark?ndal???n? gü?lendirmeli ve dikkatsiz olmamal?d?r. Aksi takdirde, uzun süre ?iddetli pazar rekabetinde sa?lam bir yer edinmek, geli?meye ve büyümeye devam etmek bir yana, zor olacakt?r.

1.Kriyojenik Ar?tma Sürecinin Geli?tirilmesi

Kriyojenik i?lem genellikle i? par?as?n? – 190 ° C'nin alt?na so?utabilen s?v? nitrojen so?utmay? kullan?r. ??lenen malzemenin mikro yap?s? dü?ük s?cakl?kta de?i?ir ve baz? ?zellikler iyile?ir. Kriyojenik ar?tma ilk olarak 1939 y?l?nda eski Sovyetler Birli?i taraf?ndan ?nerildi. Amerika Birle?ik Devletleri'nin kriyojenik ar?tma teknolojisini sanayiye uygulamas? ve esas olarak havac?l?k alan?nda kullanmaya ba?lamas? 1960'l? y?llara kadar ger?ekle?medi. 1970'li y?llarda makine imalat? alan?na da geni?ledi.

Farkl? so?utma y?ntemlerine g?re s?v? y?ntemi ve gaz y?ntemine ayr?labilir. S?v? y?ntemi, i? par?as?n?n s?v? nitrojen s?cakl???na so?utulmas? i?in malzemenin veya i? par?as?n?n do?rudan s?v? nitrojene dald?r?lmas? ve i? par?as?n?n belirli bir süre bu s?cakl?kta tutulmas?, ard?ndan d??ar? al?nmas? ve belirli bir s?cakl??a ?s?t?lmas? anlam?na gelir. . ?? par?as? üzerinde büyük bir termal etkiye sahip olan ve genellikle i? par?as?na zarar vermesinin muhtemel oldu?una inan?lan bu ?ekilde s?cakl?k art?? ve dü?ü? h?z?n? kontrol etmek zordur. S?v? nitrojen tank? gibi kriyojenik ekipman nispeten basittir.

2. Kriyojenik ar?tman?n gaz y?ntemi

Gaz prensibi, s?v? nitrojenin gazla?t?rma gizli ?s?s? (yakla??k 199.54kJ/kg) ve dü?ük s?cakl?ktaki nitrojenin ?s? emilimi ile so?utmakt?r. Gaz y?ntemi, kriyojenik s?cakl???n – 190 ° C'ye ula?mas?n? sa?layabilir, b?ylece kriyojenik nitrojen malzemelerle temas edebilir. Konveksiyonlu ?s? de?i?imi yoluyla nitrojen, nozuldan at?ld?ktan sonra kriyojenik kutuda buharla?t?r?labilir. ?? par?as?, gazla?t?rman?n gizli ?s?s? ve kriyojenik nitrojenin ?s? emilimi ile so?utulabilir. So?utma h?z?n? kontrol etmek i?in s?v? nitrojen giri?ini kontrol ederek, kriyojenik i?lem s?cakl??? otomatik olarak ayarlanabilir ve do?ru bir ?ekilde kontrol edilebilir ve termal ?ok etkisi kü?üktür, dolay?s?yla ?atlama olas?l??? da dü?üktür.

?u anda, gaz y?ntemi, uygulamas?nda ara?t?rmac?lar taraf?ndan geni? ?apta tan?nmaktad?r ve so?utma ekipman?, esas olarak kontrol edilebilir s?cakl??a sahip programlanabilir bir kriyojenik kutudur. Kriyojenik i?lem, ?nemli ekonomik faydalar ve pazar beklentileri ile demirli metallerin, demir d??? metallerin, metal ala??mlar?n?n ve di?er malzemelerin hizmet ?mrünü, a??nma direncini ve boyutsal kararl?l???n? ?nemli ?l?üde iyile?tirebilir.

?imentolu karbürün kriyojenik teknolojisi ilk olarak 1980'lerde ve 1990'larda rapor edildi. Mekanik teknoloji 1981 y?l?nda Japonya ve Modern Makine At?lyesi 1992'de Amerika Birle?ik Devletleri'nde, kriyojenik i?lemden sonra ?imentolu karbürlerin performans?n?n ?nemli ?l?üde artt???n? bildirdi. 1970'lerden bu yana, yurtd???nda kriyojenik tedavi üzerine yap?lan ara?t?rmalar verimli olmu?tur. Eski Sovyetler Birli?i, Amerika Birle?ik Devletleri, Japonya ve di?er ülkeler, aletlerin ve kal?plar?n hizmet ?mrünü, i? par?alar?n?n a??nma direncini ve boyutsal kararl?l??? iyile?tirmek i?in kriyojenik i?lemi ba?ar?yla kullanm??t?r.

3. Kriyojenik ar?tman?n gü?lendirme mekanizmas?

Metal faz takviyesi.

Semente karbürlerdeki Co, fcc kristal yap?s?na α Faz?na (fcc) ve yak?n paketlenmi? alt?gen kristal yap?ya ε Faz?na (hcp) sahiptir. ε- Co oran? α- Co, kü?ük sürtünme katsay?s?na ve gü?lü a??nma direncine sahiptir. 417 ℃'nin üzerinde α Faz?n serbest enerjisi dü?üktür, dolay?s?yla Co α Faz formu mevcuttur. 417 ℃'nin alt?nda ε Faz?n dü?ük serbest enerjisi, yüksek s?cakl?kta kararl? faz α Faz?n dü?ük serbest enerjiye ge?i?i ε Faz. Ancak, WC partikülleri ve α nedeniyle Fazda kat? ??zelti heteroatomlar?n?n varl???, faz ge?i?i üzerinde daha büyük bir k?s?tlamaya sahiptir, bu da α → ε yapar. ε a?amas?na ge?er. Kriyojenik i?lem büyük ?l?üde artt?r?labilir α Ve ε ?ki fazl? serbest enerji fark?, b?ylece faz de?i?iminin itici gücü artar ε Faz de?i?im de?i?keni. Kriyojenik i?lemden sonra semente karbür i?in, Co matrisindeki sert faz? art?rabilen, dislokasyon hareketini engelleyebilen ve ikinci faz?n gü?lendirilmesinde rol oynayabilen, ??zünürlü?ün azalmas? nedeniyle Co'da ??zünen baz? atomlar bile?ik ?eklinde ??ker. par?ac?klar.

Yüzey art?k gerilmesinin gü?lendirilmesi.

Kriyojenik i?lemden sonraki ?al??ma, yüzey art?k bas?n? stresinin artt???n? g?stermektedir. Bir?ok ara?t?rmac?, yüzey tabakas?ndaki belirli bir art?k bas?n? gerilmesinin hizmet ?mrünü büyük ?l?üde art?rabilece?ine inanmaktad?r. Sinterlemeden sonra sinterlenmi? karbürün so?utma i?lemi s?ras?nda, ba?lanma faz? Co ?ekme gerilimine, WC par?ac?klar? ise bas?n? gerilimine maruz kal?r. ?ekme geriliminin Co'ya büyük zarar? vard?r. Bu nedenle, baz? ara?t?rmac?lar derin so?utman?n neden oldu?u yüzey bas?n? stresindeki art???n, sinterleme sonras? so?utma i?lemi s?ras?nda ba?lama faz? taraf?ndan üretilen ?ekme gerilimini yava?latt???na veya k?smen dengeledi?ine, hatta onu ayarlad???na inanmaktad?r. bas?n? stresi, mikro ?atlaklar?n olu?umunu azalt?r.

Di?er gü?lendirme mekanizmalar?

η Faz par?ac?klar?n?n WC par?ac?klar? ile birlikte matrisi daha kompakt ve sa?lam hale getirdi?ine ve η nedeniyle faz?n olu?umunun matristeki Co'yu tüketti?ine inan?lmaktad?r. Ba?lanma faz?ndaki Co i?eri?inin azalmas?, malzemenin genel termal iletkenli?ini artt?r?r ve karbür partikül boyutunun ve kom?ulu?un artmas? da matrisin termal iletkenli?ini artt?r?r. Termal iletkenli?in artmas? nedeniyle, tak?m ve kal?p u?lar?n?n ?s? da??l?m? daha h?zl?d?r; Tak?mlar?n ve kal?plar?n a??nma direnci ve yüksek s?cakl?k sertli?i iyile?tirilir. Di?erleri, kriyojenik i?lemden sonra, Co'nun büzülmesi ve yo?unla?mas? nedeniyle, Co'nun WC par?ac?klar?n? tutmadaki kesin rolünün gü?lendi?ine inanmaktad?r. Fizik?iler, derin so?utman?n metallerin atomlar?n?n ve moleküllerinin yap?s?n? de?i?tirdi?ine inan?rlar.

4.Kriyojenik Tedavi ile YG20 So?uk Ba?l?k Kal?b? ?rne?i

YG20 so?uk iskele kal?p kriyojenik ar?tman?n ?al??ma ad?mlar?:

(1) Sinterlenmi? so?uk ba?l?k kal?b?n? kriyojenik ar?tma f?r?n?na koyun;

(2) Kriyojenik temperleme entegre f?r?n?n? ?al??t?r?n, s?v? nitrojeni a??n, belirli bir oranda – 60 ° C'ye dü?ürün ve s?cakl??? 1 saat boyunca koruyun;

(3) Belirli bir oranda -120 °C'ye dü?ürün ve s?cakl??? 2 saat boyunca koruyun;

(4) Belirli bir so?utma h?z?nda s?cakl??? -190 °C'ye dü?ürün ve s?cakl??? 4-8 saat koruyun;

(5) Is? korumas?ndan sonra, s?cakl?k 4 saat boyunca 0,5 ℃/dk'ya g?re 180 ℃'ye yükseltilecektir.

(6) Program ekipman? tamamland?ktan sonra, otomatik olarak kapat?lacak ve do?al olarak oda s?cakl???na so?utulacakt?r.

Sonu?: YG20 so?uk ?i?irme kal?b?, kriyojenik i?lem olmadan ve kriyojenik i?lemden sonra so?uk ba?l? Φ 3.8 Karbon ?elik vidal? ?ubuk, sonu?lar, kriyojenik i?lemden sonra kal?b?n hizmet ?mrünün, kriyojenik i?lem yap?lmayan kal?ba g?re 15%'den daha uzun oldu?unu g?stermektedir. .

Kriyojenik i?lemden ?ncekine k?yasla, kriyojenik i?lemden sonra YG20'de yüz merkezli kübik kobalt?n (fcc) ?nemli ?l?üde azald??? g?rülebilir, ε- Co (hcp)'deki belirgin art?? ayn? zamanda a??nma direncinin ve ?imentolu karbürlerin kapsaml? ?zellikleri.

5. Kriyojenik ar?tma sürecinin s?n?rlamalar?

Amerika Birle?ik Devletleri'ndeki bir alet ve kal?p ?irketinin pratik uygulama sonu?lar?, i?lemden sonra semente karbür u?lar?n hizmet ?mrünün 2~8 kat artt???n?, i?lemden sonra sinterlenmi? karbür tel ?ekme kal?plar?n?n pansuman d?ngüsünün birka? hafta uzat?ld???n? g?stermektedir. birka? aya kadar. 1990'larda, semente karbürün kriyojenik teknolojisi üzerine yerli ara?t?rmalar yap?ld? ve baz? ara?t?rma sonu?lar?na ula??ld?.

Genel olarak, semente karbürün kriyojenik ar?tma teknolojisi üzerine ara?t?rmalar daha az geli?mi?tir ve ?u anda sistematik de?ildir ve elde edilen sonu?lar da tutars?zd?r, bu da ara?t?rmac?lar taraf?ndan daha derinlemesine ara?t?r?lmas?n? gerektirir. Mevcut ara?t?rma verilerine g?re, kriyojenik i?lem esas olarak semente karbürün a??nma direncini ve hizmet ?mrünü iyile?tirir, ancak fiziksel ?zellikler üzerinde belirgin bir etkisi yoktur.

