1.Разработка процесса криогенной обработки

Криогенная обработка обычно использует охлаждение жидким азотом, которое может охладить заготовку до температуры ниже – 190 ℃. Микроструктура обработанного материала изменяется при низкой температуре, улучшаются некоторые свойства. Криогенная обработка была впервые предложена в бывшем Советском Союзе в 1939 году. Только в 1960-х годах Соединенные Штаты применили технологию криогенной обработки в промышленности и начали использовать ее в основном в области авиации. В 1970-х годах компания расширилась до машиностроительной отрасли.

По различным методам охлаждения его можно разделить на жидкостный и газовый. Жидкостный метод означает, что материал или заготовка непосредственно погружаются в жидкий азот для охлаждения заготовки до температуры жидкого азота, и заготовка выдерживается при этой температуре в течение определенного периода времени, затем ее вынимают и нагревают до определенной температуры. . Таким способом трудно контролировать скорость повышения и понижения температуры, что оказывает сильное термическое воздействие на заготовку и, как обычно считается, может привести к ее повреждению. Криогенное оборудование относительно простое, например резервуар с жидким азотом.

2. газовый метод криогенной обработки

Газовый принцип заключается в охлаждении за счет скрытой теплоты газификации жидкого азота (около 199,54 кДж/кг) и поглощения тепла низкотемпературным азотом. Газовый метод позволяет достичь криогенной температуры – 190 ℃, так что криогенный азот может контактировать с материалами. Благодаря конвекционному теплообмену азот может испаряться в криогенной камере после выброса из сопла. Заготовка может охлаждаться за счет скрытой теплоты газификации и поглощения тепла криогенным азотом. Контролируя подачу жидкого азота для контроля скорости охлаждения, можно автоматически регулировать и точно контролировать температуру криогенной обработки, а эффект теплового удара невелик, поэтому вероятность растрескивания мала.

В настоящее время газовый метод широко признан исследователями в своем применении, а его охлаждающее оборудование в основном представляет собой программируемый криогенный бокс с регулируемой температурой. Криогенная обработка может значительно увеличить срок службы, износостойкость и стабильность размеров черных металлов, цветных металлов, металлических сплавов и других материалов со значительными экономическими преимуществами и рыночными перспективами.

О криогенной технологии цементированного карбида впервые сообщили в 1980-х и 1990-х годах. Механическая технология Японии в 1981 году и Современный механический цех США в 1992 г. сообщили, что характеристики цементированных карбидов значительно улучшились после криогенной обработки. С 1970-х годов исследования по криогенной обработке за рубежом ведутся плодотворно. В бывшем Советском Союзе, США, Японии и других странах криогенная обработка успешно применялась для повышения срока службы инструментов и штампов, износостойкости заготовок и стабильности размеров.

3. Усиление механизма криогенной обработки.

Армирование металлической фазой.

Co в цементированных карбидах имеет ГЦК-кристаллическую структуру α-фазы (ГЦК) и плотно упакованную гексагональную кристаллическую структуру ε-фазы (ГПУ). Соотношение ε-Co α-Co имеет малый коэффициент трения и высокую износостойкость. Выше 417 ℃ α Свободная энергия фазы низкая, поэтому существует форма Co α Phase. Ниже 417 ℃ ε Фаза с низкой свободной энергией, стабильная фаза при высокой температуре α Фазовый переход в фазу с низкой свободной энергией ε. Однако из-за частиц WC и α Существование в фазе гетероатомов твердого раствора оказывает большее ограничение на фазовый переход, делая α → ε При увеличении сопротивления фазовому переходу и снижении температуры ниже 417 ℃ α Фаза не может полностью преобразоваться в фазу ε. Криогенная обработка может быть значительно увеличена α И ε Двухфазная разность свободной энергии, тем самым увеличивая движущую силу фазового перехода ε Переменная фазового перехода. Для твердого сплава после криогенной обработки некоторые атомы, растворенные в Со, выделяются в виде соединения из-за снижения растворимости, что может увеличивать твердую фазу в матрице Со, препятствовать движению дислокаций и играть роль в упрочнении второй фазы. частицы.

Упрочнение поверхностных остаточных напряжений.

Исследование после криогенной обработки показывает, что поверхностные остаточные напряжения сжатия увеличиваются. Многие исследователи считают, что определенное значение остаточных сжимающих напряжений в поверхностном слое позволяет значительно увеличить срок его службы. В процессе охлаждения твердого сплава после спекания связующая фаза Со подвергается растягивающему напряжению, а частицы WC — сжимающему. Растягивающие напряжения сильно повреждают Co. Поэтому некоторые исследователи считают, что увеличение поверхностных сжимающих напряжений, вызванное глубоким охлаждением, замедляет или частично компенсирует растягивающие напряжения, создаваемые связующей фазой в процессе охлаждения после спекания, или даже регулирует их до сжимающее напряжение, уменьшающее образование микротрещин.

Другие механизмы укрепления

Считается, что η частицы фазы вместе с частицами WC делают матрицу более компактной и прочной, а за счет η образования фазы расходуется Co в матрице. Уменьшение содержания Co в связующей фазе увеличивает общую теплопроводность материала, а увеличение размера частиц карбида и их прилегания также увеличивает теплопроводность матрицы. Из-за увеличения теплопроводности теплоотвод наконечников инструментов и штампов происходит быстрее; Повышается износостойкость и жаропрочность инструментов и штампов. Другие считают, что после криогенной обработки за счет усадки и уплотнения Со усиливается прочная роль Со в удерживании частиц WC. Физики считают, что глубокое охлаждение изменило структуру атомов и молекул металлов.

4. Случай холодной высадки головки YG20 с криогенной обработкой

Этапы криогенной обработки опалубки холодного пирса YG20:

(1) Поместите спеченную головку холодной высадки в печь для криогенной обработки;

(2) Запустите интегрированную печь криогенного отпуска, откройте жидкий азот, уменьшите его до - 60 ℃ с определенной скоростью и поддерживайте температуру в течение 1 часа;

(3) Уменьшить до – 120 ℃ с определенной скоростью и поддерживать температуру в течение 2 часов;

(4) снизить температуру до – 190 ℃ при определенной скорости охлаждения и поддерживать температуру в течение 4-8 часов;

(5) После сохранения тепла температура должна быть повышена до 180 ℃ со скоростью 0,5 ℃/мин в течение 4 часов.

(6) После того, как программное оборудование будет завершено, оно автоматически выключится и естественным образом охладится до комнатной температуры.

Вывод: головка холодной высадки YG20 без криогенной обработки и после криогенной обработки представляет собой винтовой стержень из углеродистой стали Φ 3,8 с холодной головкой, результаты показывают, что срок службы матрицы после криогенной обработки более чем на 15% больше, чем срок службы матрицы без криогенной обработки. .

Можно видеть, что по сравнению с тем, что было до криогенной обработки, гранецентрированный кубический кобальт (ГЦК) в YG20 после криогенной обработки значительно снижается, ε- Очевидное увеличение Со (ГПУ) также является причиной улучшения износостойкости и всесторонние свойства цементированных карбидов.

5. Ограничения процесса криогенной обработки

Результаты практического применения компании по производству инструментов и штампов в США показывают, что срок службы твердосплавных вставок после обработки увеличивается в 2–8 раз, а цикл правки волочильных волок из цементированного карбида после обработки увеличивается с нескольких недель. до нескольких месяцев. В 1990-х годах проводились отечественные исследования по криогенной технологии твердого сплава, и были достигнуты определенные результаты исследований.

В целом, исследования по технологии криогенной обработки твердого сплава в настоящее время менее развиты и не систематизированы, а полученные выводы также противоречивы, что требует дальнейшего углубленного изучения исследователями. Согласно имеющимся данным исследований, криогенная обработка в основном повышает износостойкость и срок службы твердого сплава, но не оказывает явного влияния на физические свойства.

Edge radius processing is an indispensable process after fine grinding of CNC tools and before coating. The purpose is to make the cutting edge smooth and smooth, and extend the tool life. There are 9 methods of edge radius treatment of CNC tools introduced by Meetyou. Let’s get to know it.

Edge radius?treatment of the cutting tools of the machining center refers to the process of leveling, polishing and deburring the cutting tools, including edge passivation, chip removal groove polishing and coating polishing.

1. Resistance to tool physical wear

In the cutting process, the tool surface will be gradually consumed by the workpiece, and the cutting edge is prone to plastic deformation under high temperature and high pressure. The passivation treatment of tools can help improve the rigidity of tools and avoid premature loss of cutting performance of tools.

2. Maintain the smoothness of the workpiece

Burrs on the cutting edge of the tool will cause tool wear, and the surface of the machined workpiece will become rough. After passivation treatment, the cutting edge of the tool will become very smooth, the phenomenon of edge collapse will be reduced accordingly, and the surface finish of the workpiece will also be improved.

3. Convenient groove chip removal

Polishing the tool groove can improve the surface quality and chip removal performance. The smoother the groove surface, the better chip removal will be, and more consistent cutting can be achieved.

After passivation and polishing, the tools of CNC machine tools will leave many small holes on the surface. These holes can absorb more cutting fluid during machining, which will greatly reduce the heat generated during cutting and greatly improve the cutting speed.

9 kinds of edge radius processing methods

Grinding wheel edge radius?method

This is the earliest and most widely used passivation technology.

Nylon brush?edge radius?method

it is a common method to coat the abrasive medium of fine particles on the brush wheel or brush disc of nylon material, and re move the cutter through the high-speed rotation of the brush.

Sand blasting method

it is divided into dry sand blasting and wet sand blasting. It is also a common method of edge radius processing. Compared with nylon brush method, this process accomplish?a higher consistency of edges.

Stirring method of edge radius processing

This method is to put the whole tool into the abrasive bucket before treatment, and position the depth of the tool through the laser sensor to ensure the quality of treatment. The blade consistency of this process is also higher than that of nylon brush method.

Electrochemical mechanical edge radius processing

This is a composite process that combines electrochemical machining and mechanical grinding. First, electrolytic deburring, and then mechanical grinding to remove oxide film.

Laser method: it is a passivation technology developed on the basis of laser cladding technology. It can produce high heat on the blade surface by laser, melt some materials, and achieve the effect of passivating the blade.

Vibration edge radius processing method

 the main processing device includes a vibration table and a worktable. The blade is placed in a container that is connected with the vibration body. The container is filled with abrasive particles. The abrasive particles and the blade repeatedly collide to remove trace materials on the cutting edge through collision to achieve edge passivation.

