<\/p>\n

En primer lugar, el perfil epitaxial del haz molecularEn el entorno de vac\u00edo ultraalto, con una cierta energ\u00eda t\u00e9rmica de una o m\u00e1s mol\u00e9culas (\u00e1tomos) chorro de haz al sustrato de cristal, el proceso de reacci\u00f3n de la superficie del sustratoLas mol\u00e9culas en el proceso de "vuelo" casi no colisionan con el gas ambiental, en forma de haz molecular al sustrato, el crecimiento epitaxial, de ah\u00ed el nombre. Propiedades: un m\u00e9todo de deposici\u00f3n al vac\u00edo Origen: siglo XX, principios de los 70, laboratorio Bell de los Estados Unidos Aplicaciones: crecimiento epitaxial nivel at\u00f3mico control preciso de ultra- materiales y dispositivos de estructura bidimensional multicapa delgada (supercar\u00e1cter, pozos cu\u00e1nticos, heterouni\u00f3n de dopaje de modulaci\u00f3n, yin cu\u00e1ntico: l\u00e1seres, transistores de alta movilidad de electrones, etc.); combinado con otros procesos, pero tambi\u00e9n la preparaci\u00f3n de nanomateriales unidimensionales y de dimensi\u00f3n cero (l\u00edneas cu\u00e1nticas, puntos cu\u00e1nticos, etc.). Caracter\u00edsticas t\u00edpicas de MBE: (1) Las mol\u00e9culas (\u00e1tomos) emitidas desde el horno fuente alcanzan la superficie del sustrato en forma de una corriente de "haz molecular". A trav\u00e9s del monitoreo del espesor de la pel\u00edcula de cristal de cuarzo, puede controlar estrictamente la tasa de crecimiento. (2) La tasa de crecimiento de la epitaxia del haz molecular es lenta, alrededor de 0.01-1nm \/ s. Puede lograr una epitaxia de una sola capa at\u00f3mica (molecular), con una excelente capacidad de control del espesor de la pel\u00edcula.(3) Al ajustar la apertura y el cierre del deflector entre la fuente y el sustrato, la composici\u00f3n y la concentraci\u00f3n de impurezas de la pel\u00edcula pueden controlarse estrictamente, y Se puede lograr un crecimiento epitaxial selectivo. (4) crecimiento de equilibrio no t\u00e9rmico, la temperatura del sustrato puede ser m\u00e1s baja que la temperatura de equilibrio, para lograr un crecimiento a baja temperatura, puede reducir efectivamente la interdifusi\u00f3n y el autodopaje. (5) con alta reflexi\u00f3n La difracci\u00f3n de electrones de energ\u00eda (RHEED) y otros dispositivos pueden lograr la observaci\u00f3n del precio original, monitoreo en tiempo real. La tasa de crecimiento es relativamente lenta, tanto MBE es una ventaja, pero tambi\u00e9n su falta, no es adecuado para el crecimiento de pel\u00edcula gruesa y la producci\u00f3n en masa. Segundo , epitaxia de haz molecular de silicio1 perfil b\u00e1sico La epitaxia de haz molecular de silicio incluye epitaxia homog\u00e9nea, heteroepitaxia. La epitaxia de haz molecular de silicio es el crecimiento epitaxial de s\u00edlice (o materiales relacionados con el silicio) sobre un sustrato de silicio adecuadamente calentado por deposici\u00f3n f\u00edsica de \u00e1tomos, mol\u00e9culas o iones. (1) durante el per\u00edodo epitaxial, el sustrato est\u00e1 a una temperatura m\u00e1s baja. (2) Dopaje simult\u00e1neo. (3) el sistema para mantener un alto vac\u00edo. (4) preste especial atenci\u00f3n a la superficie limpia at\u00f3mica. al dopaje grave (con temperatura alta). La epitaxia del haz molecular original: el sustrato de silicio se calienta a la temperatura adecuada, la evaporaci\u00f3n al vac\u00edo del silicio al sustrato de silicio, el crecimiento epitaxial. Criterios de crecimiento: las mol\u00e9culas incidentes se mueven lo suficiente hacia la superficie caliente del sustrato y se organizan en forma de un solo cristal.3 La importancia de la epitaxia de haz molecular de silicio El MBE de silicio se lleva a cabo en un sistema criog\u00e9nico estrictamente controlado. (1) puede controlar bien la concentraci\u00f3n de impurezas para alcanzar el nivel at\u00f3mico. La concentraci\u00f3n no dopada se controla a <3 \u00d7 1013 \/ cm3.(2) La epitaxia se puede llevar a cabo en las mejores condiciones sin defectos.(3) El espesor de la capa epitaxial se puede controlar dentro del espesor de la capa at\u00f3mica \u00fanica, epitaxia superlattice, varios nm ~ varias decenas de nm, que se puede dise\u00f1ar manualmente, y la preparaci\u00f3n de un excelente rendimiento de los nuevos materiales funcionales.