Kenar yar??ap? i?leme, CNC tak?mlar?n?n ince ta?lanmas?ndan sonra ve kaplamadan ?nce vazge?ilmez bir i?lemdir. Ama?, kesici kenar? pürüzsüz ve pürüzsüz hale getirmek ve tak?m ?mrünü uzatmakt?r. Meetyou taraf?ndan tan?t?lan CNC tak?mlar?n?n kenar yar??ap? i?leme y?ntemi 9'dur. Hadi bunlar? tan?yal?m.

??leme merkezinde kesici tak?mlar?n kenar radyus i?lemi, kesici tak?mlar?n tesviye edilmesi, parlat?lmas? ve ?apaklar?n?n al?nmas? i?lemlerini ifade eder; kenar pasivasyonu, tala? kald?rma oluk parlatma ve kaplama parlatma i?lemlerini kapsar.

1. Aletin fiziksel a??nmas?na kar?? diren?

Kesme i?leminde, tak?m yüzeyi i? par?as? taraf?ndan kademeli olarak tüketilecek ve kesici kenar yüksek s?cakl?k ve yüksek bas?n? alt?nda plastik deformasyona e?ilimlidir. Tak?mlar?n pasifle?tirme i?lemi, tak?mlar?n sertli?ini iyile?tirmeye ve tak?mlar?n kesme performans?n?n erken kayb?n? ?nlemeye yard?mc? olabilir.

2. ?? par?as?n?n pürüzsüzlü?ünü koruyun

Aletin kesici kenar?ndaki ?apaklar aletin a??nmas?na neden olur ve i?lenmi? i? par?as?n?n yüzeyi pürüzlü hale gelir. Pasivasyon i?leminden sonra aletin kesici kenar? ?ok pürüzsüz hale gelir, kenar ??kmesi olay? buna g?re azal?r ve i? par?as?n?n yüzey kalitesi de iyile?ir.

3. Kolay oluk tala?? ??karma

Tak?m olu?unun cilalanmas?, yüzey kalitesini ve tala? kald?rma performans?n? iyile?tirebilir. Oluk yüzeyi ne kadar pürüzsüzse, tala? kald?rma o kadar iyi olur ve daha tutarl? bir kesim elde edilebilir.

Pasivasyon ve cilalamadan sonra, CNC tak?m tezgahlar?n?n tak?mlar? yüzeyde bir?ok kü?ük delik b?rakacakt?r. Bu delikler i?leme s?ras?nda daha fazla kesme s?v?s? emebilir, bu da kesme s?ras?nda olu?an ?s?y? büyük ?l?üde azaltacak ve kesme h?z?n? büyük ?l?üde art?racakt?r.

9 ?e?it kenar yar??ap? i?leme y?ntemi

Ta?lama tekerle?i kenar yar??ap? y?ntemi

Bu, en eski ve en yayg?n kullan?lan pasifle?tirme teknolojisidir.

Naylon f?r?a kenar? yar??ap? y?ntemi

Naylon malzemeden yap?lm?? f?r?a tekerle?i veya f?r?a diski üzerine a??nd?r?c? ortam? ince par?ac?klarla kaplamak ve f?r?an?n yüksek h?zl? d?nü?ü ile kesiciyi hareket ettirmek yayg?n bir y?ntemdir.

Kumlama y?ntemi

kuru kum püskürtme ve ?slak kum püskürtme olarak ikiye ayr?l?r. Ayr?ca kenar yar??ap? i?leme i?in yayg?n bir y?ntemdir. Naylon f?r?a y?ntemiyle kar??la?t?r?ld???nda, bu i?lem kenarlar?n daha yüksek tutarl?l???n? sa?lar.

Kenar yar??ap? i?lemede kar??t?rma y?ntemi

Bu y?ntem, tüm aleti i?lemden ?nce a??nd?r?c? kovaya koymak ve lazer sens?rü arac?l???yla aletin derinli?ini konumland?rarak i?lem kalitesini garantilemektir. Bu i?lemin b??ak tutarl?l??? da naylon f?r?a y?nteminden daha yüksektir.

Elektrokimyasal mekanik kenar yar??ap? i?leme

Bu, elektrokimyasal i?leme ve mekanik ta?lamay? birle?tiren bir kompozit i?lemdir. ?lk olarak, elektrolitik ?apak alma ve ard?ndan oksit filmini ??karmak i?in mekanik ta?lama.

Lazer y?ntemi: Lazer kaplama teknolojisi temelinde geli?tirilen bir pasifle?tirme teknolojisidir. Lazerle b??ak yüzeyinde yüksek ?s? üretebilir, baz? malzemeleri eritebilir ve b??a?? pasifle?tirme etkisi elde edebilir.

Titre?imli kenar yar??ap? i?leme y?ntemi

 ana i?leme cihaz? bir titre?im masas? ve bir ?al??ma masas? i?erir. B??ak, titre?im g?vdesine ba?l? bir kab?n i?ine yerle?tirilir. Kap, a??nd?r?c? par?ac?klarla doldurulur. A??nd?r?c? par?ac?klar ve b??ak, kenar pasifle?tirmesi elde etmek i?in ?arp??ma yoluyla kesme kenar?ndaki iz malzemelerini ??karmak i?in tekrar tekrar ?arp???r.

Manyetik a??nd?r?c? y?ntem

Bu, i? par?as?n?n silindirik yüzeyinin eksenine dik y?nde manyetik alan uygulayan ve manyetik alan S ve N kutuplar? aras?na manyetik a??nd?r?c? ekleyen bir kenar yar??ap? i?leme y?ntemidir. Manyetik a??nd?r?c?, manyetik kutup ve i? par?as? yüzeyine emilecek ve manyetik kuvvet ?izgisinin y?nü boyunca esnek bir "a??nd?r?c? f?r?a" ?eklinde düzenlenecektir. Kesici, i? par?as? yüzeyindeki metali ve ?apaklar? gidermek i?in ayn? anda eksenel olarak d?ner ve titre?ir.

Mikro a??nd?r?c? su jeti teknolojisi: Bas?n?land?r?c? ve nozul ?ap?n?n kontrolü yoluyla s?v?-kat? yüksek enerjili bir jet olu?turan ve i? par?as?na yüksek h?zl? ve tekrarlanan ?arp??ma ile pasifle?tirme i?lemini ger?ekle?tiren yeni ve ?evre dostu bir i?leme teknolojisidir.

Da?lama, nesnelerin yüzeyini i?lemek i?in kimyasal gü?lü asit korozyonu, mekanik cilalama veya elektrokimyasal elektroliz kullanan bir teknolojidir. Esteti?i geli?tirmenin yan? s?ra nesnelerin katma de?erini de artt?r?r. Geleneksel metal i?lemeden yüksek teknolojili yar? iletken üretimine kadar hepsi da?lama teknolojisinin uygulama kapsam? i?indedir.

Metal a??nd?rma, metal malzemeleri kimyasal reaksiyon veya fiziksel etki yoluyla uzakla?t?rmak i?in kullan?lan bir teknolojidir. Metal da?lama teknolojisi, ?slak da?lama ve kuru da?lama olarak ikiye ayr?labilir. Metal a??nd?rma, bir dizi kimyasal i?lemden olu?ur. Farkl? a??nd?r?c?lar, farkl? metal malzemeler i?in farkl? korozyon ?zelliklerine ve mukavemetine sahiptir.

Fotokimyasal a??nd?rma olarak da bilinen metal a??nd?rma, metal a??nd?rma i?leminde maruz kalma, plaka yapma, geli?tirme ve kimyasal ??zelti ile temastan sonra metal a??nd?rma alan?n?n koruyucu filminin ??kar?lmas?n? ifade eder. tümsekler veya oyuklar. ?lk olarak bak?r levha ve ?inko levha gibi bask?l? i?bükey d??bükey levhalar üretmek i?in kullan?ld?. G?sterge panelinin a??rl???n? azaltmak veya isim levhas? gibi ince i? par?alar?n? i?lemek i?in yayg?n olarak kullan?l?r. Teknoloji ve proses ekipman?n?n sürekli iyile?tirilmesi sayesinde, elektronik ince par?alar?n hassas metal a??nd?rma ürünlerinin i?lenmesi i?in havac?l?k, makine, kimya endüstrisi ve yar? iletken üretim süre?lerine da?lama teknolojisi uygulanm??t?r.

da?lama teknolojisi türleri

Islak da?lama:

Islak a??nd?rma, gofreti uygun bir kimyasal ??zeltiye dald?rmak veya s?ndürme i?in kimyasal ??zeltiyi gofretin üzerine püskürtmek ve elde etmek i?in ??zelti ile a??nm?? nesne aras?ndaki kimyasal reaksiyon yoluyla filmin yüzeyindeki atomlar? ??karmakt?r. da?laman?n amac? Islak da?lama s?ras?nda, ??zeltideki reaktanlar ?nce durgun s?n?r tabakas?ndan yay?l?r ve daha sonra kimyasal reaksiyonlar yoluyla ?e?itli ürünler üretmek i?in gofret yüzeyine ula??r. A??nd?rma kimyasal reaksiyonunun ürünleri, daha sonra s?n?r tabakadan yay?lan ve ana ??zeltide ??zünen s?v? veya gaz faz?ndaki ürünlerdir. Islak da?lama sadece dikey y?nde de?il, ayn? zamanda yatay da?lama etkisine de sahip olacakt?r.

Kuru a??nd?rma:

Kuru a??nd?rma genellikle plazma a??nd?rma veya kimyasal a??nd?rma i?lemlerinden biridir. Farkl? a??nd?rma etkilerinden dolay?, plazmadaki iyonlar?n fiziksel atomlar?, aktif serbest radikallerin kimyasal reaksiyonu ve cihazlar?n (wafers) yüzey atomlar? veya ikisinin kombinasyonu a?a??daki i?erikleri i?erir:

fiziksel da?lama: püskürtme da?lama, iyon ???n? da?lama

kimyasal a??nd?rma: plazma a??nd?rma

fizikokimyasal kompozit a??nd?rma: reaktif iyon a??nd?rma (RIE)

Kuru da?lama, iyi y?nlülü?e sahip bir tür anizotropik da?lamad?r, ancak se?icilik ?slak da?lamadan daha k?tüdür. Plazma a??nd?rmada plazma k?smen ayr??m?? bir gazd?r ve gaz molekülleri elektronlara, iyonlara ve yüksek kimyasal aktiviteye sahip di?er maddelere ayr???r. Kuru da?laman?n en büyük avantaj? “anizotropik da?lama”d?r. Ancak kuru da?laman?n se?icili?i ?slak da?lamaya g?re daha dü?üktür. Bunun nedeni, kuru da?laman?n da?lama mekanizmas?n?n fiziksel etkile?im olmas?d?r; Bu nedenle, iyonlar?n etkisi sadece a??nd?rma filmini de?il, ayn? zamanda fotorezist maskesini de kald?rabilir.

da?lama i?lemi

Metalin türüne g?re da?lama i?lemi farkl? olacakt?r, ancak genel da?lama i?lemi a?a??daki gibidir: metal da?lama plakas? → temizleme ve ya?dan ar?nd?rma → suyla y?kama → kurutma → film kaplama veya serigraf bask? mürekkebi → kurutma → pozlama ?izimi → geli?tirme → suyla y?kama ve kurutma → da?lama → film s?y?rma → kurutma → inceleme → bitmi? ürün ambalaj?.

1. Metal a??nd?rma ?ncesi temizleme i?lemi:

Paslanmaz ?elik veya di?er metalleri a??nd?rmadan ?nceki i?lem, esas olarak malzeme yüzeyindeki kir, toz, ya? lekelerini vb. ??karmak i?in kullan?lan temizleme i?lemidir. Temizleme i?lemi, sonraki film veya serigrafi mürekkebinin metal yüzeye iyi yap??mas?n? sa?laman?n anahtar?d?r. Bu nedenle metal a??nd?rma yüzeyindeki ya? lekesi ve oksit filmi tamamen ??kar?lmal?d?r. Ya? alma, i? par?as?n?n ya? lekesine g?re belirlenecektir. Ya? giderme etkisini sa?lamak i?in serigraf bask? mürekkebini elektrikli ya? giderme i?leminden ?nce ya?dan ar?nd?rmak en iyisidir. Oksit filme ek olarak, yüzey temizli?ini sa?lamak i?in metalin cinsine ve film kal?nl???na g?re en iyi a??nd?rma solüsyonu se?ilmelidir. Serigrafiden ?nce kuru olmal?d?r. Nem varsa.