Magnetic abrasive method

This is a edge radius processing that applies a magnetic field in the direction perpendicular to the axis of the cylindrical surface of the workpiece, and adds magnetic abrasive between the magnetic field S and N poles. The magnetic abrasive will be adsorbed on the magnetic pole and the workpiece surface, and will be arranged into a flexible “abrasive brush” along the direction of the magnetic line of force. The cutter rotates and vibrates axially at the same time to remove the metal and burrs on the workpiece surface.

Micro abrasive water jet technology: a new and environment-friendly processing technology, which forms a liquid-solid high-energy jet through the control of the pressurizer and nozzle diameter, and realizes passivation treatment by high-speed and repeated collision on the workpiece.

Etching is a technology that uses chemical strong acid corrosion, mechanical polishing or electrochemical electrolysis to treat the surface of objects. In addition to enhancing aesthetics, it also increases the added value of objects. From traditional metal processing to high-tech semiconductor manufacturing, they are all within the scope of application of etching technology.

Metal etching is a technology to remove metal materials through chemical reaction or physical impact. Metal etching technology can be divided into wet etching and dry etching. Metal etching consists of a series of chemical processes. Different etchants have different corrosion characteristics and strength for different metal materials.

Metal etching, also known as photochemical etching, refers to the removal of the protective film of the metal etching area after exposure, plate making, development and contact with the chemical solution in the process of metal etching, so as to achieve dissolution corrosion, formation of bumps, or hollowing out. It was first used to manufacture printed concave convex plates such as copper plate and zinc plate. It is widely used to reduce the weight of instrument panel or process thin workpieces such as nameplate. Through the continuous improvement of technology and process equipment, etching technology has been applied to aviation, machinery, chemical industry and semiconductor manufacturing processes for the processing of precision metal etching products of electronic thin parts.

Types of etching technology

Wet etching:

Wet etching is to immerse the wafer into a suitable chemical solution or spray the chemical solution onto the wafer for quenching, and remove the atoms on the surface of the film through the chemical reaction between the solution and the etched object, so as to achieve the purpose of etching During wet etching, the reactants in the solution first diffuse through the stagnant boundary layer, and then reach the wafer surface to produce various products through chemical reactions. The products of etching chemical reaction are liquid or gas phase products, which are then diffused through the boundary layer and dissolved in the main solution. Wet etching will not only etch in the vertical direction, but also have the effect of horizontal etching.

Dry etching:

Dry etching is usually one of plasma etching or chemical etching. Due to different etching effects, the physical atoms of ions in the plasma, the chemical reaction of active free radicals and the surface atoms of devices (wafers), or the combination of the two, include the following contents:

physical etching: sputtering etching, ion beam etching

chemical etching: plasma etching

physicochemical composite etching: reactive ion etching (RIE)

Dry etching is a kind of anisotropic etching, which has good directivity, but the selectivity is worse than wet etching. In plasma etching, plasma is a partially dissociated gas, and gas molecules are dissociated into electrons, ions and other substances with high chemical activity. The biggest advantage of dry etching is “anisotropic etching”. However, the selectivity of dry etching is lower than that of wet etching. This is because the etching mechanism of dry etching is physical interaction; Therefore, the impact of ions can remove not only the etching film, but also the photoresist mask.

Etching process

According to the type of metal, the etching process will be different, but the general etching process is as follows: metal etching plate → cleaning and degreasing → water washing → drying → film coating or silk screen printing ink → drying → exposure drawing → development → water washing and drying → etching → film stripping → drying → inspection → finished product packaging.

1. Cleaning process before metal etching:

The process before etching stainless steel or other metals is cleaning treatment, which is mainly used to remove dirt, dust, oil stains, etc. on the material surface. The cleaning process is the key to ensure that the subsequent film or screen printing ink has good adhesion to the metal surface. Therefore, the oil stain and oxide film on the metal etching surface must be completely removed. Degreasing shall be determined according to the oil stain of the workpiece. It is best to degrease the silk screen printing ink before electric degreasing to ensure the degreasing effect. In addition to the oxide film, the best etching solution shall be selected according to the type of metal and film thickness to ensure surface cleanliness. It must be dry before screen printing. If there is moisture.

2. Paste dry film or silk screen photosensitive adhesive layer:

According to the actual product material, thickness and the exact width of the figure, it is determined to use dry film or wet film silk screen printing. For products with different thicknesses, factors such as the etching processing time required for product graphics should be considered when applying the photosensitive layer. It can make a thicker or thinner photosensitive adhesive layer with good coverage performance and high definition of patterns produced by metal etching.

3. Drying:

After the completion of film or roll screen printing ink, the photosensitive adhesive layer needs to be thoroughly dried to prepare for the exposure process. At the same time, ensure that the surface is clean and free of adhesion, impurities, etc.

4. Exposure:

This process is an important process of metal etching, and the exposure energy will be considered according to the thickness and accuracy of the product material. This is also the embodiment of the technical ability of etching enterprises. The exposure process determines whether the etching can ensure better dimensional control accuracy and other requirements.

5. Development:

After the photosensitive adhesive layer on the surface of the metal etching plate is exposed, the pattern adhesive layer is cured after exposure. Then, the unwanted part of the pattern, that is, the part that needs corrosion, is exposed. The development process also determines whether the final size of the product can meet the requirements. This process will completely remove the unnecessary photosensitive adhesive layer on the product.

6. Etching or etching process:

After the product prefabrication process is completed, the chemical solution will be etched. This process determines whether the final product is qualified. This process involves etching solution concentration, temperature, pressure, speed and other parameters. The quality of the product needs to be determined by these parameters.

7. Removal:

The surface of the etched product is still covered with a layer of photosensitive adhesive, and the photosensitive adhesive layer on the surface of the etched product needs to be removed. Because the photosensitive adhesive layer is acidic, it is mostly expanded by acid-base neutralization method. After overflow cleaning and ultrasonic cleaning, remove the photosensitive adhesive layer on the surface to prevent photosensitive adhesive residue.

8. Test:

After the film is taken, the following is testing, packaging, and the final product is confirmed whether it meets its specifications.

Precautions in etching process

reduce side corrosion and protruding edges and improve metal etching processing coefficient: generally, the longer the printed board is in the metal etching solution, the more serious the side etching is. Undercutting seriously affects the accuracy of printed wire, and serious undercutting will not make thin wire. When the undercut and edge decrease, the etching coefficient increases. The high etching coefficient indicates that the thin line can be maintained and the etched line is close to the size of the original image. Whether the plating resist is tin lead alloy, tin, tin nickel alloy or nickel, the excessively protruding edge will lead to short circuit of the conductor. Because the protruding edge is easy to break, an electric bridge is formed between two points of the conductor.

improve the consistency of etching processing rate between plates: in continuous plate etching, the more consistent the metal etching processing rate, the more uniform etching plate can be obtained. In order to maintain the best etching state in the pre etching process, it is necessary to select an etching solution that is easy to regenerate and compensate and easy to control the etching rate. Select technologies and equipment that can provide constant operating conditions and automatically control various solution parameters. It can be realized by controlling the amount of copper dissolved, pH value, solution concentration, temperature, uniformity of solution flow, etc.

improve the uniformity of the metal etching processing speed of the whole plate surface: the etching uniformity of the upper and lower sides of the plate and each part of the plate surface is determined by the uniformity of the flow rate of the metal etching solution on the plate surface. In the etching process, the etching rates of the upper and lower plates are often inconsistent. The etching rate of the lower plate surface is higher than that of the upper plate surface. Due to the accumulation of solution on the surface of the upper plate, the etching reaction is weakened. The uneven etching of the upper and lower plates can be solved by adjusting the injection pressure of the upper and lower nozzles. The spray system and the oscillating nozzles can further improve the uniformity of the whole surface by making the spray pressure of the center and edge of the plate different.

Advantages of etching process

Because the metal etching process is etched by chemical solution.

maintain high consistency with raw materials. It does not change the properties, stress, hardness, tensile strength, yield strength and ductility of the material. The base processing process is etched in the equipment in an atomized state, and there is no obvious pressure on the surface.

no burrs. In the process of product processing, there is no pressing force in the whole process, and there will be no crimping, bumping and pressing points.

it can cooperate with the post process stamping to complete the personalized molding action of the product. The hanging point method can be used for full plate electroplating, bonding, electrophoresis, blackening, etc., which is more cost-effective.

it can also cope with miniaturization and diversification, short cycle and low cost.

Application field of etching processing

consumer electronics

filtration and separation technology

Aerospace

medical equipment

precision machinery

car

high end crafts

Цементированный карбид является разновидностью цементированного карбида, который получают методом порошковой металлургии из твердого соединения тугоплавкого металла и связующего металла. Из-за хорошей твердости и прочности он широко используется во многих областях. Поскольку требования к характеристикам при высоких температурах и коррозионной стойкости цементированных карбидных материалов становятся все выше и выше, характеристики существующих цементированных карбидных материалов трудно удовлетворять требованиям его использования. За последние 30 лет многие ученые провели экспериментальные исследования соединений на основе WC и получили ряд результатов исследований.

Туалетные металлы

WC-Co

Цементным материалом, широко используемым в карбиде вольфрама, является кобальт. Система WC Co была тщательно изучена. Добавление CO делает WC хорошим смачиваемым и адгезионным. Кроме того, как показано на рисунке 13.2, добавление СО также может значительно улучшить прочность и ударную вязкость.

Рис. 13.3. Электронно-микроскопический снимок обратного рассеяния порошка WC Co, на котором показаны внешние и поперечные структуры: (a), (b) F8; (с), (d) М8; и (E), (f) C8.

Он выполнил электронную визуализацию с обратным рассеянием порошков F8, M8 и C8 и их полированных срезов. Было отмечено, что все порошки имеют типичную сферическую форму. Порошок F8 показывает плотное накопление мелких карбидов, в то время как порошок M8 и C8 показывает относительно рыхлую структуру накопления с некоторыми порами. На полированном сечении все образцы демонстрируют явное явление рассеяния, а твердость и износостойкость обратно пропорциональны содержанию кобальта. Твердость по Виккерсу (HV) варьируется от 1500 до 2000 HV30, а вязкость разрушения колеблется от 7 до 15 МПа / м2. Это существенное изменение является функцией состава карбида, микроструктуры и химической чистоты.