(4) epitaxia homog\u00e9nea de silicio, heteroepitaxia de silicio.4 equipo de crecimiento epitaxialDirecci\u00f3n de desarrollo: confiabilidad, alta rendimiento y versatilidad Desventajas: precios altos, costos operativos altos y complejos. Alcance: se puede usar para MBE de silicio, MBE compuesto, MBE III-V, MBE de semiconductores met\u00e1licos que se est\u00e1 desarrollando. Caracter\u00edsticas comunes b\u00e1sicas: (1) sistema b\u00e1sico de ultra alto vac\u00edo, c\u00e1mara epitaxial, sala de calefacci\u00f3n Nuosen; (2) medios de an\u00e1lisis, LEED, SIMS, Yang EED, etc.; (3) c\u00e1mara de inyecci\u00f3n. ce del objetivo de silicio, lo que facilita la producci\u00f3n de haz molecular de silicio. Para evitar que la radiaci\u00f3n del haz molecular de silicio hacia un lado cause efectos adversos, es necesaria la colimaci\u00f3n y el blindaje de la pantalla de \u00e1rea grande. (2) la resistencia al calentamiento del c\u00e1todo de silicio no puede producir un haz molecular fuerte, las otras ollas de c\u00edtricos de grafito tienen Si-C te\u00f1ido, la mejor manera es la evaporaci\u00f3n del haz de electrones para producir una fuente de silicio. Debido a que algunas partes de la temperatura MBE de silicio son m\u00e1s altas, f\u00e1ciles de evaporar, los requisitos de baja presi\u00f3n de evaporaci\u00f3n de silicio de la fuente de evaporaci\u00f3n tienen una temperatura m\u00e1s alta. Al mismo tiempo, la densidad del haz y los par\u00e1metros de exploraci\u00f3n para controlar. Haciendo el hoyo de fusi\u00f3n de silicio justo en la varilla de silicio, las varillas de silicio se convierten en c\u00edtricos de alta pureza. con los resultados, pero el ruido afecta la estabilidad. Despu\u00e9s de varios \u03bcm, el cristal de cuarzo pierde su linealidad. Intercambio frecuente, el sistema principal a menudo est\u00e1 inflado, lo que no es propicio para el trabajo. (2) mesa de iones peque\u00f1os, presi\u00f3n de haz molecular medida, en lugar de medir el flujo de haz molecular. Debido a la deposici\u00f3n en los componentes del sistema que salen del est\u00e1ndar. (3) haz de electrones de baja energ\u00eda, a trav\u00e9s del haz molecular, el uso de electrones detectados por la fluorescencia de excitaci\u00f3n. Los \u00e1tomos se excitan y se degradan r\u00e1pidamente al estado fundamental para producir fluorescencia ultravioleta, y la densidad \u00f3ptica es proporcional a la densidad del haz despu\u00e9s del enfoque \u00f3ptico. Realice el control de retroalimentaci\u00f3n de la fuente de silicio. Inadecuado: corte el haz de electrones, la mayor parte de la fluorescencia infrarroja y la radiaci\u00f3n de fondo har\u00e1n que la relaci\u00f3n se\u00f1al\/ruido se deteriore hasta el punto de la inestabilidad. Solo midi\u00f3 la clase at\u00f3mica, no puede medir sustancias moleculares. (4) Espectros de absorci\u00f3n at\u00f3mica, controlando la densidad del haz de los \u00e1tomos dopados. Con la corriente del haz intermitente, Si y Ga fueron detectados por radiaci\u00f3n \u00f3ptica de 251,6 nm y 294,4 nm respectivamente. La intensidad de absorci\u00f3n del haz a trav\u00e9s del haz at\u00f3mico se convirti\u00f3 en densidad del haz at\u00f3mico y se obtuvo la relaci\u00f3n correspondiente. La base del sustrato de epitaxia de haz molecular (MBE) es un punto dif\u00edcil. MBE es un proceso de pared fr\u00eda, es decir, el calentamiento del sustrato a 1200 \u2103, el ambiente a temperatura ambiente. Adem\u00e1s, la oblea de silicio para garantizar una temperatura uniforme. El c\u00e1todo de grafito y metal refractario resistente a las colinas, la parte posterior del calentamiento por radiaci\u00f3n y todas las partes de calentamiento se instalan en contenedores enfriados con nitr\u00f3geno l\u00edquido para reducir la radiaci\u00f3n t\u00e9rmica de los componentes de vac\u00edo. El sustrato se gira para garantizar un calentamiento uniforme. Desviaci\u00f3n libre, puede mejorar el efecto de dopaje de implantaci\u00f3n secundaria.
\nFuente: Meeyou Carbide<\/p>\n

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First, the molecular beam epitaxial profileIn the ultra-high vacuum environment, with a certain thermal energy of one or more molecules (atoms) beam jet to the crystal substrate, the substrate surface reaction processMolecules in the “flight” process almost no collision with the ambient gas, in the form of molecular beam to the substrate, the epitaxial growth,…<\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":1597,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_jetpack_memberships_contains_paid_content":false,"footnotes":""},"categories":[79,1],"tags":[],"jetpack_featured_media_url":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/wp-content\/uploads\/2019\/05\/f875f9_b9b126e5bc354182a8a3d645f578368amv2_d_1920_1920_s_2.jpg","jetpack_sharing_enabled":true,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/18552"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=18552"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/18552\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1597"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=18552"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=18552"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.meetyoucarbide.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=18552"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}