2. Kuru film veya serigraf ????a duyarl? yap??kan tabaka yap??t?r?n:

Ger?ek ürün malzemesine, kal?nl???na ve ?eklin tam geni?li?ine g?re kuru film veya ?slak film serigraf bask? kullan?lmas? belirlenir. Farkl? kal?nl?ktaki ürünler i?in ????a duyarl? katman uygulan?rken ürün grafikleri i?in gerekli olan a??nd?rma i?lem süresi gibi fakt?rler g?z ?nünde bulundurulmal?d?r. ?yi bir kaplama performans? ve metal a??nd?rma ile üretilen yüksek desen tan?ml?, daha kal?n veya daha ince ????a duyarl? yap??kan tabaka olu?turabilir.

3. Kurutma:

Film veya rulo serigrafi mürekkebinin tamamlanmas?ndan sonra, ????a duyarl? yap??kan tabakan?n, pozlama i?lemine haz?rlanmak i?in tamamen kurutulmas? gerekir. Ayn? zamanda yüzeyin temiz ve yap??ma, kirlilik vb. i?ermedi?inden emin olun.

4. Maruz kalma:

Bu i?lem ?nemli bir metal a??nd?rma i?lemidir ve maruz kalma enerjisi, ürün malzemesinin kal?nl???na ve do?rulu?una g?re de?erlendirilecektir. Bu ayn? zamanda gravür i?letmelerinin teknik yetene?inin somutla?m?? halidir. Pozlama süreci, da?laman?n daha iyi boyutsal kontrol do?rulu?u ve di?er gereksinimleri sa?lay?p sa?layamayaca??n? belirler.

5. Geli?tirme:

Metal a??nd?rma plakas?n?n yüzeyindeki ????a duyarl? yap??kan tabaka maruz kald?ktan sonra, desen yap??kan tabaka maruz kald?ktan sonra kürlenir. Daha sonra kal?b?n istenmeyen k?sm? yani korozyona ihtiyac? olan k?s?m ortaya ??kar. Geli?tirme süreci, ürünün son boyutunun gereksinimleri kar??lay?p kar??lamayaca??n? da belirler. Bu i?lem, ürün üzerindeki gereksiz ????a duyarl? yap??kan tabakay? tamamen kald?racakt?r.

6. Da?lama veya da?lama i?lemi:

ürün prefabrikasyon i?lemi tamamland?ktan sonra kimyasal ??zelti da?lanacakt?r. Bu süre?, nihai ürünün nitelikli olup olmad???n? belirler. Bu i?lem, a??nd?rma ??zeltisi konsantrasyonu, s?cakl?k, bas?n?, h?z ve di?er parametreleri i?erir. ürünün kalitesi bu parametrelere g?re belirlenmelidir.

7. Kald?rma:

Da?lanm?? ürünün yüzeyi hala bir ????a duyarl? yap??kan tabakas? ile kaplanm??t?r ve da?lanm?? ürünün yüzeyindeki ????a duyarl? yap??kan tabakan?n ??kar?lmas? gerekmektedir. I???a duyarl? yap??kan tabaka asidik oldu?undan, ?o?unlukla asit-baz n?tralizasyon y?ntemiyle geni?letilir. Ta?ma temizleme ve ultrasonik temizlemeden sonra, ????a duyarl? yap??kan kal?nt?lar?n? ?nlemek i?in yüzeydeki ????a duyarl? yap??kan tabakay? ??kar?n.

8. Testi:

Film ?ekildikten sonra a?a??dakiler test edilir, paketlenir ve nihai ürünün ?zelliklerini kar??lay?p kar??lamad??? onaylan?r.

A??nd?rma i?leminde al?nacak ?nlemler

yan korozyonu ve ??k?nt?l? kenarlar? azalt?n ve metal a??nd?rma i?leme katsay?s?n? iyile?tirin: genel olarak, bas?l? karton metal a??nd?rma ??zümünde ne kadar uzun olursa, yan a??nd?rma o kadar ciddi olur. Alttan kesme, bas?l? telin do?rulu?unu ciddi ?ekilde etkiler ve ciddi alttan kesme, ince tel yapmaz. Alttan kesme ve kenar azald???nda, a??nd?rma katsay?s? artar. Yüksek da?lama katsay?s?, ince ?izginin korunabilece?ini ve kaz?nm?? ?izginin orijinal g?rüntünün boyutuna yak?n oldu?unu g?sterir. Kaplama direnci kalay kur?un ala??m?, kalay, kalay nikel ala??m? veya nikel olsun, a??r? ??k?nt?l? kenar iletkende k?sa devreye yol a?acakt?r. ??k?nt? yapan kenar?n k?r?lmas? kolay oldu?u i?in, iletkenin iki noktas? aras?nda bir elektrik k?prüsü olu?ur.

plakalar aras?ndaki a??nd?rma i?leme h?z?n?n tutarl?l???n? iyile?tirin: sürekli plaka a??nd?rmada, metal a??nd?rma i?leme h?z? ne kadar tutarl? olursa, daha düzgün da?lama plakas? elde edilebilir. ?n da?lama i?leminde en iyi da?lama durumunu sürdürmek i?in, yeniden olu?turmas? ve telafi etmesi kolay ve da?lama oran?n? kontrol etmesi kolay bir da?lama ??zümü se?mek gerekir. Sabit ?al??ma ko?ullar? sa?layabilen ve ?e?itli ??züm parametrelerini otomatik olarak kontrol edebilen teknolojileri ve ekipmanlar? se?in. ??zünen bak?r miktar?, pH de?eri, ??zelti konsantrasyonu, s?cakl?k, ??zelti ak???n?n homojenli?i vb. kontrol edilerek ger?ekle?tirilebilir.

tüm plaka yüzeyinin metal a??nd?rma i?leme h?z?n?n homojenli?ini iyile?tirin: plakan?n üst ve alt taraflar?n?n ve plaka yüzeyinin her bir par?as?n?n da?lama homojenli?i, metal da?lama ??zeltisinin ak?? h?z?n?n tekdüzeli?i ile belirlenir. plaka yüzeyi. Da?lama i?leminde, üst ve alt plakalar?n da?lama oranlar? genellikle tutars?zd?r. Alt plaka yüzeyindeki a??nd?rma oran?, üst plaka yüzeyinden daha yüksektir. üst plakan?n yüzeyinde ??zelti birikmesi nedeniyle a??nd?rma reaksiyonu zay?flar. üst ve alt plakalar?n düzensiz da?lanmas?, üst ve alt memelerin enjeksiyon bas?nc?n? ayarlayarak ??zülebilir. Püskürtme sistemi ve sal?n?ml? nozullar, plakan?n merkezinin ve kenar?n?n püskürtme bas?nc?n? farkl? hale getirerek tüm yüzeyin homojenli?ini daha da iyile?tirebilir.

Da?lama i?leminin avantajlar?

?ünkü metal a??nd?rma i?lemi kimyasal ??zelti ile a??nd?r?l?r.

hammaddelerle yüksek tutarl?l??? koruyun. Malzemenin ?zelliklerini, gerilmesini, sertli?ini, ?ekme mukavemetini, akma mukavemetini ve sünekli?ini de?i?tirmez. Temel i?leme süreci, ekipmanda atomize halde kaz?n?r ve yüzeyde belirgin bir bas?n? yoktur.

?apak yok. ürün i?leme sürecinde, tüm süre?te bask? kuvveti yoktur ve s?kma, ?arpma ve presleme noktalar? olmayacakt?r.

ürünün ki?iselle?tirilmi? kal?plama i?lemini tamamlamak i?in i?lem sonras? damgalama ile i?birli?i yapabilir. As?l? nokta y?ntemi, daha uygun maliyetli olan tam plaka elektrokaplama, yap??t?rma, elektroforez, karartma vb. i?in kullan?labilir.

minyatürle?tirme ve ?e?itlendirme, k?sa d?ngü ve dü?ük maliyetle de ba?a ??kabilir.

A??nd?rma i?leminin uygulama alan?

tüketici elektroni?i

filtreleme ve ay?rma teknolojisi

havac?l?k

t?bbi malzeme

hassas makine

araba

üst düzey el sanatlar?

?imentolu karbür, refrakter metalin ve yap??t?rma metalinin sert bile?i?inden toz metalurjisi i?lemi ile yap?lan bir tür ?imentolu karbürdür. ?yi sertli?i ve mukavemeti nedeniyle, bir?ok alanda yayg?n olarak kullan?lmaktad?r. Yüksek s?cakl?k performans? ve ?imentolu karbür malzemelerin korozyon direnci artt?k?a, mevcut ?imentolu karbür malzemelerin performans?n?n kullan?m gereksinimlerini kar??lamak zordur. Son 30 y?lda, bir?ok bilim adam? WC bazl? bile?ikler üzerinde deneysel ara?t?rmalar ger?ekle?tirmi? ve bir dizi ara?t?rma sonucu elde etmi?tir.

WC metalleri

WC-Co

Tungsten karbürde yayg?n olarak kullan?lan ?imentolu malzeme kobaltt?r. WC Co sistemi kapsaml? bir ?ekilde incelenmi?tir. CO ilavesi, WC'nin iyi ?slanabilirli?e ve yap??maya sahip olmas?n? sa?lar. Ek olarak, ?ekil 13.2'de g?sterildi?i gibi, CO ilavesi de mukavemeti ve toklu?u ?nemli ?l?üde geli?tirebilir.

?ekil 13.3 D?? ve enine kesit yap?lar? g?steren WC Co tozunun geri sa??l?m elektron mikrograf?: (a), (b) F8; (c), (d) M8; ve (E), (f) C8.

F8, M8 ve C8 tozlar?n?n ve parlat?lm?? b?lümlerinin geri sa??l?m elektron g?rüntülemesini yapt?. Tüm tozlar?n tipik küresel bir ?ekle sahip oldu?u g?zlenmi?tir. F8 tozu yo?un ince karbür birikimi g?sterirken, M8 ve C8 tozu baz? g?zeneklerle nispeten gev?ek bir birikim yap?s? g?sterir. Cilal? b?lümde, tüm numuneler belirgin sa??lma fenomeni g?sterir ve sertlik ve a??nma direnci kobalt i?eri?i ile ters orant?l?d?r. Vickers sertli?i (HV) 1500 ila 2000 HV30 aras?nda de?i?ir ve k?r?lma toklu?u 7 ila 15 MPa M1 / 2 aras?nda de?i?ir. Bu ?nemli de?i?iklik karbür bile?imi, mikro yap? ve kimyasal safl???n bir fonksiyonudur.

Genel olarak, partikül boyutu ne kadar kü?ük olursa, sertlik o kadar yüksek olur ve a??nma direnci o kadar iyidir. CO'nun hacim fraksiyonu ne kadar yüksek olursa, k?r?lma toklu?u o kadar yüksek olur, ancak sertlik ve a??nma direnci o kadar dü?ük olur (Jia ve di?erleri, 2007). Bu nedenle, daha iyi performans elde etmek i?in, bunun yerine di?er ?imentolu malzemeleri kullanmay? dü?ünmek ka??n?lmazd?r.

?te yandan, yukar?daki nedenlerden dolay?, stratejide bilimsel de?ildir ve fiyat e?ilimini etkilemek kolayd?r. Ek olarak, WC ve ko toz kombinasyonu endi?e vericidir ?ünkü herhangi bir tek kullan?mdan daha ?ldürücüdürler.

WC-Ni

Nikel, kobalttan daha ucuz ve elde edilmesi daha kolayd?r. ?yi bir sertle?tirme ?zelli?ine sahiptir. Zorlu ortamlarda korozyon / oksidasyon performans?n?, yüksek s?cakl?k mukavemetini ve a??nma direncini artt?rmak i?in kullan?labilir. WC Co ala??m? ile kar??la?t?r?ld???nda, malzemenin plastisitesi daha dü?üktür. Nikel WC'de iyi ??zündü?ünden, WC substratlar? i?in bir yap??t?r?c? olarak kullan?l?r, bu da aralar?nda gü?lü bir ba? ile sonu?lan?r.