Вообще говоря, чем меньше размер частиц, тем выше твердость и лучше износостойкость. Чем выше объемная доля СО, тем выше вязкость разрушения, но ниже твердость и износостойкость (Jia et al., 2007). Поэтому, чтобы получить лучшую производительность, неизбежно рассмотреть возможность использования других вяжущих материалов.

С другой стороны, из-за вышеуказанных причин, он не является научным по стратегии и легко влияет на ценовой тренд. Кроме того, комбинация WC и пыли может вызывать беспокойство, потому что они более смертоносны, чем одноразовое использование.

WC-Ni

Никель дешевле и его легче получить, чем кобальт. Обладает хорошей жесткостью. Его можно использовать для улучшения характеристик коррозии / окисления, высокой температуры и износостойкости в суровых условиях. По сравнению со сплавом WC Co пластичность материала ниже. Поскольку никель хорошо растворяется в WC, он используется в качестве клея для подложек WC, что приводит к прочной связи между ними.

WC-Ag

Добавление Ag делает WC своего рода дугостойким материалом. Под действием тока перегрузки WC часто загружается в коммутационные устройства, что можно отнести к общеизвестному электрическому контактному сопротивлению (RC) последних. Следует отметить, что удельное сопротивление композита WC Ag уменьшается с увеличением содержания Ag, а твердость уменьшается с увеличением содержания Ag, что связано с большой разницей между твердостью WC и Ag. Кроме того, крупные зерна WC имеют очень низкое и стабильное контактное сопротивление.

На рисунке 13.4 показано среднее сопротивление электрического контакта (RC), создаваемое переключателем

Цикл 11e50 с различным содержанием серебра и размером частиц WC, поскольку наблюдается, что RC большинства материалов является стабильным после 10 циклов переключения. Контактное сопротивление серебра составляет от 50 до 55 мас. 0,8 и 1,5 мм. Таким образом, это определяет первоначальный состав инвестиций, где матрица Ag полностью взаимосвязана. Для фиксированных компонентов наблюдалось уменьшение контактного сопротивления между размером частиц WC от 1,5 до 4 мм, что также отмечает порог проникновения.

WC-Re

Ученые используют карбид вольфрама для усиления рения, чтобы получить лучшую производительность, чем WC Co, потому что RE может принести твердость при высоких температурах и хорошее сочетание

На рисунке 13.4 отношение среднего электрического контактного сопротивления при различном содержании Ag и размерах частиц WC к контактному сопротивлению субстрата WC во время циклов 11-50 составляет Co или Ni. В соответствии с микроструктурными характеристиками коэффициента WC (содержание RE 20%), описано, что коэффициент WC сохраняется в СО и продолжает образовывать структуру HCP, таким образом улучшая твердость сплава. Исследователи также усилили содержание никеля в WC и обнаружили аналогичные выводы. Благодаря высокой твердости и удвоенной прочности WC Co, сплав используется для изготовления конкурентоспособных инструментальных деталей. При холодном прессовании порошков WC и Re с последующим запатентованным процессом горячего прессования наблюдалось более 2400 кг / мм ~ 2 HV (по сравнению с 1700 кг / мм ~ 2 для WC-Co)

Туалет интерметаллис

WC-FeAl

В последние несколько десятилетий интерметаллические соединения в качестве керамических клеев привлекают внимание людей. Алюминий железа обладает превосходной стойкостью к окислению и коррозии, низкой токсичностью, высокой твердостью, хорошей износостойкостью, высокой температурной стабильностью и хорошей смачиваемостью. Термодинамически подходит для туалета в качестве связующего. Твердость и вязкость разрушения WC FeAl и WC Co в основном одинаковы. Твердость и износостойкость сплава WC Co аналогичны таковым у обычного сплава WC Co. Можно считать, что, если размер зерна можно оптимизировать, можно заменить традиционную WC Co. Кривая распределения размера частиц смешанного порошка WC FeAl, полученного различными процессами измельчения и / или сушки шаров, показана на рисунке 13.5. Три кривые на рисунке 13.5 имеют бимодальное распределение. На рисунке 13.5 левый пик с меньшим размером частиц соответствует левому пику одной частицы WC. Правильное пиковое значение большего размера частиц соответствует пиковому значению фрагментов FeAl, содержащих некоторые частицы WC. Когда правильный пик перемещается, левый пик не зависит от процесса измельчения и / или сушки. Правильный пик порошка DR (дегидратированный этанол в качестве растворителя для быстрого высыхания) сдвигается к соответствующему пику двух других порошков.

Рис. 13.5. Распределение частиц по размерам смешанных порошков WC-FeAl, полученных различными порошковыми процессами.

WC-керамика

WC-MgO,

Wc-mgo композитные материалы широко используются из-за добавления частиц MgO в матрицу WC, что мало влияет на твердость и значительно улучшает ударную вязкость материалов. Твердость обратно пропорциональна ударной вязкости, но в случае этого сплава ударная вязкость достигается, когда потеря твердости очень мала. Добавление небольшого количества VC, Cr3C2 и других ингибиторов роста зерна к исследуемому материалу может не только контролировать рост зерна в процессе спекания, но также улучшать механические свойства материала.

WC-Al2O3,

Здесь следует упомянуть, что Al2O3 используется в качестве армирующего материала для туалета, и наоборот, из-за его превосходных механических и физических свойств.

Температура спекания и время выдержки оказывают существенное влияние на микроструктуру и механические свойства композита wc-40vol% Al2O3. С увеличением температуры спекания и времени выдержки относительная плотность и размер частиц увеличиваются. В то же время значения высокого давления и вязкости разрушения сначала увеличиваются, а затем уменьшаются. Микроструктура пути трещины обнаруживает наличие перекрытия трещины и отклонения трещины. В композитах wc-40vol% Al 2O 3 основным механизмом закалки является образование вторичных и боковых трещин. Другое исследование показывает, что HV составляет около 20e25gpa, а вязкость разрушения составляет 5e6mpa.m1 / 2.

На рисунке 13.6 показана тенденция изменения твердости, вязкости разрушения и поперечной прочности на разрыв с содержанием глинозема. Следует отметить, что эти значения весьма отличаются от сообщенных (Mao et al., 2015). Чистый WC имеет самую высокую твердость и самую низкую вязкость разрушения. Добавление Al2O3 улучшает вязкость разрушения, но твердость чистого глинозема ниже, чем у чистого WC, и твердость композита wc-al2o3 уменьшается. Различные результаты на рисунке 13.6 показывают, что механические свойства зависят не только от содержания глинозема, но также от процесса производства и качества различных субстратов. 

Туалетные абразивы

WC cBN

Поскольку CBN обладает превосходной твердостью, термической стабильностью и реакционной активностью с железом, добавление CBN к WC Co может улучшить износостойкость, твердость и механические свойства материала. Как только CBN укреплен в матрице WC, будет получена сильная адгезия. Кроме того, лучшую вязкость разрушения можно получить путем отклонения трещин или перекрытия частиц CBN. Двумя основными препятствиями в процессе добавления CBN являются превращение CBN в hBN и сильная ковалентная связь между B и N, что приводит к низкой способности к спеканию CBN и цементированного карбида.

Туалетные алмазы

WC-алмаз обладает отличной вязкостью разрушения, устойчивостью к росту трещин и отражением. Этот материал может быть изготовлен только в термодинамических условиях, чтобы алмаз не превратился в графит. Благодаря большему количеству исследований, направленных на улучшение характеристик этого материала, мы можем восполнить огромный разрыв в затратах, что очень необходимо.

欧美人妻精品一区二区三区99,中文字幕日韩精品内射,精品国产综合成人亚洲区,久久香蕉国产线熟妇人妻

<sub id="fsofl"></sub>

Введение Сталь охлаждают, нагревая сталь до температуры выше критической температуры Ac3 (гипоэвтектоидная сталь) или Ac1 (гиперэвтектоидная сталь), выдерживая ее в течение некоторого времени, чтобы полностью или частично аустенизировать, а затем охлаждают при температура выше критической скорости охлаждения Быстрое охлаждение до уровня ниже Ms (или Ms вблизи изотермического) мартенситного (или бейнитного) процесса термообработки. Обработка раствора такими материалами, как алюминиевые сплавы, медные сплавы, титановые сплавы, закаленное стекло и т. Д., Или процессами термической обработки с быстрым охлаждением также обычно называют закалкой. Закалка - это распространенный процесс термообработки, в основном используемый для повышения твердости материала. Обычно из закалочной среды, можно разделить на закалку водой, закалку нефтью, закалку органикой. С развитием науки и техники появились некоторые новые процессы закалки.1 Метод закаливания под высоким давлением с воздушным охлаждениемКорпус в сильном потоке инертного газа быстро и равномерно охлаждает, чтобы предотвратить окисление поверхности, избежать растрескивания, уменьшить искажения, чтобы гарантировать, что требуемая твердость, в основном для закалки инструментальной стали. Эта технология в последнее время быстро развивалась, и спектр применения также значительно расширился. В настоящее время технология вакуумного закалки газа развивается быстрыми темпами, и при отрицательном давлении (<1 × 105 Па) происходит охлаждение газа с высокой скоростью потока с последующим охлаждением газа и воздуха высокого давления (1 × 105 ~ 4 × 105 Па) 10 × 105 Па). с охлаждением, сверхвысокого давления (10 × 105 ~ 20 × 105 Па) с воздушным охлаждением и другими новыми технологиями не только значительно повышают способность воздушного охлаждения к вакуумному гашению, но и закаливают яркость поверхности заготовки хорошая, небольшая деформация, но Также высокая эффективность, энергосбережение, отсутствие загрязнений и так далее. Применение вакуумной закалки под высоким давлением с газовым охлаждением заключается в закалке и отпуске материалов, раствора, старении, ионном цементации и карбонитрировании нержавеющей стали и специальных сплавов, а также в вакуумном спекании, охлаждении и закалке после пайки. При охлаждении азотом высокого давления 6 × 105 Па, нагрузка может охлаждаться только свободно, быстрорежущая сталь (W6Mo5Cr4V2) может быть закалена до 70 ~ 100 мм, высоколегированная горячекатаная сталь до 25 ~ 100 мм, золото холодное сталь для рабочих штампов (например, Cr12) до 80 ~ 100 мм. При охлаждении азотом высокого давления 10 × 10 5 Па охлажденная нагрузка может быть интенсивной, увеличивая плотность нагрузки примерно на 30% до 40% при охлаждении 6 × 10 5 Па. При охлаждении сверхвысокой скоростью 20 × 10 5 Па азот под давлением или смесь гелия и азота, охлажденные нагрузки плотны и могут быть связаны вместе. Плотность азотного охлаждения 6 × 105 Па, от 80% до 150%, может охлаждать всю быстрорежущую сталь, высоколегированную сталь, инструментальную сталь для горячей обработки и хромистую сталь Cr13% и более легированную сталь, закаленную в масле, например, более крупную сталь 9Mn2V. Двухкамерные закалочные печи с воздушным охлаждением с отдельными камерами охлаждения имеют лучшую охлаждающую способность, чем однокамерные печи того же типа. Двухкамерная печь с охлаждением азотом 2 × 105 Па имеет тот же охлаждающий эффект, что и однокамерная печь 4 × 105 Па. Тем не менее, эксплуатационные расходы, низкие затраты на техническое обслуживание. Как основные материалы промышленности Китая (графит, молибден и т. Д.) И вспомогательные компоненты (двигатель) и другие уровни должны быть улучшены. Поэтому, чтобы улучшить однокамерную вакуумную систему высокого давления с давлением 6 × 105 Па, одновременно поддерживая развитие двухкамерной закалочной печи высокого давления с воздушным охлаждением, в соответствии с национальными условиями Китая. вакуумная печь с охлаждением2 метод сильного гашения. Обычное гашение обычно проводится при охлаждении маслом, водой или раствором полимера, а правило сильного гашения - водой или малыми концентрациями соленой воды. Сильное охлаждение характеризуется чрезвычайно быстрым охлаждением, не беспокоясь о чрезмерных деформациях стали и растрескивании. При обычном охлаждении до температуры охлаждения, поверхностного натяжения стали или состояния низкого напряжения и сильного охлаждения в середине охлаждения сердце заготовки все еще находится в горячем состоянии, чтобы прекратить охлаждение, так что образуется поверхностное сжимающее напряжение. В условиях жесткой закалки переохлажденный аустенит на поверхности стали подвергается сжимающему напряжению 1200 МПа, когда скорость охлаждения зоны мартенситного превращения выше 30 м / с, так что предел текучести стали после закалки увеличивается как минимум на 25%. Принцип: Сталь из-за аустенизации температурного гашения, разность температур между поверхностью и сердцем приведет к внутреннему напряжению. Фазовое изменение удельного объема пластического фазового превращения и фазового перехода также вызовет дополнительное напряжение фазового превращения. Если наложение термического напряжения и фазового перехода напряжения, то есть общее напряжение превышает предел текучести материала, произойдет пластическая деформация; Если напряжение превышает предел прочности горячей стали, образуется закалочная трещина. Во время интенсивного гашения остаточное напряжение, вызванное пластичностью фазового перехода, и остаточное напряжение увеличиваются из-за удельного изменения объема превращения аустенит-мартенсит. При интенсивном охлаждении поверхность заготовки сразу же охлаждается до температуры ванны, температура сердца практически не изменяется. Быстрое охлаждение вызывает высокое растягивающее напряжение, которое сжимает поверхностный слой и уравновешивается напряжением сердца. Увеличение градиента температуры увеличивает растягивающее напряжение, вызванное начальным мартенситным превращением, в то время как увеличение температуры начала мартенситного превращения Ms приведет к расширению поверхностного слоя вследствие пластичности фазового перехода, поверхностное растягивающее напряжение будет значительно уменьшено и преобразовано. в напряжение сжатия, поверхностное напряжение сжатия пропорционально количеству произведенного поверхностного мартенсита. Это поверхностное напряжение сжатия определяет, подвергается ли сердце мартенситному превращению в условиях сжатия или, при дальнейшем охлаждении, восстанавливает поверхностное растягивающее напряжение. Если мартенситная трансформация расширения объема сердца достаточно велика, а поверхностный мартенсит очень твердый и хрупкий, то он создаст поверхностный слой из-за разрыва обратной нагрузки. Для этого на стальной поверхности должно появиться сжимающее напряжение, а мартенситное превращение сердца должно произойти как можно позже. Сильное испытание на закалку и характеристики закалки стали: Преимущество метода сильного закаливания заключается в формировании сжимающего напряжения на поверхности, что снижает риск образования трещин и улучшить твердость и прочность. Поверхностное образование мартенсита 100%, сталь получит наибольший упрочненный слой, она может заменить более дорогую сталь углеродистой стали, сильное закалка может также способствовать однородным механическим свойствам стали и производить наименьшее искажение заготовки. Детали после закалки, срок службы при переменной нагрузке может быть увеличен на порядок. [1] Рис. 2 Вероятность образования сильной закалочной трещины и соотношение скорости охлаждения3. Способ охлаждения водовоздушной смеси. Регулируя давление воды и воздуха и расстояние между распылительным соплом и поверхностью заготовки, охлаждающую способность водовоздушной смеси. можно варьировать и охлаждение может быть равномерным. Производственная практика показывает, что применение закона о форме сложных деталей из углеродистой стали или легированной стали индукционной закалки с поверхностным упрочнением, которое может эффективно предотвратить образование закалочных трещин. Рисунок 3 Водовоздушная смесь4 Способ закаливания в кипящей водеИспользование 100 cooling Охлаждение кипящей водой , может получить лучший эффект закалки, для закалки или нормализации стали. В настоящее время эта технология успешно применяется для закалки ковкого чугуна. В качестве примера взят алюминиевый сплав. В соответствии с текущими спецификациями по термообработке для поковок и поковок из алюминиевого сплава температура охлаждающей воды обычно регулируется ниже 60 ° C, температура охлаждающей воды низкая, скорость охлаждения высокая и большой остаток стресс после закалки происходит. В окончательной обработке внутреннее напряжение выходит из равновесия из-за несогласованности формы и размера поверхности, что приводит к снятию остаточного напряжения, в результате чего деформированные, изогнутые, овальные и другие деформированные части обработанной детали становятся необратимыми конечными отходами. с серьезной потерей. Например: пропеллер, лопасти компрессора и другие деформации ковки алюминиевого сплава после механической обработки очевидны, что приводит к допуску размера деталей. Температура закалочной воды увеличилась с комнатной температуры (30-40 ℃) до температуры кипящей воды (90-100 ℃), среднее остаточное напряжение при ковке уменьшилось примерно на 50%. [2] Рисунок 4: схема закалки в кипящей воде5 метод закалки горячим масломИспользование масла для горячего закалки, так что заготовка перед дальнейшим охлаждением при температуре, равной или близкой к температуре точки Ms, чтобы минимизировать разницу температур, может эффективно предотвратить закалку искажение заготовки и растрескивание. Небольшой размер легированной инструментальной стали умирает в холодном состоянии 160 ~ 200 ℃ при закалке в горячем масле, что может эффективно уменьшить искажения и избежать растрескивания. Рисунок 5 Схема закалки горячим маслом6 Метод криогенной обработки Закаленную заготовку непрерывно охлаждают от комнатной температуры до более низкой температуры, так что остаточный аустенит продолжает превращаться в мартенсит, целью которого является повышение твердости и износостойкости стали, улучшение структурной стабильности и размерной стабильности заготовки, а также эффективное улучшение срока службы инструмента. Криогенная обработка - это жидкий азот как охлаждающая среда для методов обработки материалов. Технология криогенной обработки была впервые применена к инструментам для изнашивания, инструментальным материалам для пресс-форм, а затем распространена на легированную сталь, карбид и т. Д., Используя этот метод, можно изменить внутреннюю структуру металлических материалов, улучшив тем самым механические свойства и технологические свойства, В настоящее время один из последних процессов ужесточения. Криогенная обработка (Cryogenictreatment), также известная как обработка при ультранизких температурах, обычно относится к материалу ниже -130 ℃ для обработки, чтобы улучшить общие характеристики материала. Еще 100 лет назад люди начали подвергать холодной обработке детали часов, которые, как было установлено, улучшают прочность, износостойкость, стабильность размеров и срок службы. Криогенная обработка - это новая технология, разработанная на основе обычной холодной обработки в 1960-х годах. По сравнению с обычной холодной обработкой, криогенная обработка может дополнительно улучшить механические свойства и стабильность материала и имеет более широкую перспективу применения. Механизм криогенной обработки: после криогенной обработки остаточный аустенит во внутренней структуре металлического материала (главным образом, плесень). материала) превращается в мартенсит, и осажденный карбид также осаждается в мартенсите, так что мартенсит может быть устранен при остаточном напряжении, но также улучшит матрицу мартенсита, так что его твердость и износостойкость также увеличатся. Причиной увеличения твердости является превращение части остаточного аустенита в мартенсит. Увеличение ударной вязкости происходит из-за дисперсии и небольшого осаждения η-Fe3C. В то же время содержание углерода в мартенсите уменьшается, а искажение решетки уменьшается, улучшается пластичность. Оборудование для криогенной обработки в основном состоит из резервуара с жидким азотом, системы подачи жидкого азота, глубокого холодного бокса и системы управления. При применении криогенная обработка повторяется несколько раз. Типичные процессы, такие как: 1120 ℃ закалка маслом + -196 ℃ × 1 ч (2-4) глубокая криогенная обработка + 200 ℃ × 2 ч отпуска. После обработки организации произошла трансформация аустенита, но также осаждается из закаленной мартенситной дисперсии высококогерентных связей с матрицей ультрадисперсных карбидов, после последующего низкотемпературного отпуска при 200 ℃, рост ультрадисперсных карбидов Дисперсные ε карбиды , количество и дисперсия значительно увеличились. Криогенная обработка повторяется несколько раз. С одной стороны, сверхтонкие карбиды осаждаются из мартенсита, превращенного из остаточного аустенита во время предыдущего криогенного охлаждения. С другой стороны, мелкие карбиды продолжают осаждаться в закаленном мартенсите. Повторный процесс может привести к увеличению прочности матрицы на сжатие, предела текучести и ударной вязкости, улучшить ударную вязкость стали, в то время как ударопрочность износостойкости была значительно улучшена. Схема устройства криогенной обработки 6 Схема некоторых деталей по строгим требованиям к размеру не позволяет При обработке из-за термического напряжения, вызванного чрезмерной деформацией, при криогенной обработке следует контролировать скорость охлаждения. Кроме того, для обеспечения однородности поля температуры внутри оборудования и уменьшения колебаний температуры при проектировании системы криогенной обработки следует учитывать точность контроля температуры системы и рациональность расположения поля потока. При проектировании системы следует также уделять внимание соблюдению меньшего энергопотребления, высокой эффективности, простоты эксплуатации и других требований. Таковы современные тенденции развития системы криогенной очистки. Кроме того, ожидается, что некоторые развивающиеся холодильные системы, чья температура охлаждения простирается от комнатной до низкой температуры, также превратятся в безжидкостные системы криогенной обработки с понижением их минимальной температуры и повышением эффективности охлаждения. [3] Ссылки: [1] 樊東黎.強(qiáng)烈 淬火 - 一種 新 的 強(qiáng)化 鋼 的 熱處理 方法 [Дж].熱處理, 2005, 20 (4): 1-3 [2] 宋 微, 郝冬梅, 王成江.沸水 淬火 對 鋁合金 鍛件 組織 與 機(jī)械 性能 的 影響 [Дж].鋁加工, 2002, 25 (2): 1-3 [3] 夏雨亮, 金 滔, 湯 珂.深 冷 處理 工藝 及 設(shè)備 的 發(fā)展 現(xiàn)狀 和 展望 [Дж].氣 與 特 氣, 2007, 25 (1): 1-3
Источник: Meeyou Carbide