WC-Ag

Ag ilavesi, WC'yi bir tür ark diren?li malzeme haline getirir. A??r? yük ak?m?n?n etkisi alt?nda, WC genellikle ikincisinin iyi bilinen elektrik temas direncine (RC) atfedilebilen anahtarlama cihazlar?na yüklenir. WC Ag kompozitinin direncinin Ag i?eri?inin artmas?yla azald???n? ve Ag i?eri?inin artmas?yla sertli?in azald???n? ve bu da WC ve Ag'nin sertli?i aras?ndaki büyük farktan kaynakland???n? belirtmek gerekir. Ek olarak, kaba WC taneleri ?ok dü?ük ve kararl? temas direncine sahiptir.

?ekil 13.4, anahtar taraf?ndan üretilen ortalama elektrik temas direncini (RC) g?sterir

Farkl? gümü? i?eri?ine ve WC par?ac?k boyutuna sahip d?ngü 11e50, ?ünkü ?o?u malzemenin RC'si 10 anahtarlama ?evriminden sonra stabil olarak g?zlenir. Gümü?ün temas direnci WC i?inde 50-55 wt% (hacim oran? 60% ve 64.6%) aras?nda ve 4 mm partikül büyüklü?ü ile WC i?inde 55-60 wt% (hacim oran? 64.6% ve 69%) aras?ndad?r. 0.8 ve 1.5 mm. Bu nedenle, bu, Ag matrisinin tamamen birbirine ba?l? oldu?u yat?r?m?n ilk kompozisyonunu belirler. Sabit bile?enler i?in, ge?irgenlik e?i?ini de belirten 1.5 ila 4 mm WC par?ac?k boyutu aras?nda temas direncinde bir azalma g?zlenmi?tir.

WC-Re

Bilim adamlar?, WC Co'dan daha iyi performans elde etmek i?in renyumunu gü?lendirmek i?in tungsten karbür kullan?yorlar, ?ünkü RE yüksek s?cakl?k sertli?i ve iyi kombinasyon getirebilir

?ekil 13.4 Farkl? Ag i?eri?indeki ve WC partikül boyutundaki ortalama elektrik temas direncinin, 11 ila 50 aras?ndaki sikluslar s?ras?nda WC substrat?n?n temas direncine oran? ko veya Ni'dir. WC koerinin (20% RE i?eri?i) mikroyap? ?zelliklerine g?re, WC'nin CO'da tutuldu?u ve HCP yap?s? olu?turmaya devam etti?i, b?ylece ala??m?n sertli?inin art?r?ld??? a??klanmaktad?r. Ara?t?rmac?lar ayr?ca WC Ni'de yeniden gü?lendi ve benzer ??kar?mlar buldular. En yüksek sertli?i ve WC Co'nun iki kat dayan?kl?l??? nedeniyle, ala??m rekabet?i tak?m par?alar? üretmek i?in kullan?l?r. So?uk presleme WC ve Re tozlar? ve ard?ndan patentli bir s?cak presleme i?lemi s?ras?nda, 2400 kg / mm ~ 2'den fazla HV g?zlendi (WC-Co i?in 1700 kg / mm ~ 2 ile kar??la?t?r?ld???nda)

WC intermetalikler

WC-Feal

Son birka? on y?ld?r, seramik yap??t?r?c?lar olarak metaller aras? bile?ikler insanlar?n dikkatini ?ekti. Demir alüminidin mükemmel oksidasyon direnci ve korozyon direnci, dü?ük toksisite, yüksek sertlik, iyi a??nma direnci, yüksek s?cakl?k stabilitesi ve iyi ?slanabilirli?e sahiptir. Termodinamik olarak WC i?in ba?lay?c? olarak uygundur. WC FeAl ve WC Co'nun sertli?i ve k?r?lma toklu?u temel olarak ayn?d?r. WC Co ala??m?n?n sertlik ve a??nma direnci, geleneksel WC Co ala??m?n?n sertlik ve a??nma direncine benzer. Tane boyutu optimize edilebilirse, geleneksel WC Co'nun yerini almak mümkündür. Farkl? bilyal? ??ütme ve / veya kurutma i?lemleri ile haz?rlanan WC FeAl kar???k tozunun partikül boyutu da??l?m e?risi ?ekil 13.5'te g?sterilmi?tir. ?ekil 13.5'teki ü? e?ri bimodal da??l?ma sahiptir. ?ekil 13.5'te, daha kü?ük par?ac?k boyutunun sol zirvesi, tek bir WC par?ac???n?n sol zirvesine kar??l?k gelir. Daha büyük partikül boyutunun do?ru pik de?eri, baz? WC partikülleri i?eren FeAl fragmanlar?n?n pik de?erine kar??l?k gelir. Do?ru pik hareket etti?inde, sol pik ta?lama ve / veya kurutma i?lemine ba?l? de?ildir. DR tozunun do?ru zirvesi (h?zl? kurutma i?in ??zücü olarak susuz etanol) di?er iki tozun kar??l?k gelen zirvesine ge?er.

?ekil 13.5 ?e?itli toz i?lemlerinden haz?rlanan WC-FeAl kar???k tozlar?n?n par?ac?k boyutu da??l?mlar?.

WC-seramik

WC-MgO

Wc-mgo kompozit malzemeler, sertlik üzerinde ?ok az etkisi olan ve malzemelerin toklu?unu ?nemli ?l?üde art?ran WC matrisine MgO par?ac?klar?n?n eklenmesi nedeniyle yayg?n olarak kullan?lmaktad?r. Sertlik tokluk ile ters orant?l?d?r, ancak bu ala??m durumunda sertlik kayb? ?ok kü?ük oldu?unda tokluk elde edilir. ?ncelenen malzemeye az miktarda VC, Cr3C2 ve di?er tah?l büyüme inhibit?rleri eklemek, sadece sinterleme i?lemindeki tane büyümesini kontrol etmekle kalmaz, ayn? zamanda malzemenin mekanik ?zelliklerini de geli?tirir.

WC-AI2O3

Burada Al2O3'ün mükemmel mekanik ve fiziksel ?zellikleri nedeniyle WC i?in takviye malzemesi olarak kullan?ld??? ve bunun tersi de belirtilmelidir.

Sinterleme s?cakl??? ve bekletme süresi, wc-40vol% Al2O3 kompozitinin mikroyap?s? ve mekanik ?zellikleri üzerinde ?nemli etkilere sahiptir. Sinterleme s?cakl??? ve tutma süresinin artmas?yla, nispi yo?unluk ve par?ac?k boyutu artar. Ayn? zamanda, yüksek bas?n? ve k?r?lma toklu?u de?erleri ?nce artar ve sonra azal?r. ?atlak yolunun mikro yap?s?, ?atlak k?prüleme ve ?atlak sapmas?n?n varl???n? ortaya koymaktad?r. Wc-40vol% Al 2O3 kompozitlerinde, ana sertle?tirme mekanizmas? sekonder ve lateral ?atlaklar?n üretilmesidir. Ba?ka bir ?al??ma, HV'nin yakla??k 20e25 gpa oldu?unu ve k?r?k toklu?unun 5e6mpa.m1 / 2 oldu?unu g?stermektedir.

?ekil 13.6, sertlik, k?r?lma toklu?u ve enine k?r?lma mukavemetinin alümina i?eri?i ile de?i?im e?ilimini g?stermektedir. Bu de?erlerin rapor edilenlerden olduk?a farkl? oldu?una dikkat edilmelidir (Mao ve ark., 2015). Saf WC en yüksek sertli?e ve en dü?ük k?r?lma toklu?una sahiptir. Al2O3 eklenmesi k?r?k toklu?unu artt?r?r, ancak saf alümina sertli?i saf WC'den daha dü?üktür ve wc-al2o3 kompozitinin sertli?i azal?r. ?ekil 13.6'daki farkl? sonu?lar, mekanik ?zelliklerin sadece alümina i?eri?ine de?il, ayn? zamanda farkl? substratlar?n üretim sürecine ve derecesine de ba?l? oldu?unu g?stermektedir. 

WC a??nd?r?c?lar

WC cBN

CBN mükemmel sertli?e, termal stabiliteye ve demir ile reaksiyon aktivitesine sahip oldu?undan, WC Co'ya CBN eklenmesi malzemenin a??nma direncini, sertli?ini ve mekanik ?zelliklerini geli?tirebilir. CBN, WC matrisine gü?lendirildikten sonra, gü?lü yap??ma üretilecektir. Ek olarak, ?atlak sapmas? veya CBN partiküllerinin k?prülenmesi ile daha iyi k?r?k toklu?u elde edilebilir. CBN ilavesi sürecindeki iki ana engel, CBN'den hBN'ye d?nü?üm ve B ve N aras?ndaki gü?lü kovalent ba?d?r, bu da CBN ve semente karbürün dü?ük sinterleme kabiliyeti ile sonu?lan?r.

WC elmaslar

WC elmas mükemmel k?r?lma toklu?una, ?atlak büyüme direncine ve yans?ma direncine sahiptir. Bu malzeme, elmas?n grafite d?nü?mesini ?nlemek i?in sadece termodinamik ko?ullar alt?nda üretilebilir. Bu malzemenin performans?n? art?rmak i?in daha fazla ara?t?rma yaparak, ?ok gerekli olan büyük maliyet bo?lu?unu olu?turabiliriz.