Во-первых, эпитаксиальный профиль молекулярного пучка. В среде сверхвысокого вакуума, при определенной тепловой энергии одной или более струй пучка молекул (атомов) к кристаллической подложке, процесс реакции поверхности подложки молекулы в процессе ?полета? практически не сталкивается с окружающий газ, в форме молекулярного пучка к подложке, эпитаксиальный рост, отсюда и название. Свойства: метод вакуумного осаждения. Происхождение: 20-й век, начало 70-х годов, лаборатория США Белл. Применение: эпитаксиальный рост, атомный уровень, точный контроль ультра- тонкие многослойные материалы и устройства с двумерной структурой (суперсимволы, квантовые ямы, модуляционный легирующий гетеропереход, квантовые инь: лазеры, транзисторы с высокой подвижностью электронов и т. д.); в сочетании с другими процессами, но также подготовка одномерных и нульмерных наноматериалов (квантовые линии, квантовые точки и т. д.). Типичные особенности MBE: (1) молекулы (атомы), испускаемые из печи источника достигают поверхность подложки в виде потока ?молекулярного пучка?. Посредством мониторинга толщины пленки кристаллического кварца, можно строго контролировать скорость роста. (2) скорость роста молекулярно-лучевой эпитаксии медленная, около 0,01-1 нм / с. Может достичь эпитаксии одного атомного (молекулярного) слоя, с превосходной управляемостью толщины пленки. (3) Регулируя открытие и закрытие перегородки между источником и подложкой, можно строго контролировать состав и концентрацию примеси пленки, и может быть достигнут селективный эпитаксиальный рост. (4) нетепловой равновесный рост, температура подложки может быть ниже, чем равновесная температура, для достижения роста при низкой температуре можно эффективно уменьшить взаимную диффузию и самодопирование. (5) с отражающей высокой Дифракция энергии электронов (RHEED) и другие устройства, могут достигать первоначальной цены наблюдения, мониторинга в режиме реального времени. Скорость роста относительно медленная, как MBE является преимуществом, но и его недостаток, не подходит для роста толстой пленки и массового производства. , кремниевая молекулярно-лучевая эпитаксия1 основной профильСиликоновая молекулярно-лучевая эпитаксия включает гомогенную эпитаксию, гетероэпитаксию. Кремниевая молекулярно-лучевая эпитаксия - это эпитаксиальный рост кремния на (или связанных с кремнием материалах) на подходяще нагретой кремниевой подложке путем физического осаждения атомов, молекул или ионов. (1) в течение эпитаксиального периода подложка находится при более низкой температуре. (2) одновременное легирование. (3) Система для поддержания высокого вакуума. (4) обратите особое внимание на атомно-чистую поверхность. Рисунок 1 Принципиальная схема принципа работы кремния MBE2 История развития молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, разработанной относительно дефектов сердечно-сосудистых заболеваний. Дефекты ХВД: высокая температура подложки, 1050oC, до допинга серьезного (при высокой температуре). Первоначальная молекулярно-лучевая эпитаксия: кремниевая подложка, нагретая до соответствующей температуры, вакуумное испарение кремния до кремниевой подложки, эпитаксиальный рост. Критерии роста: падающие молекулы достаточно перемещаются к горячей поверхности подложки и располагаются в форме монокристалл.3 Важность кремниевой молекулярно-лучевой эпитаксии. Кремниевый МВЭ выполняется в строго контролируемой криогенной системе. (1) может хорошо контролировать концентрацию примеси для достижения атомного уровня. Концентрация нелегированного материала контролируется на уровне <3 × 1013 / см3. (2) Эпитаксия может проводиться в лучших условиях без дефектов. (3) Толщина эпитаксиального слоя может контролироваться в пределах толщины одного атомного слоя, сверхрешеточная эпитаксия, несколько нм ~ несколько десятков нм, которая может быть спроектирована вручную, и подготовка превосходных характеристик новых функциональных материалов. (4) Гомогенная эпитаксия кремния, гетероэпитаксия кремния. 4 Оборудование для эпитаксиального роста. Направление развития: надежность, высокая. производительность и универсальность Недостатки: высокие цены, сложность, высокие эксплуатационные расходы. Область применения: может использоваться для кремниевых MBE, составных MBE, III-V MBE, разрабатываются металлические полупроводниковые MBE. Основные общие черты: (1) базовая система сверхвысокого вакуума, эпитаксиальная камера, обогревательная камера Nuosen; (2) средства анализа, LEED, SIMS, YED EED и т. д.; (3) камера впрыска. туз кремниевой мишени, облегчая получение кремниевого молекулярного пучка. Чтобы избежать излучения молекулярного пучка кремния в сторону, чтобы вызвать неблагоприятные эффекты, необходима экранирование и коллимация экрана большой площади. (2) сопротивление нагреву кремниевого катода не может давать сильный молекулярный пучок, другие графитовые цитрусовые горшки имеют Si-C окрашенный, лучший способ испарения электронным пучком для получения источника кремния. Поскольку некоторые части температуры кремниевого MBE выше, легко испаряются, требования к низкому давлению испарения кремния источника испарения имеют более высокую температуру. В то же время, плотность луча и параметры сканирования для контроля. Делая кремниевую плавильную яму только в кремниевом стержне, кремниевые стержни становятся цитрусовыми с высокой чистотой. Существует несколько видов контроля молекулярного пучка: (1) Кварцевый кристалл часто используется для контроля тока пучка, надлежащего экранирования пучка и охлаждения, может быть удовлетворен с результатами, но шум влияет на стабильность. Через несколько мкм кристалл кварца теряет свою линейность. Частый обмен, основная система часто завышена, что не способствует работе. (2) небольшой ионный стол, измеренное давление молекулярного пучка, а не измерение потока молекулярного пучка. Из-за осаждения на компонентах системы, выходящих из стандарта. (3) низкоэнергетический электронный пучок, через молекулярный пучок, использование электронов обнаруживается при возбуждении флуоресценцией. Атомы возбуждаются и быстро разлагаются до основного состояния, вызывая ультрафиолетовую флуоресценцию, а оптическая плотность пропорциональна плотности пучка после оптической фокусировки. Сделайте контроль обратной связи источника кремния. Недостаточно: при отключении электронного луча большая часть инфракрасной флуоресценции и фонового излучения приведет к ухудшению отношения сигнал / шум до степени нестабильности. Он измерял только атомный класс, не может измерять молекулярные вещества. (4) Спектры атомного поглощения, контролирующие плотность пучка легированных атомов. С током прерывистого пучка Si и Ga были обнаружены с помощью оптического излучения 251,6 нм и 294,4 нм соответственно. Интенсивность поглощения пучка через атомный пучок была преобразована в атомную плотность пучка, и было получено соответствующее соотношение. Основание подложки молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) представляет собой сложную точку. MBE представляет собой процесс с холодной стенкой, то есть нагрев кремниевой подложки до 1200 ℃, окружающей среды до комнатной температуры. Кроме того, кремниевая пластина обеспечивает равномерную температуру. Огнеупорный металлический и графитовый катод сопротивления, задняя часть радиационного нагрева и все нагревательные элементы установлены в охлаждаемых жидким азотом контейнерах, чтобы уменьшить тепловое излучение вакуумных компонентов. Подложка вращается для обеспечения равномерного нагрева. Свободное отклонение может усилить эффект легирования вторичной имплантации.
Источник: Meeyou Carbide

1, Review of Organic Halide Perovskite – related Photoelectric PropertiesFigure 1 Spectral position and PL peakOrganic halide perovskites are widely used in optoelectronics research. Methyl ammonium and formamidine lead iodide as photovoltaics show excellent photoelectric properties and stimulate researchers’ enthusiasm for light-emitting devices and photodetectors. Recently, the University of Toronto Edward H. Sargent (Correspondent) team of organic metal halide perovskite optical and electrical properties of the material were studied. Outlines how material composition and form are associated with these attributes, and how these properties ultimately affect device performance. In addition, the team also analyzed different material properties of the perovskite materials, in particular the bandgap, mobility, diffusion length, carrier lifetime and trap density.The Electrical and Optical Properties of Organometal Halide Perovskites Relevant to Optoelectronic Performance（Adv.Mater.,2017,DOI: 10.1002/adma.201700764）2, Advanced Materials Overview: 2D optoelectronic applications of organic materials Figure 2 Several key steps in the application of two-dimensional organic materialsThe 2D material with atomic thin structure and photoelectron properties has attracted the interest of researchers in applying 2D materials to electronics and optoelectronics. In addition, as a two-dimensional material series of emerging areas, the organic nanostructure assembled into 2D form provides molecular diversity, flexibility, ease of processing, light weight, etc., for optoelectronic applications provides an exciting prospect. Recently, Tianjin University, Professor Hu Wenping, Ren Xiaochen assistant researcher (common newsletter) and others reviewed the application of organic two-dimensional materials in optoelectronic devices. Examples of materials include 2D, organic, crystalline, small molecules, polymers, self- Covalent organic skeleton. The application of 2D organic crystal fabrication and patterning technology is also discussed. Then the application of optoelectronic devices is introduced in detail, and the prospect of 2D material is briefly discussed.2D Organic Materials for Optoelectronic Applications（Adv.Mater.,2017,DOI: 10.1002/adma.201702415）3, Advanced Materials Review: 2D Ruddlesden-Popper Perovskite PhotonicsFigure 3 Schematic diagram of 3D and 2D perovskite structuresThe traditional 3D organic-inorganic halide perovskite has recently undergone unprecedented rapid development. However, their inherent instabilities in moisture, light and calories remain a key challenge before commercialization. In contrast, the emerging two-dimensional Ruddlesden-Popper perovskite has received increasing attention due to its environmental stability. However, 2D perovskite research has just started. Recently, the University of Fudan University, Liang Ziqi (Corresponding author) team published a review first introduced 2D perovskite and 3D control of a detailed comparison. And then discussed the two-dimensional perovskite organic interval cationic engineering. Next, quasi-two-dimensional perovskites between 3D and 2D perovskites were studied and compared. In addition, 2D perovskite unique exciton properties, electron-phonon coupling and polaron are also shown. Finally, a reasonable summary of the structure design, growth control and photophysics research of 2D perovskite in high performance electronic devices is presented.2D Ruddlesden–Popper Perovskites for Optoelectronics（Adv.Mater.,2017,DOI: 10.1002/adma.201703487）4, Science Advances Summary: Lead Halide Perovskite: Crystal-Liquid Binary, Phonon Glass Electronic Crystals and Great Polaron FormationFigure 4 CH3NH3PbX3 perovskite structureLead anodized perovskite has proven to be a high performance material in solar cells and light emitting devices. These materials are characterized by the expected coherent band transport of crystalline semiconductors, as well as the dielectric response and phonon dynamics of the liquid. This “crystal-liquid” duality means that lead halide perovskites belong to phonon glass electron crystals – a class of thermoelectric materials that are considered to be the most efficient. Recently, the University of Columbia Zhu Xiaoyang (communication author) team reviewed the crystal-liquid duality, the resulting dielectric response responsible for the formation and selection of carrier polaron, which causes perovskite with defect tolerance, moderate Of the carrier mobility and the combined performance of the radiation. Large polaron formation and phonon glass characteristics can also explain the significant reduction in carrier cooling rates in these materials.Lead halide perovskites: Crystal-liquid duality, phonon glass electron crystals, and large polaron formation（Sci. Adv.,2017,DOI:10.1126/sciadv.1701469）5, Progress in Polymer Science Review: Lithography of silicon-containing block copolymersFig.5 Melt phase diagram of diblock copolymerRecently, the National Tsinghua University Rong-Ming Ho (Correspondent) and others published a summary of the different methods through the preparation of ordered block copolymer (BCP) film the latest progress, focusing on the use of silicon-containing BCP as lithography applications. With the advantages of Si-containing blocks, these BCPs have smaller feature sizes due to their high resolution, large segregation intensity and high etch contrast. Considering that poly (dimethylsiloxane) (PDMS) has been extensively studied in Si-containing BCPs, the possibility of photolithography using PDCP-containing BCP has been demonstrated through previous and ongoing studies. Subsequent sections detail the main results of the DSA approach. The new trend of lithographic printing application and the application of photolithography nano – pattern using silicon – containing BCPs are also discussed. Finally, the conclusion and prospect of BCP lithography are introduced.Silicon-Containing Block Copolymers for Lithographic Applications（Prog. Polym. Sci.,2017,DOI:10.1016/j.progpolymsci.2017.10.002）6, Angewandte Chemie International Edition Overview: CH3NH3PbI3 perovskite solar cell theoretical studyFigure 6 Electronic density patternPower conversion efficiency (PCEs) of more than 22% of the hybridized perovskite perovskite solar cells (PSCs) has attracted considerable attention. Although perovskite plays an important role in the operation of PSCs, the basic theory associated with perovskite remains unresolved. Recently, Professor Xun Nining (Communication Author) of Xi’an University of Architecture and Technology, according to the first principle, evaluated the existing theory of structure and electronic properties, defects, ion diffusion and transfer current of CH3NH3PbI3 perovskite, and ion transport Influence on PSC Current – Voltage Curve Hysteresis. The moving current associated with the possible ferroelectricity is also discussed. And emphasizes the benefits, challenges and potential of perovskite for PSCs.Theoretical Treatment of CH3NH3PbI3 Perovskite Solar Cells（Angew. Chem. Int. Ed.,2017,DOI: 10.1002/anie.201702660）7, Chemical Society Reviews Overview: Reductive Batteries for Electromechanical Active Materials for Molecular EngineeringFigure 7 Molecular engineering for redox substances for sustainable RFBAs an important large energy storage system, redox batteries (RFBs) have high scalability and independent energy and power control capabilities. However, conventional RFB applications are subject to performance and limitations on high cost and environmental issues associated with the use of metal-based redox substances. Recently, the University of Texas at Austin Guihua Yu (communication author) team proposed the design of these new redox substances system molecular engineering program. The article provides a detailed synthesis strategy for modifying organometallic and organometallic redox substances in terms of solubility, oxidation-reduction potential and molecular size. And then introduced recent advances covering the reaction mechanism of the redox species classified by its molecular structure, the specific functionalization methods and electrochemical properties. Finally, the author analyzes the future development direction and challenge of this emerging research field.Molecular engineering of organic electroactive materials for redox flow batteries （Chem.Soc.Rev.,2017,DOI: 10.1039/C7CS00569E）8, Chemical Society Reviews Overview: Atomic level for energy storage and conversion Non-layered nanomaterialsFigure 8 Atomic-grade layered and non-layered nanomaterialsSince the discovery of graphene, the two-dimensional nanomaterials with large atomic thickness and large lateral dimension are highly studied because of their high specific surface area, heterogeneous electronic structure and attractive physical and chemical properties. Recently, Wulonggong University Dushi University academician (communication author) team comprehensively summed up the atomic thickness of non-layered nano-materials preparation method, studied its heterogeneous electronic structure, the introduction of electronic structure operation strategy, and outlined its energy storage and conversion Applications, with particular emphasis on lithium-ion batteries, sodium ion batteries, oxygen, CO2 reduction, CO oxidation reaction. Finally, based on the current research progress, put forward the future direction – in practical application to enhance the performance and new features to explore.Atomically thin non-layered nanomaterials for energy storage and conversion （Chem.Soc.Rev.,2017,DOI:10.1039/C7CS00418D）9, Chemical Reviews Overview: Electrochemical Applications in the Synthesis of Heterocyclic StructuresFigure 9 Mechanism of electro-induced cationic chain reactionThe heterocycle is one of the largest organic compounds to date, and the preparation and transformation of heterocyclic structures have been of great interest to organic chemistry researchers. Various heterocyclic structures are widely found in biologically active natural products, organic materials, agrochemicals and drugs. When people notice that about 70% of all drugs and agrochemicals have at least one heterocycle, people can not ignore them importance. Recently, Professor Zeng Chengchao of Beijing University of Technology (Correspondent Author) team reviewed the progress of electrochemical construction of heterocyclic compounds published by intramolecular and intermolecular cyclization since 2000.Use of Electrochemistry in the Synthesis of Heterocyclic Structures（Chem. Rev.,2017,DOI:10.1021/acs.chemrev.7b00271）
Источник: Meeyou Carbide