欧美人妻精品一区二区三区99,中文字幕日韩精品内射,精品国产综合成人亚洲区,久久香蕉国产线熟妇人妻

?elik, tamamen veya k?smen ?stenize edilecek ?ekilde belirli bir süre boyunca tutarak, ?eli?in kritik s?cakl?k Ac3 (hipo-?tektoid ?elik) veya Ac1 (hiperutektoid ?elik) üzerindeki bir s?cakl??a ?s?t?lmas?yla s?ndürülür ve daha sonra so?utulur. kritik so?utma h?z?ndan daha yüksek bir s?cakl?k Ms (veya izotermal yak?n?ndaki Ms) martensitik (veya bainit) ?s?l i?lem sürecinin alt?na h?zl? so?utma. Alüminyum ala??mlar?, bak?r ala??mlar?, titanyum ala??mlar?, sertle?tirilmi? cam, vb. Gibi malzemelerin ??zelti muamelesi veya h?zl? so?utmal? ?s?l i?lem i?lemlerine yayg?n olarak s?ndürme denir. S?ndürme, esas olarak malzemenin sertli?ini artt?rmak i?in kullan?lan yayg?n bir ?s?l i?lemdir. Genellikle s?ndürme ortam?ndan, su s?ndürme, ya? s?ndürme, organik s?ndürme olarak ayr?labilir. Bilim ve teknolojinin geli?mesiyle birlikte, baz? yeni s?ndürme süre?leri ortaya ??kt?.1 yüksek bas?n?l? hava so?utmal? s?ndürme y?ntemiGü?lü inert gaz ak???ndaki i?ler, yüzey oksidasyonunu ?nlemek, ?atlamay? ?nlemek, bozulmay? azaltmak, sa?lamak i?in gerekli sertlik, ?zellikle tak?m ?eli?i s?ndürme i?in. Bu teknoloji son zamanlarda h?zla ilerlemi? ve uygulama ?e?itlili?i de ?nemli ?l?üde geni?lemi?tir. ?u anda, vakum gaz? s?ndürme teknolojisi h?zla geli?ti ve negatif bas?n?l? (<1 × 105 Pa) yüksek debi gaz so?utmas? ve ard?ndan gaz so?utma ve yüksek bas?n?l? (1 × 105 ~ 4 × 105 Pa) 10 × 105 Pa) hava so?utmal?, ultra yüksek bas?n? (10 × 105 ~ 20 × 105 Pa) hava so?utmal? ve di?er yeni teknolojiler sadece hava so?utmal? vakum s?ndürme yetene?ini büyük ?l?üde art?rmakla kalmaz ve i? par?as?n?n yüzey parlakl???n? s?ndürür, kü?ük deformasyona sahiptir. ayr?ca yüksek verimlilik, enerji tasarrufu, kirlilik i?ermeyen ve b?ylece. Vakum yüksek bas?n?l? gaz so?utmal? s?ndürme, malzemelerin s?ndürülmesi ve tavlanmas?, paslanmaz ?elik ve ?zel ala??mlar?n ??zeltisi, ya?lanmas?, iyon karbonlama ve karbonitrasyonunun yan? s?ra lehimleme sonras? vakum sinterleme, so?utma ve s?ndürme i?lemidir. 6 × 105 Pa yüksek bas?n?l? azot so?utma s?ndürme ile, yük sadece so?utulabilir, yüksek h?z ?eli?i (W6Mo5Cr4V2) 70 ~ 100 mm'ye kadar sertle?tirilebilir, 25 ~ 100 mm'ye kadar yüksek ala??ml? s?cak i? kal?p ?eli?i, alt?n So?uk 80 ~ 100 mm'ye kadar i? kal?p ?eli?i (Cr12 gibi). 10 × 10 5 Pa yüksek bas?n?l? azot ile s?ndürüldü?ünde, so?utulmu? yük yo?un olabilir, bu da yük yo?unlu?unu 6 × 10 5 Pa so?utma üzerinde yakla??k 30% ila 40%'ye yükseltir. 20 × 10 5 Pa ultra yüksek ile s?ndürüldü?ünde bas?n?l? azot veya helyum ve azot kar???m?, so?utulmu? yükler yo?undur ve birlikte paketlenebilir. 6 × 105 Pa azot so?utma 80% ila 150% yo?unlu?u, tüm yüksek h?zl? ?elik, yüksek ala??ml? ?elik, s?cak i? tak?m ?eli?i ve Cr13% krom ?elik ve daha büyük boyutlu 9Mn2V ?elik gibi daha fazla ala??m ya?? s?ndürülmü? ?elik so?utulabilir. Ayr? so?utma odalar?na sahip ?ift odac?kl? hava so?utmal? s?ndürme f?r?nlar?, ayn? tip tek odac?kl? f?r?nlardan daha iyi so?utma kapasitesine sahiptir. 2 × 105 Pa azot so?utmal? ?ift hazneli f?r?n, 4 × 105 Pa tek hazneli f?r?n ile ayn? so?utma etkisine sahiptir. Ancak i?letme maliyetleri, dü?ük bak?m maliyetleri. ?in'in temel malzeme endüstrisi (grafit, molibden vb.) Ve yard?mc? bile?enler (motor) ve di?er seviyeler iyile?tirilecek. Bu nedenle, ?ift odal? bas?n? ve yüksek bas?n?l? hava so?utmal? s?ndürme f?r?n?n?n ?in'in ulusal ko?ullar?na daha fazla geli?mesini sa?larken, 6 × 105 Pa tek odac?kl? yüksek bas?n?l? vakum bak?m?n? iyile?tirmek i?in. ?ekil 1 yüksek bas?n?l? hava so?utmal? vakumlu f?r?n2 gü?lü s?ndürme y?ntemi Geleneksel s?ndürme genellikle ya?, su veya polimer ??zeltisi so?utmas? ve su veya dü?ük konsantrasyonlarda tuzlu su ile gü?lü s?ndürme kural?d?r. Gü?lü s?ndürme, ?elikte a??r? bozulma ve ?atlamadan endi?e etmeden son derece h?zl? so?utma ile karakterizedir. S?ndürme s?cakl???na, ?elik yüzey gerilimine veya dü?ük stres durumuna ve so?utma ortas?nda gü?lü s?ndürmeye kadar geleneksel s?ndürme so?utma, i? par?as? kalbi so?umay? durdurmak i?in hala s?cak durumdad?r, b?ylece yüzey bas?n? stresinin olu?umu. ?iddetli s?ndürme ko?ulu alt?nda, martensitik d?nü?üm b?lgesinin so?utma h?z? 30 ℃ / s'den yüksek oldu?unda, ?eli?in yüzeyindeki a??r? so?utulmu? ?stenit 1200 MPa'l?k s?k??t?rma stresine maruz kal?r, b?ylece s?ndürmeden sonra ?eli?in akma dayan?m? Prensip: Ostenitize edici s?cakl?k s?ndürme ?elik, yüzey ve kalp aras?ndaki s?cakl?k fark? i? strese yol a?acakt?r. Faz hacminin ve faz de?i?im plasti?inin spesifik hacminin faz de?i?imi de ek faz d?nü?üm stresine neden olacakt?r. Termal stres ve faz ge?i? gerilimi süperpozisyonu, yani genel gerilim malzemenin akma dayan?m?n? a?arsa plastik deformasyon meydana gelir; e?er stres a?arsa s?cak ?eli?in gerilme mukavemeti bir s?ndürme ?atla?? olu?turur. Yo?un s?ndürme s?ras?nda, faz?n neden oldu?u art?k gerilme plastisiteyi de?i?tirir ve art?k gerilme ?stenit-martensit d?nü?ümünün spesifik hacim de?i?ikli?ine ba?l? olarak artar. Yo?un so?utmada, i? par?as? yüzeyi hemen banyo s?cakl???na so?utuldu, kalp s?cakl??? neredeyse de?i?medi. H?zl? so?utma, yüzey tabakas?n? daraltan ve kalp stresi ile dengelenen yüksek bir gerilme stresine neden olur. S?cakl?k gradyan?n?n artmas?, ilk martensitik d?nü?ümün neden oldu?u gerilme stresini artt?r?rken, martensit d?nü?ümü ba?lang?? s?cakl??? Ms'nin artmas?, faz ge?i? plastisitesi nedeniyle yüzey tabakas?n?n geni?lemesine neden olur, yüzey gerilme gerilimi ?nemli ?l?üde azalt?l?r ve d?nü?türülür. Yüzey gerilimi, üretilen yüzey martensit miktar? ile orant?l?d?r. Bu yüzey s?k??t?rma gerilimi, kalbin s?k??t?rma ko?ullar? alt?nda martensitik d?nü?üm ge?irip ge?irmedi?ini veya daha fazla so?utma s?ras?nda yüzey gerilme stresini tersine ?evirip sabitlemedi?ini belirler. Kalp hacmindeki geni?lemenin martensitik d?nü?ümü yeterince büyükse ve yüzey martensiti ?ok sert ve k?r?lgan ise, stres ters y?rt?lmas? nedeniyle yüzey tabakas?n? olu?turacakt?r. Bu ama?la, ?elik yüzey s?k??t?r?c? stres g?stermeli ve kalp martensitik d?nü?üm mümkün oldu?unca ge? ger?ekle?melidir.Gü?lü s?ndürme testi ve ?elik s?ndürme performans?: Gü?lü s?ndürme y?ntemi, yüzeyde s?k??t?rma bask?s? olu?turma ve ?atlama riskini azaltma avantaj?na sahiptir. ve sertlik ve mukavemeti artt?r?r. 100% martensitin yüzey olu?umu, ?elik en büyük sertle?tirilmi? tabaka verilecektir, daha pahal? ?elik karbon ?eli?in yerini alabilir, gü?lü bir s?ndürme ayr?ca ?eli?in üniform mekanik ?zelliklerini te?vik edebilir ve i? par?as?n?n en kü?ük bozulmas?n? üretebilir. S?ndürmeden sonra par?alar, alternatif yük alt?nda hizmet ?mrü bir büyüklük s?ras?na g?re artt?r?labilir. [1] ?ekil 2 gü?lü s?ndürme ?atlak olu?umu olas?l??? ve so?utma oran? ili?kisi3 su-hava kar???m? so?utma y?ntemiSu ve hava bas?nc?n? ve atomize nozul ile i? par?as?n?n yüzeyi aras?ndaki mesafeyi, su-hava kar???m?n?n so?utma kapasitesini ayarlayarak de?i?tirilebilir ve so?utma düzgün olabilir. üretim uygulamas?, s?ndürme ?atlaklar?n?n olu?umunu etkili bir ?ekilde ?nleyebilen karma??k karbon ?eli?i veya ala??ml? ?elik par?alar indüksiyon sertle?tirme yüzey sertle?mesi ?eklindeki yasan?n kullan?lmas?n? g?stermektedir. ?ekil 3 su-hava kar???m?4 kaynar su s?ndürme y?ntemi 100 ℃ kaynar su so?utma kullanarak , ?elik s?ndürmek veya normalle?tirmek i?in daha iyi bir sertle?tirme etkisi elde edebilirsiniz. ?u anda, bu teknoloji sünek demir s?ndürmeye ba?ar?yla uygulanm??t?r. ?rnek olarak alüminyum ala??m? almak: Alüminyum ala??ml? d?vme ve d?vmeler i?in mevcut ?s?l i?lem spesifikasyonlar?na g?re, s?ndürme suyu s?cakl??? genellikle 60 ° C'nin alt?nda kontrol edilir, s?ndürme suyu s?cakl??? dü?üktür, so?utma h?z? yüksektir ve büyük bir art?k s?ndürmeden sonra stres olu?ur. Son i?lemede, yüzey stresi ve boyutunun tutars?zl??? nedeniyle i? gerilim dengesizdir, bu da art?k stresin serbest kalmas?na yol a?ar, bu da i?lenmi? par?an?n deforme, bükülmü?, oval ve di?er deforme olmu? par?alar?n?n geri d?nü?ümsüz nihai at?k haline gelmesine neden olur ciddi kay?p. ?rne?in: pervane, kompres?r kanatlar? ve di?er alüminyum ala??ml? d?vme deformasyonu a??k bir ?ekilde i?lendikten sonra par?a boyut tolerans? ile sonu?lan?r. S?ndürme suyu s?cakl??? oda s?cakl???ndan (30-40 ℃) kaynar su (90-100 ℃) s?cakl???na yükseldi, ortalama d?vme art?k stresi yakla??k 50% azald?. [2] ?ekil 4 kaynar su s?ndürme diyagram?5 s?cak ya? s?ndürme y?ntemi S?cak s?ndürme ya??n?n kullan?lmas?, b?ylece s?cakl?k fark?n? en aza indirmek i?in Ms noktas?n?n s?cakl???na e?it veya buna yak?n bir s?cakl?kta daha fazla so?utmadan ?nce i? par?as?, s?ndürmeyi etkili bir ?ekilde ?nleyebilir i? par?as?nda bozulma ve ?atlama. Ala??ml? tak?m ?eli?inin kü?ük boyutu s?cak ya? s?ndürmede so?uk 160 ~ 200 die kal?p, bozulmay? etkili bir ?ekilde azaltabilir ve ?atlamay? ?nleyebilir. ?ekil 5 s?cak ya? s?ndürme diyagram?6 Kriyojenik tedavi y?ntemi tutulan ?stenit martenzite d?nü?türülmeye devam eder, amac? ?eli?in sertli?ini ve a??nma direncini artt?rmak, i? par?as?n?n yap?sal stabilitesini ve boyutsal stabilitesini iyile?tirmek ve tak?m ?mrünü etkili bir ?ekilde iyile?tirmektir. malzeme i?leme y?ntemleri i?in bir so?utma ortam?. Kriyojenik ar?tma teknolojisi ilk olarak a??nma ara?lar?na, kal?p ara? malzemelerine uyguland? ve daha sonra ala??ml? ?elik, karbür, vb.'ye geni?letildi, bu y?ntem kullan?larak metal malzemelerin i? yap?s? de?i?ebilir, b?ylece mekanik ?zellikler ve i?leme ?zellikleri iyile?tirilebilir. ?u anda en son sertle?tirme i?lemlerinden biri. Kriyojenik muamele (Kriyojenik muamele), ayn? zamanda ultra dü?ük s?cakl?k muamelesi olarak da bilinir, genellikle malzemenin genel performans?n? artt?rmak i?in i?lem i?in -130 ℃ alt?ndaki malzemeye de?inmektedir. 100 y?l ?nce insanlar, par?alar? izlemek i?in uygulanan, mukavemeti, a??nma direncini, boyutsal stabiliteyi ve hizmet ?mrünü iyile?tirdi?i tespit edilen so?uk tedaviye ba?lad?. Kriyojenik tedavi, 1960'larda ola?an so?uk tedavi temelinde geli?tirilen yeni bir teknolojidir. Geleneksel so?uk i?lem ile kar??la?t?r?ld???nda, kriyojenik i?lem malzemenin mekanik ?zelliklerini ve stabilitesini daha da geli?tirebilir ve daha geni? bir uygulama beklentisine sahiptir.Kriyojenik tedavi mekanizmas?: Kriyojenik i?lemden sonra, metal malzemenin i? yap?s?ndaki kal?nt? ostenit (esas olarak kal?p malzeme) martensite d?nü?türülür ve ??keltilmi? karbür martensitte de ??keltilir, b?ylece martensit art?k stresi ortadan kald?rabilir, ancak martensit matrisini de art?rabilir, b?ylece sertli?i ve a??nma direnci de artacakt?r. Sertlikteki art???n nedeni, tutulan ostenitin bir k?sm?n?n martensite d?nü?türülmesinden kaynaklanmaktad?r. Tokluktaki art??, dispersiyon ve kü?ük η-Fe3C ??kelmesinden kaynaklanmaktad?r. Ayn? zamanda, martensitin karbon i?eri?i azal?r ve kafes distorsiyonu azal?r, Plastisite geli?ir. Kriyojenik ar?tma ekipmanlar? esas olarak s?v? azot tank?, s?v? azot iletim sistemi, derin so?uk kutu ve kontrol sisteminden olu?ur. Uygulamada, kriyojenik tedavi birka? kez tekrarlan?r. Tipik prosesler: 1120 ℃ ya? s?ndürme + -196 ℃ × 1h (2-4) derin kriyojenik tedavi +200 ℃ × 2h tavlama. Organizasyonun tedavisinden sonra ?stenit d?nü?ümü olmu?tur, fakat ayr?ca ultra ince karbürlerin matrisi ile son derece tutarl? ili?kinin s?ndürülmü? martensit da??l?m?ndan ??kelmi?tir, daha sonra 200 at 'de dü?ük s?cakl?kta tavlamadan sonra, ultra ince karbürlerin büyümesi Dispersed ε karbürlerin büyümesi , say? ve da??l?m ?nemli ?l?üde artt?. Kriyojenik tedavi birka? kez tekrarlan?r. Bir yandan, süper ince karbürler, ?nceki kriyojenik so?utma s?ras?nda tutulan ?stenitten d?nü?türülmü? martensitten ??keltilir. ?te yandan, s?ndürülmü? martensitte ince karbürler ??kmeye devam eder. Tekrarlanan süre?, matris bas?n? dayan?m?, akma mukavemeti ve darbe toklu?unu artt?rabilir, ?eli?in toklu?unu art?rabilir, darbe a??nma direncini ?nemli ?l?üde iyile?tirmi?tir.?ekil 6 kriyojenik ar?tma cihaz? ?emas?S?k? boyut gereksinimleri üzerindeki i? par?as?n?n bir k?sm? izin vermez a??r? deformasyonun neden oldu?u termal stres nedeniyle i?leme, kriyojenik tedavi kontrollü so?utma h?z? olmal?d?r. Ek olarak, ekipman?n i?indeki s?cakl?k alan?n?n tekdüzeli?ini sa?lamak ve s?cakl?k dalgalanmas?n? azaltmak i?in, kriyojenik ar?tma sisteminin tasar?m?, sistem s?cakl?k kontrol do?rulu?unu ve ak?? alan? düzenlemesinin rasyonalitesini hesaba katmal?d?r. Sistem tasar?m?nda ayr?ca daha az enerji tüketimi, yüksek verimlilik, kolay kullan?m ve di?er gereksinimleri kar??lamaya dikkat edilmelidir. Bunlar, kriyojenik tedavi sisteminin mevcut geli?im trendidir. Ayr?ca, so?utma s?cakl??? oda s?cakl???ndan dü?ük s?cakl??a uzanan baz? geli?mekte olan so?utma sistemlerinin de minimum s?cakl?klar?n?n azalt?lmas? ve so?utma verimlili?inin art?r?lmas? ile s?v? i?ermeyen kriyojenik ar?tma sistemlerine d?nü?mesi beklenmektedir. [3] Referanslar: [1] 樊東黎.強(qiáng)烈 淬火 - 一種 新 的 強(qiáng)化 鋼 的 熱處理 方法 [J]. 8, 2005, 20 (4): 1-3 [2] 宋 微, 郝冬梅, 王成江.沸水 淬火 對(duì) 鋁合金 鍛件 組織 與 機(jī)械 性能 的 影響 [J]. 8, 2002, 25 (2): 1-3 [3] 夏雨亮, 金 滔, 湯 珂.深 冷 處理 工藝 及 設(shè)備 的 發(fā)展 現(xiàn)狀 和 展望 [J]. 2007 與 特 氣, 2007, 25 (1): 1-3
Kaynak: Meeyou Carbide