First, the development of a brief historyThe first stage: 1945 to 1951, the invention of nuclear magnetic resonance and lay the theoretical and experimental basis of the period: Bloch (Stanford University, observed in the water proton signal) and Purcell (Harvard University, observed in the paraffin proton signal) obtained Nobel bonus.The second stage: 1951 to 1960 for the development period, its role by chemists and biologists recognized, to solve many important problems. 1953 appeared in the first 30MHz nuclear magnetic resonance spectrometer; 1958 and early in the emergence of 60MHz, 100MHz instrument. In the mid-1950s, 1H-NMR, 19F-NMR and 31P-NMR were developed.The third stage: 60 to 70 years, NMR technology leap period. Pulse Fourier transform technology to improve the sensitivity and resolution, can be routinely measured 13C nuclear; dual frequency and multi frequency resonance technology;The fourth stage: the late 1970s theory and technology development mature.1,200, 300, 500 MHz and 600 MHz superconducting NMR spectrometers;2, the application of a variety of pulse series, in the application made important development;3, 2D-NMR appeared;4, multi-core research, can be applied to all magnetic cores;5, there have been “nuclear magnetic resonance imaging technology” and other new branch disciplines.Second, the main purpose:1. Determination and confirmation of the structure, and sometimes can determine the configuration, conformation2. Compound purity inspection, the sensitivity of thinner, paper chromatography high3. Mixture analysis, such as the main signal does not overlap, without separation can determine the proportion of the mixture.4. Proton exchange, the rotation of a single bond, the transformation of the ring and other chemical changes in the speed of the presumption1. the spin of the nucleusOf the isotopes of all elements, about half of the nuclei have spin motion. These spin nuclei are the object of nuclear magnetic resonance. Spin Quantum: The number of quantum numbers describing the spin motion of the nucleus, which can be an integer, a half integer, or a zero.In the organic compound composition elements, C, H, O, N is the most important element. In its isotopes, 12C, 16O are non-magnetic and therefore do not undergo nuclear magnetic resonance. 1H natural abundance of large, strong magnetic, easy to determine, so the NMR study was mainly for the proton. 13C abundance is small, only 12C 1.1%, and the signal sensitivity is only a proton to get 1/64. So the total sensitivity of only 1/6000 of 1H, more difficult to determine. But in the past 30 years, nuclear magnetic resonance instrument is greatly improved, can be measured in a short time 13C spectrum, and give more information, has become the main means of NMR. 1H, 19F, 31P natural abundance of large, strong magnetic, and nuclear charge distribution of spherical, the most easy to determine.2. Nuclear magnetic resonance phenomena① Precession: Spin with a certain magnetic moment Under the action of external magnetic field H0, this core will form angle for the kinematic motion: is the precession kinematic velocity, which is proportional to H0 (external magnetic field strength).② spin nuclear in the external magnetic field orientation: no external magnetic field, the spin magnetic orientation is chaotic. The magnetic core is in the external magnetic field H0, with (2I + 1) orientation. The spin of the magnetic core in the external magnetic field can be analogous to the precession (pronation, swing) of the gyroscope in the gravitational field.③ conditions of nuclear magnetic resonanceThe magnetic resonance magnetic field must have the magnetic nuclei, the external magnetic field and the RF magnetic field. The frequency of the RF magnetic field is equal to the precession frequency of the spin nucleus, and the resonance occurs from the low energy state to the high energy state.④ nuclear magnetic resonance phenomenon:In the vertical direction of the external magnetic field H0, a rotating magnetic field H1 is applied to the precession nucleus. If the rotational frequency of H1 is equal to the rotational precession frequency of the nucleus, the precession nucleus can absorb energy from H1 and transition from low energy state to high energy state Nuclear magnetic resonance.3. Saturation and relaxationLow energy nuclear is only 0.001% higher than high energy nuclear. Therefore, the low energy state core is always more than the high energy nuclear, because such a little surplus, so can observe the absorption of electromagnetic waves. If the nuclear continuous absorption of electromagnetic waves, the original low energy state is gradually reduced, the intensity of the absorption signal will be weakened, and ultimately completely disappeared, this phenomenon is called saturation. When saturation occurs, the number of cores in the two spin states is exactly the same. In the external magnetic field, the low-energy nuclei are generally more nuclear than the high-energy state, absorb the electromagnetic wave energy and migrate to the high-energy state of the core will be released by a variety of mechanisms of energy, and return to the original low energy state, this process called relaxation.4. Shield effect – chemical shift① ideal state of resonanceFor isolated, bare nuclei, ΔE = (h / 2π) γ · H;Under certain H0, a nucleus has only one ΔEΔE = E outside = hνOnly the only frequency ν of absorptionSuch as H0 = 2.3500T, 1H absorption frequency of 100 MHz, 13C absorption frequency of 25.2 MHz② real core: shielding phenomenonNuclear outside the electron (not isolated, not exposed)In the compounds: the interatomic binding (role) is different, such as chemical bonds, hydrogen bonds, electrostatic interactions, intermolecular forcesImagine: In H0 = 2.3500 T, due to the outer electrons of the shield, in the nuclear position, the real magnetic field is slightly smaller than 2.3500 TResonance frequency slightly higher than 100 MHzHow much is it? 1H is 0 to 10, and 13C is 0 to 250The hydrogen nuclei have electrons outside, and they repel the magnetic field lines of the magnetic field. For the nucleus, the surrounding electrons are shielded (Shielding) effect. The greater the density of the electron cloud around the core, the greater the shielding effect, the corresponding increase in magnetic field strength to make it resonant. The electron cloud density around the nucleus is affected by the connected groups, so the nuclei of different chemical environments, they suffer from different shielding effects, their nuclear magnetic resonance signals also appear in different places.③ If the instrument is measured with a 60MHz or 100MHz instrument, the electromagnetic wave frequency of the organic compound proton is about 1000Hz or 1700Hz. In determining the structure, the need to determine the correct resonant frequency, often requires several Hz accuracy, generally with the appropriate compound as the standard to determine the relative frequency. The difference between the resonant frequency of the standard compound and the resonant frequency of a proton is called the chemical shift.5. H NMR spectroscopy informationThe number of signals: how many different types of protons are present in the moleculeThe position of the signal: the electronic environment of each proton, the chemical shiftThe intensity of the signal: the number or number of each protonSplit situation: how many different protons are presentThe chemical shift of common types of organic compounds① induced effect② conjugate effectThe conjugation effect is weak or enhanced by proton shielding due to the displacement of the π electrons③ anisotropic effectIt is difficult to explain the chemical shift of H with respect to pi-electrons, and it is difficult to explain the electronegativity④ H key effectROH, RNH2 in 0.5-5, ArOH in 4-7, the range of change, the impact of many factors; hydrogen bonding with temperature, solvent, concentration changes significantly, you can understand the structure and changes related to hydrogen bonds.⑤ solvent effectBenzene forms a complex with DMF. The electron cloud of the benzene ring attracts the positive side of the DMF, rejecting the negative side. α methyl is in the shielding region, the resonance moves to the high field; and β methyl is in the masking region, the resonance absorption moves to the low field, and the result is that the two absorption peak positions are interchanged.
Источник: Meeyou Carbide

First, the basic concept of particle size analysis(1) particles: with a certain size and shape of small objects, is the basic unit of the composition of the powder. It is very small, but microscopic but contains a lot of molecules and atoms;(2) particle size: the size of particles;(3) particle size distribution: a certain way to reflect a series of different particle size particles, respectively, the percentage of the total powder;(4) the representation of the particle size distribution: table method (interval distribution and cumulative distribution), graphical method, function method, common R-R distribution, normal distribution;(5) particle size: the diameter of particles, usually in microns as a unit;(6) Equivalent particle size: When a particle of a physical properties and homogeneous spherical particles the same or similar, we use the spherical particles straightDiameter to represent the diameter of the actual particles;(7) D10, the cumulative distribution of 10% of the corresponding particle size; D50, the cumulative distribution of the percentage reached 50% of the corresponding particle size; also known as the median or median particle size; D90, the cumulative distribution of the percentage reached 90% of the corresponding particle size; D (4,3) volume or mass average particle size;Second, the commonly used particle size measurement method(1) sieving method(2) sedimentation method (gravity sedimentation method, centrifugal sedimentation method)(3) resistance method (Kurt particle counter)(4) Microscope (image) method(5) Electron microscopy(6) ultrasonic method(7) breathable method(8) laser diffraction methodAdvantages and disadvantages of various methodsSieve method: Advantages: simple, intuitive, low cost of equipment, commonly used in samples larger than 40μm. Disadvantages: can not be used for 40μm fine sample; results by human factors and sieve deformation of a greater impact.Microscope: Advantages: simple, intuitive, can be morphological analysis. Disadvantages: slow, poor representative, can not measure ultra-fine particles.Sedimentation method (including gravity settlement and centrifugal settlement): Advantages: easy to operate, the instrument can run continuously, low price, accuracy and repeatability is better, the test range is larger. Disadvantages: test time is longer.Resistance method: Advantages: easy to operate, the total number of particles can be measured, the equivalent concept clear, fast, good accuracy. Disadvantages: the test range is small, easy to be blocked by particles, the media should have strict electrical characteristics.Electron microscopy: Advantages: suitable for testing ultrafine particles or even nano-particles, high resolution. Disadvantages: less sample, poor representation, the instrument is expensive.Ultrasonic method: Advantages: direct measurement of high concentrations of pulp. Disadvantages: low resolution.Ventilation method: Advantages: instrument prices are low, do not have to disperse the sample, magnetic particles can be measured powder. Disadvantages: can only get the average particle size, can not measure the particle size distribution.Laser method: Advantages: easy to operate, fast test, test range, repeatability and accuracy, and can be measured online and dry. Disadvantages: the results affected by the distribution model, the higher the cost of the instrument.Third, the basic principle of laser particle size analyzerLaser diffraction technology began in the small angle scattering, so this technology also has the following name:Fraunhofer diffraction method(Approximately) positive light scattering methodSmall angle laser scattering method (LALLS)At present, this range of technology has been expanded to include light scattering within a wider range of angles, in addition to the approximate theory such as Fraunhofer diffraction and irregular diffraction, and the Mie theory is now used by instrument manufacturers Theory as one of the important advantages of its products.Mickey’s theory is named after a German scientist. It describes the uniform spherical particles in the uniform, non-absorbing medium and its surroundings in the space of the radiation, the particles can be completely transparent or can be completely absorbed. The Millerian theory describes that light scattering is a resonance phenomenon. If a specific wavelength of the beam encounters a particle, the particle produces an electromagnetic vibration at the same frequency as the emitted light source – irrespective of the wavelength of the light, the particle diameter, and the refractive index of the particles and the medium. The particles are tuned and received at a specific wavelength, and the energy is re-emitted within a particular spatial angular distribution as well as a relay. According to the Mie theory, it is possible to produce multiple oscillations of various probabilities, and there is a certain relationship between the cross section of the optical action and the particle size, the wavelength of light and the refractive index of the particles and the medium. If you use the Mie theory, you must know the refractive index and absorption coefficient of the sample and the medium.Fraunhofer theory is named after a German physicist, Franco and Fader, which is based on scattering at the edge of the grain and can only be applied to completely opaque particles and small angles of scattering. When the particle size is less than or equal to the wavelength, the Fraunhofer assumption that the extinction coefficient is constant is no longer applicable (it is an approximation of the Mie theory, that is, ignoring the Mi’s theory of imaginary subsets and ignoring the light scattering coefficient and Absorption coefficient, that is, all the dispersant and dispersive optical parameters are set to 1, the mathematical treatment is much simpler, the color of the material and small particles are also much larger error. The approximate Mickey theory is not applicable to the emulsion ).The laser particle size analyzer is based on the phenomenon of light diffraction, when the light through the particles when the diffraction phenomenon (its essence is the interaction of electromagnetic waves and substances). The angle of the diffracted light is inversely proportional to the size of the particle.Different sizes of particles through the laser beam when the diffraction light will fall in different positions, the location information reflects the particle size; the same large particles through the laser beam when the diffraction light will fall in the same position. The information of the diffracted light intensity reflects the percentage of particles of the same size in the sample.The laser diffraction method uses a series of photodetectors to measure the intensity of the diffracted light at different angles of the particle size of the particle, using the diffraction model, through the mathematical inversion, and then the particle size distribution of the sample.And the diffracted light intensity received by the position detector gives a percentage content of the corresponding particle size.The dependence of the intensity of the diffracted light on the particles decreases with the decrease of the particle size. When the particles are as small as several hundred nanometers, the diffraction intensity is almost completely dependent on the angle, that is, the diffracted light at this time Distributed in a wide range of angles, and the light intensity per unit area is very weak, which increases the difficulty of detection.The measurement of samples under 1um and wide particle size ranges (tens of nanometers to several thousand micrometers) is the key to the laser diffraction granulator. In general, the following techniques and optical path configurations are used:1, multi-lens technologyThe multi-lens system was widely adopted before the 1980s, using a Fourier optical path configuration, where the sample cell was placed in front of the focusing lens and equipped with a number of different focal lengths of the lens to accommodate different particle size ranges. The advantage is simple design, only need to be distributed in the tens of degrees range of focal plane detector, the cost is low. The disadvantage is that if the sample size is wide when the need to replace the lens, the results of different lenses need to be split, for some unknown particle size of the sample with a lens measurement may lose the signal or due to process changes caused by changes in sample size can not be timely reflect.2, multi-light technologyMulti-light source technology is also used in the Fourier optical path configuration that the sample cell in front of the focusing lens, generally only distributed in the range of tens of degrees angle detector, in order to increase the relative detection angle, so that the detector can receive small particles Diffracting the optical signal, and disposing the first or second laser at different angles relative to the optical axis of the first light source. The advantage of this technique is that it is only a detector that is distributed over several tens of degrees, and the cost is low. The measurement range, especially the upper limit, can be wide. The disadvantage is that the small area detector distributed in the small angle range is also used for small Particle measurement, due to the small particles of diffracted light in the unit area of the signal is weak, resulting in small particles when the signal to noise ratio is reduced, which is why the multi-light source system in the measurement range of more than 1500 microns or so, to ensure that a few microns The following small particles of accurate measurement, the need to replace the short focal length of the focus lens. In addition, the multi-lens system in the measurement of samples, the different lasers are turned on, and in the dry measurement, because the particles can only pass through the sample pool, only one light source can be used for measurement, so the general use of multi-lens technology The lower limit of the dry size is less than 250 nm.3, multi-method hybrid systemMulti-method hybrid system refers to the laser diffraction method and other methods of mixing design of the particle size analyzer, laser diffraction part of the distribution only a few tens of degrees range of the detector, and then supplemented by other methods such as PCS, generally a few microns The above is measured by laser diffraction, and particles below a few microns are measured by other methods. Theoretically, the lower limit of the particle size depends on the lower limit of the auxiliary method. The advantage of this method is that the cost is low and the overall measurement range is wide, The best measurement conditions required by the method, such as the concentration of the sample are not the same, are often difficult to balance, and in addition to the systematic error between the different methods, it is often difficult to obtain the desired result in the data fitting area of the two methods unless It is known that the particle size of the sample only falls within the range of the diffraction method or within the range of the auxiliary method. In addition, the multi-method mixing system requires two different sample cells, which is not a problem for wet measurement because the sample can be recycled, but the sample can only be circulated through the sample cell for a dry process, Method of simultaneous measurement, so a variety of methods mixed system in the dry measurement of the lower limit of the particle size can only be hundreds of nanometers.4, non-uniform cross-wide compensation for wide-angle detection technology and anti-Fourier optical systemThe wide-angle detection of non-uniform cross-wide area compensation and the anti-Fourier optical system are developed in the late 1990s. The anti-Fourier optical path configuration is used to place the cell behind the focusing lens, In a very wide range of angles, the general physical detection angle of up to 150 degrees, so that a single lens to measure tens of nanometers to several thousand microns of the sample possible, optical schematic diagram shown in the design of the detector On the use of non-uniform cross and with the increase in the size of the detector area also increased the arrangement, both to ensure that the resolution of large particles when the measurement also ensures a small particle detection signal to noise ratio and sensitivity. No need to replace the lens and other methods can be measured from tens of nanometers to several thousand microns of particles, even the dry measurement, the lower limit can reach 0.1 microns. The disadvantage of this approach is that the cost of the instrument is high relative to the previous methods.The laser beam emitted from the laser is focused by a microscope, pinhole filter and collimator collimation, into a parallel beam of about 10 mm in diameter, the beam is irradiated onto the particles to be measured, a portion of the light is scattered, Leaf lens, the radiation to the radio and television detector array. Since the radio and television detector is on the focal plane of the Fourier lens, any point on the detector corresponds to a certain scattering angle. The array of radio and television detectors consists of a series of concentric rings, each of which is a separate detector capable of linearly converting the scattered light projected onto the above into a voltage and then sending it to a data acquisition card which converts the electrical signal Zoom in, after the A / D switch to the computer.Now the actual structure of the laser particle size instrument has played a great change, but the same principle.At present, people have come to the following conclusions: (1) measuring less than 1mm of particles, you must use the Mie theory;(2) measuring more than 1mm particles, if the lower limit of measurement of the instrument is less than 3mm, the instrument still use the Mie theory, or in the particle size distribution of 1mm near the “out of nothing” a peak;(3) The laser particle size analyzer can use the diffraction theory of the conditions: the lower limit of measurement of the instrument is greater than 3mm, or the measured particles are absorbent type, and the particle size is greater than 1mm;(4) As a universal laser particle size analyzer, as long as the lower limit of measurement is less than 1mm, whether it is used to measure large particles or small particles, should use the Mie theory.Fifth, the composition of laser particle size analyzerA light source (usually a laser) is used to produce a monochromatic, coherent and parallel beam; the beam processing unit is a beam amplifier with an integrating filter that produces a beam of expanded, near-ideal light beams to illuminate the dispersed particles (A coherent strong light source with a fixed wavelength, a He-Ne gas laser (λ = 0.63um).Particle disperser (wet and dry)Measure the scattering spectrum of the detector (a large number of photodiodes)Computer (for controlling equipment and calculating particle size distribution)Through technological advances, the lower limit of measurement can be 0.1um, some up to 0.02umSix, test operation steps1, preparation of equipment to install and disperse the liquid (gas)2, sample inspection, preparation, dispersion and sample concentration check the particle size range and particle shape and whether the full dispersion;3, measurement (select the appropriate optical model)4, the error from the diagnostic system of measurement error (deviation), can come from the incorrect sample preparation, deviation from the theoretical assumptions of the particles and / or due to improper operation and operation of the instrument caused;Seven, commonly used laser particle size meter manufacturersBritish Malvern laser particle size analyzer (abroad)Europe and the United States grams of laser particle size analyzer (Zhuhai)Dandong laser particle size analyzer (Liaoning)Eight, the test object1. All kinds of non-metallic powder: such as tungsten, light calcium, talc, kaolin, graphite, wollastonite, brucite, barite, mica powder, bentonite, diatomaceous earth, clay and so on.2. All kinds of metal powder: such as aluminum powder, zinc powder, molybdenum powder, tungsten powder, magnesium powder, copper powder and rare earth metal powder, alloy powder.3. Other powder: such as catalyst, cement, abrasive, medicine, pesticide, food, paint, dyes, phosphor, river sediment, ceramic raw materials, various emulsions.
Источник: Meeyou Carbide

【Введение construction Конструкция гибких электронных устройств с определенными функциями и структурами предоставляет различные возможности для жизни человека в будущем, такие как носимые электронные продукты, имплантируемые чипы, чувствительная кожа, гибкие роботы и так далее. С углублением исследований в области люминесцентных материалов эти креативные продукты переходят из лаборатории в жизнь людей. Например, одежда, содержащая светоизлучающий элемент, детектор, построенный на основе оптического сигнала, микросхема, способная высвобождать лекарственное средство через оптический сигнал, микросхема, которая участвует в передаче сигнала, и тому подобное. Ранние исследования, в основном с использованием технологии трафаретной печати, для достижения крупномасштабного производства гибких люминесцентных материалов переменного тока В настоящее время, с появлением технологии 3D-печати, также производятся гибкие материалы с более сложной структурой. Исследователи разработали новую структуру светоизлучающих устройств, которые в основном состоят из четырех частей, а именно пары параллельных пакетов или боковой боковым распределением электрода, светоизлучающего слоя, диэлектрического слоя и управляемого слоя электрода. Управление электродным слоем достигается путем выбора другого поляризующего материала или тонкой электропроводящей пленки. Эта новая структура не только проста, но и способствует крупномасштабному производству, что более важно, по сравнению с традиционным пониманием светоизлучающих устройств, пара противоположных электродов больше не сложены друг с другом, а расположены рядом друг с другом. , Именно из-за этого структурного преимущества исследователи разработали различные типы устройств. Например, этот гибкий материал монтируется на зонт, и когда вода падает на зонт, зонт светится, что также позволяет создать удаленный детектор, который использует изменения оптического сигнала. Рисунок 1. Сравнение обычных конфигураций сэндвич светоизлучающие устройства (обозначены как S-ELS) и поляризованные электродные мостовые светоизлучающие устройства (обозначены как PEB-ELS) а) Принципиальная схема структуры обычного сэндвич-устройства (S-ELS) б) Принципиальная схема поляризационных электродов с мостовым излучением света устройство (PEB-ELS) c) Гибкое отображение PEB-ELS; d) Задняя сторона PEB-ELS увеличена с шириной электрода 0,45 мм и шагом 0,40 мм.e) вода светит на PEB-ELS ; f) Сравнение изменений переменного напряжения до и после сброса воды. Рисунок 2. Влияние материала, напряжения и частоты перемычки на характеристики PEB-ELSa) PEB-ELS положительное частичное увеличение, ширина электрода 1,5 мм, расстояние 0,4 мм; б) добавление разных мостов жидкость, свет в темноте, c) зависимость между силой света и типом и концентрацией мостиковой жидкости при частоте напряжения 2 кГц, d) влияние импеданса подложки на силу света, вставьте рисунок показывает взаимосвязь между временем контакта жидкости и интенсивностью света; e) связь между интенсивностью света и частотой напряжения при постоянном напряжении; f) Нарисуйте картину Пикассо на PEB-ELS с помощью карандаша. Рисунок 3. Эксперимент с поляризованным электродным мостом .ab) соединяя экспериментальную диаграмму, первый PEB-ELS делится на две части, а затем используется гидрогель в качестве поляризованного моста, две части соединены для испытания; c) половина PEB-ELS, инфильтрированная в двух стаканах; d) Прозрачный полиакриламидный гидрогель для соединения, длиной 5 см, шириной 1,6 см, толщиной 0,3 см; e) После того, как два стакана соединены с гидрогелем, подается напряжение, и PEB-ELS излучает свет; f) Размещайте гидрогель непосредственно на PEB-ELS и материал светится. Рисунок 4. Подготовка и эксплуатационные испытания датчиков дождевой водыa-b) схема подготовки датчика дождевой воды, cd) датчик дождевой воды на физической карте, белый и темный; e) рука в качестве мостикового электрода, свет PEB-ELS; f) Когда вода замерзает, интенсивность излучения PEB-ELS ослабевает. 【Резюме】 В этом исследовании представлено новое, недорогое, гибкое, светоизлучающее устройство, которое может быть произведено серийно. В этой статье изучается люминесцентная характеристика устройства и обсуждается связь между люминесцентной характеристикой и мостиковым материалом, а также приложенным напряжением. А потом сделал это на основе датчика оптического сигнала. Когда зонт намок или прикоснулся рукой, поверхность контакта загорится. Мало того, этот новый тип светоизлучающего устройства также может быть использован для записи, при написании карандашом соответствующая область также может освещать. Это также предоставляет новую возможность для будущего развития технологии сенсорного дисплея.
Источник: Meeyou Carbide