First, the molecular beam epitaxial profileIn the ultra-high vacuum environment, with a certain thermal energy of one or more molecules (atoms) beam jet to the crystal substrate, the substrate surface reaction processMolecules in the “flight” process almost no collision with the ambient gas, in the form of molecular beam to the substrate, the epitaxial growth, hence the name.Properties: A vacuum deposition methodOrigin: 20th century, the early 70s, the United States Bell laboratoryApplications: epitaxial growth atomic level precise control of ultra-thin multi-layer two-dimensional structure materials and devices (super-character, quantum wells, modulation doping heterojunction, quantum yin: lasers, high electron mobility transistors, etc.); combined with other processes, But also the preparation of one-dimensional and zero-dimensional nano-materials (quantum lines, quantum dots, etc.).Typical features of MBE:(1) The molecules (atoms) emitted from the source furnace reach the substrate surface in the form of a “molecular beam” stream. Through the quartz crystal film thickness monitoring, can strictly control the growth rate.(2) molecular beam epitaxy growth rate is slow, about 0.01-1nm / s. Can achieve single atomic (molecular) layer epitaxy, with excellent film thickness controllability.(3) By adjusting the opening and closing of the baffle between the source and the substrate, the composition and the impurity concentration of the film can be strictly controlled, and selective epitaxial growth can be achieved.(4) non-thermal equilibrium growth, the substrate temperature can be lower than the equilibrium temperature, to achieve low temperature growth, can effectively reduce the interdiffusion and self-doping.(5) with reflective high-energy electron diffraction (RHEED) and other devices, can achieve the original price observation, real-time monitoring.Growth rate is relatively slow, both MBE is an advantage, but also its lack, not suitable for thick film growth and mass production.Second, silicon molecular beam epitaxy1 basic profileSilicon molecular beam epitaxy includes homogeneous epitaxy, heteroepitaxy.The silicon molecular beam epitaxy is the epitaxial growth of silicon (or silicon-related materials) on a suitably heated silicon substrate by physical deposition of atoms, molecules or ions.(1) during the epitaxial period, the substrate is at a lower temperature.(2) Simultaneous doping.(3) the system to maintain high vacuum.(4) pay special attention to the atomic clean surface.Figure 1 Schematic diagram of the working principle of silicon MBE2 Development history of silicon molecular beam epitaxyDeveloped relative to CVD defects.CVD defects: substrate high temperature, 1050oC, to the doping serious (with high temperature). The original molecular beam epitaxy: the silicon substrate heated to the appropriate temperature, vacuum evaporation of silicon to the silicon substrate, the epitaxial growth.Growth Criteria: The incident molecules move sufficiently to the hot surface of the substrate and are arranged in the form of a single crystal.3 The importance of silicon molecular beam epitaxyThe silicon MBE is carried out in a strictly controlled cryogenic system.(1) can well control the impurity concentration to reach the atomic level. The undoped concentration is controlled at <3 × 1013 / cm3.(2) The epitaxy can be carried out under the best conditions without defects.(3) The thickness of the epitaxial layer can be controlled within the thickness of the single atomic layer, superlattice epitaxy, several nm ~ several tens of nm, which can be designed manually, and the preparation of excellent performance of the new functional materials.(4) Homogeneous epitaxy of silicon, heteroepitaxy of silicon.4 epitaxial growth equipmentDevelopment direction: reliability, high performance and versatilityDisadvantages: high prices, complex, high operating costs.Scope: can be used for silicon MBE, compound MBE, III-V MBE, metal semiconductor MBE is developing.Basic common features:(1) basic ultra-high vacuum system, epitaxial chamber, Nuosen heating room;(2) analysis means, LEED, SIMS, Yang EED, etc .;(3) injection chamber.Figure 2 Schematic diagram of silicon molecular beam epitaxial system(1) electron beam bombardment of the surface of the silicon target, making it easy to produce silicon molecular beam. In order to avoid the radiation of the silicon molecular beam to the side to cause adverse effects, large area screen shielding and collimation is necessary.(2) resistance to heating the silicon cathode can not produce strong molecular beam, the other graphite citrus pots have Si-C stained, the best way is to electron beam evaporation to produce silicon source. Because, some parts of the silicon MBE temperature is higher, easy to evaporate, silicon low evaporation pressure requirements of the evaporation source has a higher temperature. At the same time, the beam density and scanning parameters to control. Making the silicon melting pit just in the silicon rod, silicon rods become high-purity citrus.There are several kinds of monitoring molecular beam:(1) Quartz crystal is often used to monitor beam current, beam shielding and cooling appropriate, can be satisfied with the results, but the noise affects the stability. After several μm, the quartz crystal loses its linearity. Frequent exchange, the main system is often inflated, which is not conducive to work.(2) small ion table, measured molecular beam pressure, rather than measuring the molecular beam flux. Due to the deposition on the system components leaving the standard.(3) low-energy electron beam, through the molecular beam, the use of electrons detected by the excitation fluorescence. The atoms are excited and quickly degrade to the ground state to produce uv fluorescence, and the optical density is proportional to the beam density after optical focusing. Do the feedback control of the silicon source. Inadequate: cut off the electron beam, most of the infrared fluorescence and background radiation will make the signal to noise ratio deteriorated to the extent of instability. It only measured atomic class, can not measure molecular substances.(4) Atomic absorption spectra, monitoring the beam density of doped atoms.With the intermittent beam current, Si and Ga were detected by 251.6nm and 294.4nm optical radiation respectively. The absorption intensity of the beam through the atomic beam was converted into atomic beam density and the corresponding ratio was obtained.Molecular beam epitaxy (MBE) substrate base is a difficult point.MBE is a cold wall process, that is, silicon substrate heating up to 1200 ℃, the environment to room temperature. In addition, the silicon wafer to ensure uniform temperature. Hill resistance refractory metal and graphite cathode, the back of the radiation heating, and the entire heating parts are installed in liquid nitrogen cooled containers, in order to reduce the thermal radiation of the vacuum components. The substrate is rotated to ensure uniform heating. Free deflection, can enhance the secondary implantation doping effect.
Kaynak: Meeyou Carbide

1, Organik Halid Perovskit ile ilgili Fotoelektrik ?zelliklerin G?zden Ge?irilmesi ?ekil 1 Spektral konum ve PL pikOrganik halid perovskitler optoelektronik ara?t?rmalar?nda yayg?n olarak kullan?lmaktad?r. Fotovoltaikler olarak metil amonyum ve formamidin kur?un iyodür, mükemmel fotoelektrik ?zellikler g?sterir ve ara?t?rmac?lar?n ???k yayan cihazlar ve fotodedekt?rler konusundaki hevesini art?r?r. Son zamanlarda, Toronto üniversitesi Edward H. Sargent (Muhabir) ekibinin organik metal halide perovskit malzemesinin optik ve elektriksel ?zellikleri incelenmi?tir. Malzeme bile?imi ve bi?iminin bu niteliklerle nas?l ili?kilendirildi?ini ve bu ?zelliklerin nihai olarak cihaz performans?n? nas?l etkiledi?ini ?zetler. Ek olarak, ekip ayr?ca perovskite malzemelerin farkl? malzeme ?zelliklerini, ?zellikle de bant aral???, hareketlilik, difüzyon uzunlu?u, ta??y?c? ?mrü ve tuzak yo?unlu?u analiz etti.Organometal Halide Perovskitlerin Optoelektronik Performansla ?lgili Elektriksel ve Optik ?zellikleri（Geli?mi? Malzeme., 2017,DOI: 10.1002/adma.201700764）2, Geli?mi? Malzemelere Genel Bak??: Organik malzemelerin 2B optoelektronik uygulamalar? ?ekil 2 ?ki boyutlu organik malzemelerin uygulanmas?nda birka? ?nemli ad?m Atomik ince yap?ya ve fotoelektron ?zelliklerine sahip 2B malzeme, ara?t?rmac?lar?n ilgisini ?ekmi?tir. 2D malzemeleri elektronik ve optoelektronikte uygulama konusunda ara?t?rmac?lar. Ek olarak, geli?mekte olan alanlar?n iki boyutlu bir malzeme serisi olarak, 2B formda birle?tirilen organik nanoyap?, moleküler ?e?itlilik, esneklik, i?leme kolayl???, hafiflik vb. sa?lar, optoelektronik uygulamalar i?in heyecan verici bir olas?l?k sa?lar. Son zamanlarda, Tianjin üniversitesi, Profes?r Hu Wenping, Ren Xiaochen yard?mc? ara?t?rmac? (ortak haber bülteni) ve di?erleri, optoelektronik cihazlarda organik iki boyutlu malzemelerin uygulamas?n? g?zden ge?irdiler. Malzeme ?rnekleri aras?nda 2D, organik, kristal, kü?ük moleküller, polimerler, kendi kendine Kovalent organik iskelet bulunur. 2D organik kristal üretimi ve desenleme teknolojisinin uygulanmas? da tart???lmaktad?r. Daha sonra optoelektronik cihazlar?n uygulamas? ayr?nt?l? olarak tan?t?l?r ve 2B malzeme olas?l??? k?saca tart???l?r.2B Optoelektronik Uygulamalar i?in Organik Malzemeler（Adv.Mater.,2017,DOI: 10.1002/adma.201702415）3, Geli?mi? Malzeme ?ncelemesi: 2B Ruddlesden-Popper Perovskite Photonics?ekil 3 3D ve 2D perovskite yap?lar?n ?ematik diyagram?Geleneksel 3D organik-inorganik halojenür perovskit son zamanlarda benzeri g?rülmemi? h?zl? bir geli?me ge?irdi. Bununla birlikte, nem, ???k ve kalorilerdeki do?al karars?zl?klar?, ticarile?tirmeden ?nce ?nemli bir zorluk olmaya devam etmektedir. Buna kar??l?k, ortaya ??kan iki boyutlu Ruddlesden-Popper perovskite, ?evresel kararl?l??? nedeniyle artan bir ilgi g?rmü?tür. Ancak, 2D perovskite ara?t?rmalar? yeni ba?lad?. Son zamanlarda, Fudan üniversitesi üniversitesi, Liang Ziqi (?lgili yazar) ekibi, ilk olarak ayr?nt?l? bir kar??la?t?rman?n 2D perovskite ve 3D kontrolünü tan?tan bir inceleme yay?nlad?. Ard?ndan iki boyutlu perovskit organik aral?kl? katyonik mühendisli?i tart???ld?. Daha sonra, 3D ve 2D perovskitler aras?ndaki yar?-iki boyutlu perovskitler incelendi ve kar??la?t?r?ld?. Ek olarak, 2D perovskite benzersiz eksiton ?zellikleri, elektron-fonon e?le?mesi ve polaron da g?sterilmektedir. Son olarak, yüksek performansl? elektronik cihazlarda 2D perovskitin yap? tasar?m?, büyüme kontrolü ve fotofizik ara?t?rmas?n?n makul bir ?zeti sunulmaktad?r.2D Ruddlesden–Popper Perovskites for Optoelectronics（Adv.Mater.,2017,DOI: 10.1002/adma.201703487）4 , Science Advances ?zet: Kur?un Halide Perovskite: Kristal-S?v? ?kili, Fonon Cam Elektronik Kristalleri ve Büyük Polaron Olu?umu?ekil 4 CH3NH3PbX3 perovskite yap?s?Kur?un anodize edilmi? perovskit, güne? pillerinde ve ???k yayan cihazlarda yüksek performansl? bir malzeme oldu?u kan?tlanm??t?r. Bu malzemeler, s?v?n?n dielektrik tepkisi ve fonon dinami?inin yan? s?ra kristal yar?iletkenlerin beklenen uyumlu bant ta??n?m? ile karakterize edilir. Bu "kristal-s?v?" ikili?i, kur?un halojenür perovskitlerin fonon cam elektron kristallerine ait oldu?u anlam?na gelir - en verimli oldu?u dü?ünülen bir termoelektrik malzeme s?n?f?. Son zamanlarda, Columbia üniversitesi Zhu Xiaoyang (ileti?im yazar?) ekibi kristal-s?v? ikili?ini g?zden ge?irdi, sonu?ta ortaya ??kan dielektrik tepki, kusur toleransl? perovskite neden olan ta??y?c? polaronunun olu?umundan ve se?iminden sorumlu, ta??y?c? hareketlili?inin orta ve birle?ik performans? radyasyondan. Büyük polaron olu?umu ve fonon cam? ?zellikleri, bu malzemelerdeki ta??y?c? so?utma h?zlar?ndaki ?nemli azalmay? da a??klayabilir. Kur?un halojenür perovskitler: Kristal-s?v? ikili?i, fonon cam elektron kristalleri ve büyük polaron olu?umu（Sci. Adv.,2017,DOI:10.1126/sciadv.1701469）5, Polimer Bilimi ?ncelemesinde ?lerleme: Silikon i?eren blok kopolimerlerin litografisi ?ekil5 ?ki bloklu kopolimerin erime faz? diyagram? Yak?n zamanda, Ulusal Tsinghua üniversitesi Rong-Ming Ho (Muhabir) ve di?erleri litografi uygulamalar? olarak silikon i?eren BCP kullan?m?na odaklanarak, s?ral? blok kopolimer (BCP) filminin haz?rlanmas? yoluyla farkl? y?ntemlerin bir ?zetini yay?nlad?. Si i?eren bloklar?n avantajlar? ile bu BCP'ler, yüksek ??zünürlükleri, büyük ay?rma yo?unlu?u ve yüksek a??nd?rma kontrast? nedeniyle daha kü?ük ?zellik boyutlar?na sahiptir. Poli (dimetilsiloksan) (PDMS)'nin Si i?eren BCP'lerde kapsaml? bir ?ekilde ?al???ld??? g?z ?nüne al?nd???nda, PDCP i?eren BCP kullan?larak fotolitografinin olas?l??? ?nceki ve devam eden ?al??malarla g?sterilmi?tir. Sonraki b?lümler, DSA yakla??m?n?n ana sonu?lar?n? detayland?rmaktad?r. Litografik bask? uygulamas?n?n yeni trendi ve silikon i?eren BCP'leri kullanan fotolitografi nano - desen uygulamas? da tart???ld?. Son olarak, BCP litografisinin sonucu ve gelece?i tan?t?lmaktad?r. Litografik Uygulamalar i?in Silikon ??eren Blok Kopolimerler（Prog. Polim. Sci.,2017,DOI:10.1016/j.progpolymsci.2017.10.002）6, Angewandte Chemie International Edition Genel Bak??: CH3NH3PbI3 perovskite güne? pili teorik ?al??mas? ?ekil 6 Hibritle?tirilmi? perovskite perovskite güne? enerjisinin 22%'den fazla gü? d?nü?üm verimlili?i (PCE'ler) hücreleri (PSC'ler) büyük ilgi g?rdü. Perovskit, PSC'lerin ?al??mas?nda ?nemli bir rol oynamas?na ra?men, perovskite ili?kin temel teori henüz ??zülmemi?tir. Son zamanlarda, Xi'an Mimarl?k ve Teknoloji üniversitesi'nden Profes?r Xun Nining (?leti?im Yazar?), birinci ilkeye g?re, mevcut yap? teorisini ve elektronik ?zellikleri, kusurlar?, iyon difüzyonunu ve CH3NH3PbI3 perovskitin transfer ak?m?n? ve iyon ta??ma Etkisini de?erlendirdi. PSC Ak?m? üzerinde - Gerilim E?risi Histerezisi. Olas? ferroelektrik ile ili?kili hareketli ak?m da tart???lmaktad?r. Ve PSC'ler i?in perovskitin faydalar?n?, zorluklar?n? ve potansiyelini vurgular.CH3NH3PbI3 Perovskite Güne? Pillerinin Teorik Tedavisi（Angew. Kimya Int. Ed.,2017,DOI: 10.1002/anie.201702660）7, Chemical Society ?ncelemeleri Genel Bak??: Moleküler Mühendislik i?in Elektromekanik Aktif Malzemeler i?in ?ndirgeyici Piller?ekil 7 Sürdürülebilir RFBA'lar i?in redoks maddeleri i?in moleküler mühendislik, ?nemli bir büyük enerji depolama sistemi, redoks piller (RFB'ler) yüksek ?l?eklenebilirli?e ve ba??ms?z enerji ve gü? kontrol yeteneklerine sahiptir. Bununla birlikte, geleneksel RFB uygulamalar?, metal bazl? redoks maddelerinin kullan?m?yla ili?kili yüksek maliyet ve ?evresel konularda performans ve s?n?rlamalara tabidir. Son zamanlarda, Austin Guihua Yu'daki Texas üniversitesi (ileti?im yazar?) ekibi, bu yeni redoks maddeler sistemi moleküler mühendislik program?n?n tasar?m?n? ?nerdi. Makale, organometalik ve organometalik redoks maddelerini ??zünürlük, oksidasyon-indirgeme potansiyeli ve moleküler boyut a??s?ndan modifiye etmek i?in ayr?nt?l? bir sentez stratejisi sa?lar. Daha sonra moleküler yap?s?na g?re s?n?fland?r?lan redoks türlerinin reaksiyon mekanizmas?n?, spesifik i?levselle?tirme y?ntemlerini ve elektrokimyasal ?zelliklerini kapsayan son geli?meleri tan?tt?. Son olarak, yazar, bu geli?mekte olan ara?t?rma alan?n?n gelecekteki geli?im y?nünü ve zorluklar?n? analiz ediyor. Redoks ak??l? piller i?in organik elektroaktif malzemelerin moleküler mühendisli?i （Chem.Soc.Rev.,2017,DOI: 10.1039/C7CS00569E）8, Chemical Society Review Overview: Enerji depolama ve d?nü?üm i?in atomik seviye Tabakal? olmayan nanomalzemeler ?ekil 8 Atomik dereceli tabakal? ve tabakas?z nanomalzemeler Grafenin ke?finden bu yana, büyük atomik kal?nl??a ve geni? yanal boyuta sahip iki boyutlu nanomalzemeler, yüksek ?zgül yüzey alanlar? nedeniyle ?ok ?al???lmaktad?r. heterojen elektronik yap? ve ?ekici fiziksel ve kimyasal ?zellikler. Son zamanlarda, Wulonggong üniversitesi Dushi üniversitesi akademisyeni (ileti?im yazar?) ekibi, katmanl? olmayan nano malzeme haz?rlama y?nteminin atom kal?nl???n? kapsaml? bir ?ekilde ?zetledi, heterojen elektronik yap?s?n? inceledi, elektronik yap? operasyon stratejisinin tan?t?m?n? yapt? ve enerji depolama ve d?nü?üm uygulamalar?n? ?zetledi. , ?zellikle lityum iyon piller, sodyum iyon piller, oksijen, CO2 azaltma, CO oksidasyon reaksiyonu üzerinde durularak. Son olarak, mevcut ara?t?rma ilerlemesine dayanarak, performans? ve ke?fedilecek yeni ?zellikleri geli?tirmek i?in pratik uygulamada gelecekteki y?nü ortaya koyun.Enerji depolama ve d?nü?türme i?in atomik olarak ince katmanl? olmayan nanomalzemeler （Chem.Soc.Rev.,2017,DOI :10.1039/C7CS00418D）9, Chemical Reviews Genel Bak??: Heterosiklik Yap?lar?n Sentezinde Elektrokimyasal Uygulamalar ?ekil 9 Elektro-indüklenmi? katyonik zincir reaksiyonunun mekanizmas? organik kimya ara?t?rmac?lar?na büyük ilgi. Biyolojik olarak aktif do?al ürünlerde, organik maddelerde, zirai kimyasallarda ve ila?larda ?e?itli heterosiklik yap?lar yayg?n olarak bulunur. ?nsanlar, tüm ila? ve zirai kimyasallar?n yakla??k 70%'sinin en az bir heterosikl oldu?unu fark ettiklerinde, bunlar?n ?nemini g?rmezden gelemezler. Son zamanlarda, Pekin Teknoloji üniversitesi'nden Profes?r Zeng Chengchao (Muhabir Yazar) ekibi, 2000'den beri molekül i?i ve moleküller aras? siklizasyon taraf?ndan yay?nlanan heterosiklik bile?iklerin elektrokimyasal yap?s?n?n ilerlemesini g?zden ge?irdi. Heterosiklik Yap?lar?n Sentezinde Elektrokimya Kullan?m?（Chem. Rev.,2017,DOI:10.1021/acs.chemrev.7b00271）
Kaynak: Meeyou Carbide

?lk olarak, k?sa bir tarihin geli?mesi ?lk a?ama: 1945-1951, nükleer manyetik rezonans?n icad? ve d?nemin teorik ve deneysel temelini att?: Bloch (Stanford üniversitesi, su proton sinyalinde g?zlemlendi) ve Purcell (Harvard üniversitesi, ikinci a?ama: geli?me d?nemi i?in 1951-1960, kimyagerler ve biyologlar taraf?ndan rolünü tan?d?, bir?ok ?nemli sorunu ??zmek i?in. 1953 ilk 30MHz nükleer manyetik rezonans spektrometresinde ortaya ??kt?; 1958 ve erken 60MHz, 100MHz enstrüman ortaya ??kmas?. 1950'lerin ortalar?nda, 1H-NMR, 19F-NMR ve 31P-NMR geli?tirildi. ü?üncü a?ama: 60 ila 70 y?l, NMR teknolojisi s??rama süresi. Hassasiyet ve ??zünürlü?ü art?rmak i?in Pulse Fourier d?nü?üm teknolojisi, 13C nükleer rutin olarak ?l?ülebilir; ?ift frekans ve ?ok frekansl? rezonans teknolojisi; D?rdüncü a?ama: 1970'lerin sonlar?nda teori ve teknoloji geli?imi olgunla?m??t?r. 1,200, 300, 500 MHz ve 600 MHz süper iletken NMR spektrometreleri; 2, uygulamada ?e?itli darbe serilerinin uygulanmas? ?nemli hale getirildi geli?tirme; 3, 2D-NMR ortaya ??kt?; 4, ?ok ?ekirdekli ara?t?rma, tüm manyetik ?ekirdeklere uygulanabilir; 5, “nükleer manyetik rezonans g?rüntüleme teknolojisi” ve di?er yeni dal disiplinleri olmu?tur.?kinci, ana ama?: 1. Yap?n?n belirlenmesi ve onaylanmas? ve bazen konfigürasyonu, konformasyonu belirleyebilir2. Bile?ik safl?k kontrolü, tiner hassasiyeti, ka??t kromatografisi yüksek3. Ana sinyal gibi kar???m analizi, ayr?lmadan kar???m?n oran?n? belirleyebilir. Proton de?i?imi, tek bir ba??n d?nü?ü, halkan?n d?nü?ümü ve varsay?m h?z?nda di?er kimyasal de?i?iklikler 1. Tüm elementlerin izotoplar?nda, ?ekirde?in yakla??k yar?s?nda d?nme hareketi vard?r. Bu spin ?ekirdekleri nükleer manyetik rezonans?n nesnesidir. Spin Kuantum: Bir tamsay?, bir yar?m tamsay? veya bir s?f?r olabilen ?ekirde?in s?kma hareketini tan?mlayan kuantum say?lar?n?n say?s?. Organik bile?ik kompozisyon elementlerinde C, H, O, N en ?nemli elementtir. ?zotoplar?nda 12C, 16O manyetik de?ildir ve bu nedenle nükleer manyetik rezonansa girmez. 1H do?al bollu?u büyük, gü?lü manyetik, belirlenmesi kolay, bu nedenle NMR ?al??mas? esas olarak proton i?indi. 13C bollu?u kü?üktür, sadece 12C 1.1% ve sinyal hassasiyeti sadece 1/64 elde etmek i?in bir proton. Yani 1H'nin sadece 1/6000'inin toplam duyarl?l???n? belirlemek daha zordur. Ancak son 30 y?lda, nükleer manyetik rezonans cihaz? büyük ?l?üde geli?tirildi, k?sa sürede 13C spektrumunda ?l?ülebilir ve daha fazla bilgi verebilir, NMR'nin ana arac? haline gelmi?tir. 1H, 19F, 31P küresel, büyük, gü?lü manyetik ve nükleer yük da??l?m?n?n bollu?u, belirlenmesi en kolay 2. Nükleer manyetik rezonans fenomenleri ecess ?nlem: Belirli bir manyetik momentle d?nme Harici manyetik alan H0'?n etkisi alt?nda, bu ?ekirdek kinematik hareket i?in a?? olu?turacakt?r: H0 (d?? manyetik alan gücü) ile orant?l? olan ?nceki kinematik h?zd?r. d?? manyetik alan y?nelimli spin nükleer: d?? manyetik alan yok, spin manyetik y?nelim kaotik. Manyetik ?ekirdek (2I + 1) y?nelimli harici manyetik alanda (H0) bulunur. D?? manyetik alandaki manyetik ?ekirde?in d?nü?ü, yer?ekimi alan?ndaki jiroskopun ?ncülü?üne (pronasyon, sal?n?m) benzer olabilir.③ nükleer manyetik rezonans ko?ullar? Manyetik rezonans manyetik alan manyetik ?ekirdeklere, harici manyetik alana sahip olmal?d?r ve RF manyetik alan?. RF manyetik alan?n?n frekans?, spin ?ekirde?inin ?nceki frekans?na e?ittir ve rezonans, dü?ük enerji durumundan yüksek enerji durumuna kadar ger?ekle?ir.④ nükleer manyetik rezonans fenomeni: Harici manyetik alan H0'?n dikey y?nünde, ?n ?ekirde?e d?nen bir manyetik alan (H1) uygulan?r. H1'in d?nme frekans? ?ekirde?in d?nme ?ncesi frekans?na e?itse, ?ekilme ?ekirde?i H1'den enerji emebilir ve dü?ük enerji durumundan yüksek enerji durumuna Nükleer manyetik rezonansa ge?i? yapabilir. Doygunluk ve rahatlama Dü?ük enerjili nükleer, yüksek enerjili nükleerden sadece 0.001% daha yüksektir. Bu nedenle, dü?ük enerji durum ?ekirde?i her zaman yüksek enerjili nükleerden daha fazlad?r, ?ünkü b?yle kü?ük bir fazlal?k, elektromanyetik dalgalar?n emilimini g?zlemleyebilir. Elektromanyetik dalgalar?n nükleer sürekli emilmesi durumunda, orijinal dü?ük enerji durumu yava? yava? azal?r, emilim sinyalinin yo?unlu?u zay?flar ve sonu?ta tamamen kaybolur, bu fenomene doygunluk denir. Doygunluk meydana geldi?inde, iki spin durumundaki ?ekirdek say?s? tamamen ayn?d?r. Harici manyetik alanda, dü?ük enerjili ?ekirdekler genellikle yüksek enerjili durumdan daha nükleerdir, elektromanyetik dalga enerjisini emer ve ?ekirde?in yüksek enerjili durumuna g?? eder, ?e?itli enerji mekanizmalar? ile serbest b?rak?l?r ve orijinal dü?ük enerji durumuna d?nme, bu sürece gev?eme denir. Kalkan etkisi - kimyasal kayma ① rezonans?n ideal durumu ?zole, ??plak ?ekirdekler i?in, ΔE = (h / 2π) γ · H; Belirli bir H0 alt?nda, bir ?ekirde?in sadece bir ΔEΔE = E d???nda = hν T, 1H emilim frekans? 100 MHz, 13C emilim frekans? 25.2 MHz② ger?ek ?ekirdek: koruyucu fenomen Elektronun d???nda nükleer (izole edilmemi?, a???a ??kmam??) Bile?iklerde: kimyasal ba?lar, hidrojen ba?lar? gibi atomlar aras? ba?lanma (rol) farkl?d?r Elektrostatik etkile?imler, moleküller aras? kuvvetlerG?rüntü: H0 = 2.3500 T'de, kalkan?n d?? elektronlar? nedeniyle, nükleer pozisyonda, ger?ek manyetik alan 2.3500 TR'den biraz daha kü?üktür. 100 MHz'den biraz daha yüksektir. 1H, 0 ila 10 ve 13C, 0 ila 250'dir Hidrojen ?ekirdeklerinin d???nda elektronlar vard?r ve manyetik alan?n manyetik alan ?izgilerini iterler. ?ekirdek i?in, ?evredeki elektronlar ekranl? (Ekranlama) etkiye sahiptir. ?ekirdek etraf?ndaki elektron bulutunun yo?unlu?u ne kadar büyük olursa, ekranlama etkisi o kadar büyük olur, onu rezonant hale getirmek i?in manyetik alan gücünde kar??l?k gelen art??. ?ekirdek etraf?ndaki elektron bulut yo?unlu?u ba?l? gruplardan etkilenir, bu nedenle farkl? kimyasal ortamlar?n ?ekirdekleri farkl? ekranlama etkilerinden muzdariptir, nükleer manyetik rezonans sinyalleri farkl? yerlerde de g?rülür. ③ Cihaz 60MHz veya 100MHz enstrüman, organik bile?ik protonun elektromanyetik dalga frekans? yakla??k 1000Hz veya 1700Hz'dir. Yap?y? belirlerken, do?ru rezonans frekans?n? belirleme ihtiyac?, genellikle g?reli frekans? belirlemek i?in genellikle standart olarak uygun bile?ik ile birka? Hz do?rulu?u gerektirir. Standart bile?i?in rezonans frekans? ile bir protonun rezonans frekans? aras?ndaki farka kimyasal kayma denir. H NMR spektroskopisi bilgileri Sinyal say?s?: molekülde ka? farkl? proton türü bulunur Sinyalin konumu: her protonun elektronik ortam?, kimyasal kayma Sinyalin yo?unlu?u: her protonun say?s? veya say?s?Split durumu: ka? Farkl? protonlar mevcuttur: Organik bile?iklerin yayg?n türlerinin kimyasal kaymas?yla indüklenen etki - konjugat etkisi Konjugasyon etkisi, π elektronlar?n anizotropik etkisinin yer de?i?tirmesi nedeniyle proton korumas? ile zay?f veya artm??t?r.H'nin kimyasal elektronlara g?re kimyasal kaymas?n? a??klamak zordur ve elektronegatiflik H anahtar etkisini ROH, 0.5-5'te RNH2, 4-7'de ArOH, de?i?im aral???, bir?ok fakt?rün etkisini a??klamak zordur; hidrojen ba??yla s?cakl?k, ??zücü, konsantrasyon ?nemli ?l?üde de?i?ir, hidrojen ba?lar? ile ilgili yap? ve de?i?iklikleri anlayabilirsiniz. ⑤ ??zücü etkisi Benzen DMF ile bir kompleks olu?turur. Benzen halkas?n?n elektron bulutu, DMF'nin pozitif taraf?n? ?ekerek negatif taraf? reddeder. a metil koruyucu b?lgede, rezonans yüksek alana hareket eder; ve β metil maskeleme b?lgesindedir, rezonans emilimi dü?ük alana hareket eder ve sonu?, iki emilim tepe konumunun de?i?tirilmesidir.
Kaynak: Meeyou Carbide